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[发明专利]换热器-CN201610330596.0有效
发明人：藤泽秀行;后藤一幸;远藤让治 -专利权人：株式会社能率
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： F28D7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种换热器。该换热器(A1)包括：壳体(2)，其用于容纳多根导热管(1)；一对集管部(H)，该一对集管部被设置成连接在多根导热管(1)的两端部，用于进水和排水；以及一对集管用壁部(30)，该一对集管用壁部通过使用相对于壳体(2)的侧板部(21)独立的辅助构件(3)形成，且通过将该一对集管用壁部(30)组装在侧板部(21)上而构成一对集管部(H)。一对集管用壁部(30)以彼此一体连接的状态形成。由此，能够谋求一对集管部(H)的形成作业的简化，能够降低换热器(A1)的制造成本。
换热器

[发明专利]换热器及其制造方法-CN201410708458.2有效
发明人：辻佑太;藤泽秀行;后藤一幸;吉田正人;篠崎吉伸 -专利权人：株式会社能率
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： F28D1/047 文献下载
摘要：本发明提供一种换热器及其制造方法。通过在设于换热器(HE)的壳体(2)的侧壁部(21)的鼓出部(22)的顶端壁部(22b)接合有多个导热管(1)的各个端部，并且在鼓出部上外套有集管(3)的开口边缘部(33)，从而形成了与各个导热管的内部连通的腔室(36)。作为将集管接合于侧壁部(21)的方法，采用了如下方法：将集管的开口边缘部(33)的内周面顶端部形成为截面凸状的第1曲面部(33a)，并且在鼓出部的周壁部(22b)的外表面上预先形成截面凹状的第2曲面部(23a)，在使该第1曲面部和第2曲面部(33a、23a)相互面接触的状态下对该部分及其周边区域实施焊接。据此，能够谋求元件个数的少数化、结构的简单化，能够降低换热器的制造成本。
换热器及其制造方法

[发明专利]换热器及其制造方法-CN201310450367.9在审
发明人：井口雅博;后藤一幸;藤泽秀行;山路启贵;辻佑太 -专利权人：株式会社能率
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： F28D1/047 文献下载
摘要：本发明提供一种换热器。该换热器（HE）包括：壳体（2），其用于在内部容纳多个导热管（1）；以及集管（3），其具有内部空洞状的主体部（30），该主体部（30）具有开口边缘部（33），在壳体的侧壁部（21）上形成有鼓出部（22），该鼓出部（22）具有：筒状的周壁部（22a），朝向壳体的外方鼓出；以及顶端壁部（22b），其用于封堵该周壁部的顶端部。各导热管的端部插入被设于鼓出部的顶端壁部的贯通孔（22c）而与顶端壁部相相接合，集管的开口边缘部外套于鼓出部的周壁部，从而在集管内形成有与各导热管的内部连通的腔室（36）。由此，能够谋求换热器的部件个数的少量化、结构的简单化，能够容易地以低成本制造换热器。
换热器及其制造方法

[其他]光电池-CN101985000003355在审
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号：文献下载
摘要：采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有Ｐ型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为２５－３００Ａ并具有可生成空穴的０．３ｅＶ以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为１００－１０００Ａ并有可生成空穴的０．３ｅＶ以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的Ｉ型第三半导体层、第三半导体层上Ｎ型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。
光电池

[发明专利]光电池-CN85103355.5无效
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有P型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为25-300A并具有可生成空穴的0.3eV以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为100-1000A并有可生成空穴的0.3eV以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的I型第三半导体层、第三半导体层上N型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。
光电池

[其他]光电池-CN85103355无效
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1986-11-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：采用本发明的光电池备有透光性的基板，其基板上有透光性的第1电极层，其第1电极上有P型的第1半导体层。第1半导体层上有厚度约25-300可生成空穴的0.3ev以下的活化能源。该光电池还备有在第1半导体层上P型的第2半导体层，它有厚度约100-1000可生成空穴的0.3ev以上的活化能源。此外，该电池上还有第2半导体层上的I型第3半导体层、第3半导体层上N型的第4半导体层和第4半导体层上的第2电极层。
光电池