专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多模射频放大装置-CN201210574731.8有效
  • 包剑文;叶君青;贾斌;冯景航;顾建忠 - QORVO美国公司
  • 2012-12-26 - 2018-02-06 - H03F3/189
  • 公开了多模射频(RF)放大装置及其操作方法。所述射频放大装置具有多个射频放大级,其级联耦合以提供对射频信号的放大;旁通路径;以及控制电路,其被配置来启用和禁用旁通路径。可根据第一射频通信标准或第二射频通信标准中的任一个,将射频信号格式化。当启用旁通路径时,射频信号旁通多个射频放大级中的一个或多个。响应于表示高功率模式或第一射频通信标准中的任一个的控制输入,控制电路禁用旁通路径。为了提供更高的功率效率,响应于表示低功率模式和第二射频通信标准二者的控制输入,控制电路启用旁通路径。
  • 射频放大装置
  • [发明专利]射频功率放大器中的小尺寸静电放电保护电路-CN201210183487.2有效
  • 郭耀辉;李阳;叶君青;彭振飞;马军;奕江涛 - 广州慧智微电子有限公司
  • 2012-06-06 - 2012-11-07 - H02H9/04
  • 本发明公开了一种用于射频功率放大器的小尺寸ESD(静电放电)保护电路。在功率放大器的放大管的基极(或栅极)和集电极(或漏级)之间连接一个或多个串联的二极管,串联二极管的P端连接在放大管的集电极(或漏级),二极管的N端连接放大管的基极(或栅极)。所述二极管与放大管的基极(或栅极)到发射极(或源极)之间的PN结共同构成了射频功率放大器的ESD保护电路。本发明通过在放大管的基极(或栅极)和集电极(或漏级)之间增加一个或多个二极管,利用放大管作为ESD电流泄放通路。与通常设计中的多个串联二极管的ESD保护电路相比,可以大大减小二极管的尺寸,减小了ESD电路的面积,并增强ESD保护电路的性能。该ESD保护结构可用于放大管类型为MOS(金属氧化物场效应管),Bipolar(双极型晶体管),SiGe HBT(锗硅异质结晶体管),GaAs HBT(砷化镓异质结晶体管)等不同类型的放大管。
  • 射频功率放大器中的尺寸静电放电保护电路

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