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[发明专利]水性涂料用添加剂、水性涂料组合物及涂层-CN202080076084.0有效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C09D7/65 文献下载
摘要：本发明为一种水性涂料用添加剂，其包含平均组成式(1)R1aR2bR3cSiO(4‑a‑b‑c)/2所表示的重均分子量为500～100,000的硅氧烷支链型聚醚改性有机硅，所述硅氧烷支链型聚醚改性有机硅满足式(I)、式(II)。由此，提供环境负担小、赋予优异的防污性能的涂料添加剂及涂料组合物，特别是水性涂料。式(1)中的R1为烷基、芳基、芳烷基、通式(2)‑CmH2m‑O‑(C2H4O)d(C3H6O)eR4所表示的有机基团，R2为通式(3)‑CmH2m‑O‑(C2H4O)f(C3H6O)g‑R5所表示的基团，R3为下述通式(4)所表示的有机硅氧烷，R4为烃基或R6‑(CO)‑所表示的有机基团，R5为氢原子、烃基或R6‑(CO)‑所表示的有机基团，R6为烃基。
水性涂料添加剂组合涂层

[发明专利]水性涂料添加剂、水性涂料组合物及涂层剂-CN202080078880.8有效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：本发明为一种包含平均组成式(1)(R3SiO1/2)a(R2R’SiO1/2)a’(R2SiO2/2)b(RR’SiO2/2)b’(RSiO3/2)c(SiO4/2)d所表示的聚醚改性硅氧烷的水性涂料添加剂。R’为选自‑CqH2q‑O‑(C2H4O)e(C3H6O)f‑R1所表示的基团中的有机基团。R’基满足式(I)：5≤{(‑C2H4O‑部分的分子量)/(聚醚改性硅氧烷整体的分子量)}×20≤10；式(II)：{(‑C3H6O‑部分的分子量)/(‑C2H4O‑部分的分子量)}≤1.0。由此，能够提供环境负荷小、赋予优异防污性能的用于水性涂料的添加剂以及水性涂料组合物。
水性涂料添加剂组合涂层

[发明专利]涂料添加剂、涂料组合物及涂层-CN202080075105.7有效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09D5/16 文献下载
摘要：本发明为一种涂料添加剂，其包含平均组成式(1)R1aR2bR3cSiO(4‑a‑b‑c)/2所表示的重均分子量为500～100,000的硅氧烷支链型聚醚改性有机硅。由此，提供环境负担小、赋予优异的防污性能的涂料添加剂及涂料组合物。式(1)中的R1为烷基、芳基、芳烷基、通式(2)‑CmH2m‑O‑(C2H4O)d(C3H6O)eR4所表示的有机基团，R2为通式(3)‑CmH2m‑O‑(C2H4O)f(C3H6O)g‑R5所表示的基团，R3为下述通式(4)所表示的有机硅氧烷，R4为烃基或R6‑(CO)‑所表示的有机基团，R5为氢原子、烃基或R6‑(CO)‑所表示的有机基团，R6为烃基。
涂料添加剂组合涂层

[发明专利]具有全氟聚醚嵌段的有机氢聚硅氧烷及其制造方法-CN202180041515.4在审
发明人：铃木嵩之;后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C08G77/46 文献下载
摘要：本发明提供一种有机氢聚硅氧烷。其与有机聚硅氧烷的相容性优异，且具有能够与烯基发生氢化硅烷化反应的有机氢甲硅烷氧基单元，并且具有能够容易地控制有机氢甲硅烷氧基单元和硅氧烷含量的全氟聚醚嵌段。所述有机氢聚硅氧烷以式(1)表示、具有全氟聚醚嵌段。[在式中，Rf为全氟聚醚嵌段，W1分别自独立地为二价有机聚硅氧烷嵌段，W2分别独立的为一价有机聚硅氧烷嵌段，W1和W2中的氢硅氧烷单元的数为不能同时为0，Q为任选包含氧原子和氮原子中的至少一者的二价连结基团，g为0以上的数。
具有全氟聚醚嵌段有机氢聚硅氧烷及其制造方法

