专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有保护性中介层的嵌入式裸片-CN201110068207.9有效
  • 吴亚伯;吴嘉洛 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2011-03-18 - 2011-09-21 - H01L21/48
  • 本公开涉及具有保护性中介层的嵌入式裸片,本公开的实施方式提供一种衬底,该衬底具有(i)第一叠层、(ii)第二叠层和(iii)布置于第一叠层与第二叠层之间的芯材料;以及附接至该第一叠层的裸片,该裸片具有键合至裸片的有源侧的表面的中介层,该表面包括(i)电介质材料和(ii)用以路由裸片的电信号的键合焊盘,中介层具有形成于其中的通孔,该通孔电耦合至键合焊盘以进一步路由裸片的电信号,其中裸片和中介层嵌入在衬底的芯材料中。可能描述和/或要求保护其他实施方式。
  • 具有保护性中介嵌入式
  • [发明专利]用于凹陷的半导体基底的技术和配置-CN201110038808.5无效
  • 吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2011-02-09 - 2011-08-31 - H01L21/50
  • 本发明的实施方式涉及用于凹陷的半导体基底的技术和配置,具体地,提供了一种方法,包括:提供半导体基底,该半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与第一表面相反地布置的第二表面;在半导体基底的第一表面上形成电介质膜;在电介质膜上形成再分布层;将一个或多个裸片电耦合到再分布层;在半导体基底上形成模塑料;使半导体基底的第二表面凹陷;形成通过半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露再分布层;以及在该一个或多个沟道中形成一个或多个封装互连结构,该一个或多个封装互连结构电耦合到再分布层,该一个或多个封装互连结构用以路由该一个或多个裸片的电信号。可以描述和/或要求保护其他实施方式。
  • 用于凹陷半导体基底技术配置
  • [发明专利]凹入的半导体基底和相关技术-CN201110038800.9无效
  • 吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2011-02-09 - 2011-08-31 - H01L21/50
  • 本发明提供一种凹入的半导体基底和相关技术。本发明的实施方式提供一种方法,该方法包括提供具有(i)第一表面和(ii)与所述第一表面相反布置的第二表面的半导体基底,在所述半导体基底的第一表面中形成一个或更多个过孔,所述一个或更多个过孔初始仅穿过所述半导体基底的一部分而不到达所述第二表面,在所述半导体基底的第一表面上形成电介质膜,在所述电介质膜上形成再分布层,所述再分布层电耦合至所述一个或更多个过孔,将一个或更多个裸片耦合至所述再分布层,形成模塑料以封裹所述一个或更多个裸片的至少一部分,以及使所述半导体基底的第二表面凹入以暴露所述一个或更多个过孔。可以描述和/或请求保护其他实施方式。
  • 半导体基底相关技术

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