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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]鞋底（19）-CN202030075059.3有效
发明人：不公告设计人 -专利权人： 吴卫华
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鞋底（19）。2.本外观设计产品的用途：鞋子底部设计。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鞋底 19

[外观设计]鞋底（16）-CN202030048535.2有效
发明人：不公告设计人 -专利权人： 吴卫华
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鞋底（16）。2.本外观设计产品的用途：鞋子底部设计。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鞋底 16

[发明专利]高速类超晶格锌锑-锑相变存储介质及其制备方法-CN202010175123.4在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;眭永兴;薛建忠;孙月梅;吴世臣 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高速类超晶格锌锑‑锑相变存储介质及其制备方法，该存储介质的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[Zn50Sb50(a)/Sb(b)]n，其中a和b分别表示单个周期中Zn50Sb50薄膜和Sb薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明扬长避短地利用两种相变材料的优势特性，通过磁控溅射的方法将两种材料进行纳米多层复合构成类超晶格结构，与传统的Ge2Sb2Te5相变材料相比较，类超晶格Zn50Sb50/Sb相变存储介质具有热稳定性好、相变速度更快等优点。
高速晶格相变存储介质及其制备方法

[发明专利]三明治结构锑硒-锑-锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用-CN202010175138.0在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;眭永兴 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种三明治结构锑硒‑锑‑锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用，薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为SbSe(a)/Sb(b)/SbSe(a)，其中a和b分别表示SbSe薄膜和Sb薄膜的厚度，且17≤a≤24.5 nm，1≤b≤16 nm。本发明通过磁控溅射的方法在SbSe相变材料中穿插一层Sb相变材料，构成三明治结构相变存储薄膜，利用材料各自的优势，使得该三明治结构SbSe/Sb/SbSe相变存储薄膜具有热稳定性高、相变速度快、非晶态电阻和高低电阻合适的特征。
三明治结构纳米复合多层相变薄膜及其制备应用

[发明专利]类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用-CN202010175608.3在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;薛建忠 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种类超晶格结构ZnSb/SbSe相变存储薄膜及其制备和应用，该相变存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[ZnSb(a)/SbSe(b)]n，其中，a和b分别表示单个周期中ZnSb薄膜和SbSe薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明通过磁控溅射的方法将结晶温度高的ZnSb和相变速度快的SbSe相变材料进行交替溅射构造出类超晶格结构，优势互补后获得的相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的特性，其相变性能可以通过调整ZnSb和SbSe的厚度比、周期数等结构参数进行调控。
晶格纳米相变薄膜及其制备应用

[发明专利]纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜及其制备方法-CN202010175129.1在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;郑龙 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合多层氮化钛‑锑信息功能薄膜及其制备方法，该薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[TiN(a)/Sb(b)]n，其中，a和b分别表示单个周期中TiN薄膜和Sb薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明以TiN材料作为隔离层，通过磁控溅射的方法将其与具有快速相变性能的Sb相变材料在纳米尺度进行多层复合，构造出纳米复合多层TiN/Sb相变信息功能薄膜，该薄膜克服了单质Sb相变材料的缺陷，具有相变速度更快和热稳定性更好的优点。
纳米复合多层氮化信息功能薄膜及其制备方法

[发明专利]纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用-CN202010175609.8在审
发明人： 吴卫华;陈康雄;刁懿;汤皓婷;张贤;朱小芹;邹华;胡益丰 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合Ti‑Ge‑Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料的化学组成符合化学通式Tix(GeyTe1‑y)1‑x，其中，0.08≤x0.3，0.4y0.6，薄膜厚度30~100 nm。本发明通过磁控溅射的方法在Ge‑Te合金中掺入Ti杂质，通过调控Ti、Ge和Te元素的原子百分比，提高Ti‑Ge‑Te相变薄膜的相变温度和晶态电阻率，细化薄膜的晶粒尺寸和减小相变过程中的密度变化，获得的Ge‑Te基相变存储薄膜材料具有高热稳定性、高可靠性和低功耗的优势。
纳米复合 ti ge te 相变存储薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法和应用-CN202010175612.X在审
发明人： 吴卫华;张贤;汤皓婷;刁懿;朱小芹;胡益丰;邹华;张剑豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法和应用，该薄膜的总厚度为30~100 nm，其化学组成符合化学通式(ZnySb1‑y)1‑xTix，其中，0.01x0.3,10y90。本发明主要利用磁控溅射方法制备得到纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜，所得材料的相变温度和非晶热稳定性得到明显改善，有利于提升PCRAM的数据保持能力；且所得材料的非晶态和晶态电阻显著上升，即电导率显著下降，有助于降低PCRAM的SET和RESET操作功耗；同时，所得材料属于生长占优型的结晶机制，继承了Zn‑Sb合金快速结晶的优点。
纳米复合锌锑钛信息功能存储薄膜及其制备方法应用