[发明专利]甲醇改性有机硅氧烷的制造方法-CN201980044456.9有效
发明人： 后藤智幸;冈泽佑允 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C08G77/06 文献下载
摘要：包括工序(A)～(C)的甲醇改性有机硅氧烷的制造方法为可减少末端甲醇改性有机硅氧烷的副反应物生成的有效率的制造方法。(A)：将(a)～(c)向管状反应器连续供给的工序，(a)由式(I)表示的有机氢硅氧烷(R1各自独立地表示碳原子数1～20的1价烃基，m为0～500的整数。)，(b)由式(II)表示的化合物R2‑Z‑OH(II)(R2表示乙烯基或烯丙基，Z表示2价烃基。)，(c)铂催化剂：相对于(a)～(c)成分的合计，以铂金属换算计，成为0.005质量ppm以上且不到1.0质量ppm的量；(B)：使(a)～(c)边在管状反应器内通过边进行氢化硅烷化反应的工序；(C)：将反应生成物取出的工序。
甲醇改性有机硅制造方法

[发明专利](甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体-CN202210757394.X在审
发明人： 后藤智幸;大泽芳人;森本行生 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明涉及(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，尤其涉及可成为海中防污涂料用聚合物的原料的(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体。本发明的目的在于，提供成为(甲基)丙烯酸系共聚物的原料的(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，所述(甲基)丙烯酸系共聚物能够形成防污性和表面平滑性优异的涂膜。式(b1)所示的(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，其在末端具有(甲基)丙烯酰基，且作为直链状聚硅氧烷骨架的支链而具有1~80个具有‑(CaH2aO)b‑所示的(聚)氧亚烷基骨架的基团；以及前述(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，其为防污涂料用聚合物的原料。
甲基丙烯酸改性硅酮大分子单体

[发明专利]聚醚改性硅氧烷、涂料添加剂、涂料组合物、涂层剂、涂层、及聚醚改性硅氧烷的制备方法-CN202080078914.3在审
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C08G81/00 文献下载
摘要：本发明为平均组成式(1)：(R3SiO1/2)a(R2R’SiO1/2)a’(R2SiO2/2)b(RR’SiO2/2)b’(RSiO3/2)c(SiO4/2)d所表示的聚醚改性硅氧烷。式(1)中，R为氢原子、羟基、碳原子数为1～18的一价烃基或碳原子数为1～10的烷氧基，R’为选自‑CqH2q‑O‑(C2H4O)e(C3H6O)f‑R1所表示的基团中的有机基团，R1为氢原子、碳原子数为1～30的烃基或R6‑(CO)‑所表示的有机基团，R6为碳原子数为1～30的烃基。由此，能够提供一种环境负荷小、赋予优异防污性能的新型的聚醚改性硅氧烷。
改性硅氧烷涂料添加剂组合涂层制备方法

[发明专利](甲基)丙烯酰氧改性硅氧烷化合物-CN201880021860.X有效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供具有具备良好的活性能量射线固化性的反应性基团、向涂料中添加时也不会随时间渗出、赋予涂料优异的流平性和消泡性的添加剂。解决手段是，式(a1)所示的(甲基)丙烯酰氧改性硅氧烷化合物，其任意地在末端具有特定个数的下述基团作为直链状聚硅氧烷骨架的支链，所述基团为在末端具有(甲基)丙烯酰基、具有‑(CaH2aO)b‑所示的(聚)氧亚烷基骨架的基团；和包含该(甲基)丙烯酰氧改性硅氧烷化合物的涂料添加剂。
甲基丙烯改性硅氧烷化合物

[发明专利]电源装置、系统及控制方法、电子黑板及计算机可读存储介质-CN202110366968.6在审
发明人： 后藤智幸 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F1/3206 文献下载
摘要：本发明涉及电源装置、系统及控制方法、电子黑板及计算机可读存储介质，维持根据人的操作而设定的节能模式。电源装置包括：电源部，其向信息处理装置供给电力；控制部，其根据所述信息处理装置的操作者的操作，进行转换到所述电力的消耗少的节能模式里的控制；第1判定部，其根据所述信息处理装置具有的对人进行检测的检测部的检测结果，判定是否解除所述节能模式，并输出第1判定结果；第2判定部，其判定是否满足与所述操作者的操作相关的条件即第1条件，并输出第2判定结果，和确定部，其基于所述第2判定结果，确定是否使得根据所述第1判定结果的所述节能模式的解除为有效。
电源装置系统控制方法电子黑板计算机可读存储介质

