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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶及其制备方法和应用-CN202310771584.1在审
发明人：陈威威;吴大迁 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C07C257/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶及其制备方法和应用，属于半导体纳米晶的制备技术领域。本发明公开了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶，结构式为FAPbBr3:xNd3，其中x是原子掺杂比x＝Nd/(Nd+Pb)。本发明的钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶具有缺陷密度低、光学性能好的优点，能顾用于制备绿光LED或白光LED，在太阳能电池、LED以及锂电池负极材料方面具有广泛的应用前景。本发明还公开了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶的制备方法，通过一步常温配体辅助再沉淀法制备，制备工艺简单，可以在工业生产中进行广发推广；同时在制备过程中采用的均为低成本的反应前驱物，适宜大规模生产的应用。
一种掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米及其制备方法应用

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