[发明专利]Zn15-CN202010175122.X在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;眭永兴;薛建忠;袁丽;郑龙 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种Zn15Sb85/Zn50Sb50纳米复合多层相变薄膜及其制备方法，薄膜总厚度为40‑60 nm，结构通式为[Zn15Sb85(a)/Zn50Sb50(b)]n，其中a和b分别表示单个周期中Zn15Sb85薄膜和Zn50Sb50薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明采用磁控溅射的方法在纳米尺度以多层复合的方式构成该薄膜材料，将Zn15Sb85和Zn50Sb50两者的优势进行互补，并通过调控多层相变存储薄膜的总厚度、界面数和厚度比等结构参数调节薄膜的相变性能，制备出的复合薄膜具有快相变速度和高热稳定性。
zn base sub 15

[发明专利]类超晶格锡硒-锑碲信息功能存储介质及其制备方法-CN202010175124.9在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;张勇 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种类超晶格锡硒‑锑碲信息功能存储介质及其制备方法，该存储介质的总厚度为40‑60 nm，结构通式为[SnSe2(a)/Sb2Te3(b)]n，其中a和b分别表示单个周期中SnSe2薄膜和Sb2Te3薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。利用本发明公开的方法制备该类超晶格材料，在调节SnSe2薄膜和Sb2Te3薄膜的厚度比和周期数后，类超晶格SnSe2/Sb2Te3相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的特征。
晶格信息功能存储介质及其制备方法

[实用新型]一种安全石墨烯电热膜及用该电热膜的装修结构-CN201921336709.3有效
发明人： 吴卫华 -专利权人：湖北暖季地暖科技股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本实用新型属于电热膜，具体涉及一种安全石墨烯电热膜及用该电热膜的装修结构。一种安全石墨烯电热膜，包括设置在两端的防水保护层，紧贴防水保护层的是接地层，紧贴接地层的是红外增强层，红外增强层之间是发热层。本新型的效果是：电热膜散热面积大、热响应快、节能环保，可做成复杂的结构形，使用寿命长，可靠性好，安装、维护方便。
一种安全石墨电热装修结构

[外观设计]鞋底（15）-CN202030013245.4有效
发明人： 吴卫华 -专利权人： 吴卫华
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鞋底（15）。2.本外观设计产品的用途：鞋子底部设计。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鞋底 15

[发明专利]纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法-CN202010175610.0在审
发明人： 吴卫华;朱小芹;张勇 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米复合堆叠锌锑‑锗碲相变存储薄膜及其制备方法，该存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1a49 nm，1b49 nm。本发明通过磁控溅射的方法对结晶温度高的Zn‑Sb材料和相变速度快的Ge‑Te材料进行交替溅射以制备出一种纳米复合堆叠相变存储薄膜，克服了单层相变材料各自的缺陷，实现优势互补后的纳米复合多层Zn‑Sb/Ge‑Te相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的优点，且相变性能可以通过Zn‑Sb和Ge‑Te的厚度比及堆叠次序等参数进行进一步调控。
纳米复合堆叠相变存储薄膜及其制备方法

[发明专利]交流充电桩多枪自动识别纠错处理系统、方法及充电桩-CN201710608115.2有效
发明人：葛福胜;吴卫华 -专利权人：深圳市泰永电气科技有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B60L53/14 文献下载
摘要：本发明涉及交流充电桩多枪自动识别纠错处理系统、方法及充电桩。信号采集模块接收用户选择的充电枪枪号、用户信息、订单信息；信息分发处理模块处理接收的信息得到分类信息；自动识别纠错模块将分类信息进行处理并创建分类信息表；自动识别纠错模块判断反馈信号的充电枪枪号与用户选择的充电枪枪号是否一致；若一致将充电枪枪号设置为锁定状态；若不一致，则自动调整并显示实际连接的充电枪枪号，将实际连接的充电枪枪号设置为锁定状态。通过实施本发明，实现了对一桩多枪充电枪随处放置、随意插拔的控制，有效解决了用户将充电枪还错位置、选错枪、无法充电、扣错费、无法停止充电、无法离开等困扰。
交流充电桩多枪自动识别纠错处理系统方法

[外观设计]鞋底（14）-CN201930733487.8有效
发明人： 吴卫华 -专利权人： 吴卫华
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鞋底（14）。2.本外观设计产品的用途：鞋子底部设计。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鞋底 14

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