[发明专利]新型有机硅化合物及包含该有机硅化合物的化妆品-CN201780043126.9有效
发明人：赤羽绘美;后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C08G77/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机硅化合物，其特征在于，由下述式(1)表示且重均分子量为500～200000。由此，可提供能够供给以硅油及其他油剂为连续相的稳定的组合物(乳化物、粉体分散物等)的多元醇改性有机硅化合物。R1aR2bR3cR4dSiO(4‑a‑b‑c‑d)/2(1)式中，R1为有机基团，R2为‑Y‑O‑X表示的基团(Y表示可含有醚键及酯键中的至少一种的碳原子数为3～20的二价烃基，X表示具有至少两个羟基的多元醇取代烃基)，R3为式(4)表示的一价的支链型有机硅氧烷基，R4为式(5)或式(6)表示的一价的有机硅氧烷基。MoMRpDqDRrTsTRtQu(4)MMRDv1(5)MwDv1DRv2TRv3(6)。
新型有机硅化合物包含化妆品

[发明专利]硅酮化合物以及含有所述硅酮化合物的化妆材料-CN201611026744.6有效
发明人：赤羽绘美;后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C08G77/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种硅酮化合物，其对硅酮油具有优秀的乳化性能和乳化稳定性，并且即便历时仍可以确保高稳定性。为了实现上述目的，本发明提供一种硅酮化合物，其特征在于，由式(1)所表示，重量平均分子量为500～200000，R
新型硅酮化合物以及有所化妆材料

[发明专利]含自由基聚合性基团的硅氧烷化合物及其制造方法-CN201510667646.X有效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及含自由基聚合性基团的硅氧烷化合物及其制造方法。本发明课题的目的在于，提供在室温下为液体且处理性良好、具有良好的透氧性和反应性的含自由基聚合性基团的硅氧烷化合物及其制造方法。解决手段在于：本发明提供下述式（1）所示的硅氧烷化合物和该硅氧烷化合物的制造方法。[化1]
自由基聚合基团硅氧烷化合物及其制造方法

[发明专利]单官能性分支型有机硅氧烷化合物及其制造方法-CN201610880741.2有效
发明人：赤羽绘美;后藤智幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：一种单官能性分支型有机硅氧烷化合物及其制造方法，其具有分支结构，由下述通式(1)表示且为液状，M_a－1M^R_a－2D_b－1D^R_b－2T_c－1T^R_c－2Q_d－1 (1)，其中，M＝R¹₃SiO_0.5，M^R＝R¹₂R²SiO_0.5，D＝R¹₂SiO，D^R＝R²R¹SiO，T＝R¹SiO_1.5，T^R＝R²SiO_1.5，Q＝SiO₂，R¹选自碳数1～30的烷基等，R²选自氢原子等，a－1是1以上的整数，b－1及c－1分别是0以上的整数，a－2、b－2、c－2及d－1分别是0或1；c－1、c－2及d－1不能同时为0，a－2、b－2及c－2的和是1，b－1＝0时，a－1是2以上且c－1与d－1的和是1以上。
官能分支有机硅化合物及其制造方法

[发明专利](甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体-CN201880021887.9在审
发明人： 后藤智幸;大泽芳人;森本行生 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供成为(甲基)丙烯酸系共聚物的原料的(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，所述(甲基)丙烯酸系共聚物能够形成防污性和表面平滑性优异的涂膜。式(b1)所示的(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，其在末端具有(甲基)丙烯酰基，且作为直链状聚硅氧烷骨架的支链而具有1~80个具有‑(C_aH_2aO)_b‑所示的(聚)氧亚烷基骨架的基团；以及前述(甲基)丙烯酸类改性硅酮大分子单体，其为防污涂料用聚合物的原料。
硅酮大分子单体丙烯酸类改性丙烯酸系共聚物聚硅氧烷骨架表面平滑性丙烯酰基防污涂料氧亚烷基聚合物防污性直链状涂膜

[发明专利]半导体装置与分压电路-CN200910004958.7无效
发明人： 后藤智幸 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，包括：用于在半导体芯片上配置多个单位电阻的电阻布局区域，及形成在该电阻布局区域中、用于将加载在串联电路上的电压分压输出的分压电路。分压电路包括：设有第一电阻元件、第二电阻元件及一些微调电阻元件的串联而成的串联电路，及形成在电阻布局区域之外、分别并联到微调电阻元件的一些微调熔丝。在该电路中，由第一电阻元件，第二电阻元件，及在所有微调电阻元件中具有最高电阻值的最高微调电阻元件构成3个主要电阻元件，属于各主要电阻元件的单位电阻分成多个块，各块包括预定数量的单位电阻。形成多个组，各组包括3个主要电阻元件的各一个块，邻接配置，多个组配置在接近电阻布局区域中央部分的地方。
半导体装置压电

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