“史蒂芬·胡希”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制造多晶硅锭的工艺和设备-CN201180039246.4无效
发明人： 史蒂芬·胡希;欧雷三达·普若可盆科;拉佛·克鲁斯;克利斯天·后俄斯 -专利权人：山特森西特股份有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请案描述了一种用于制造多晶硅锭的工艺和设备。在所述工艺过程中，坩埚布置在工艺腔室中，其中，所述坩埚填充有固体硅材料或所述坩埚在所述工艺腔室中填充硅材料。所述坩埚相对于至少一个对角加热器定位成：相对于即将生成的所述硅锭，所述对角加热器向侧部偏移并且所述对角加热器大体位于即将生成的所述硅锭的上方。此后，所述坩埚中的固体硅材料被加热到所述硅材料的熔融温度以上，从而在所述坩埚中形成熔融硅，并且此后，所述坩埚中的所述硅材料被冷却到所述熔融硅的凝固温度以下，其中冷却阶段中所述硅材料的温度曲线至少部分地通过所述至少一个对角加热器来控制。所述设备包括工艺腔室、位于所述工艺腔室内部的坩埚固持器以及位于所述工艺腔室中的至少一个对角加热器。所述对角加热器相对于所述坩埚固持器横向地定位且大体垂直于所述坩埚固持器而延伸，并且在垂直方向上与所述坩埚固持器间隔一段距离，从而使得所述对角加热器在垂直方向上定位成大体位于即将形成于所述坩埚中的多晶硅锭的上方。当所述工艺腔室关闭时，所述对角加热器相对于所述坩埚固持器是静止的。
用于制造多晶工艺设备

[发明专利]用于生产多晶硅锭的方法和装置-CN201180037803.9无效
发明人： 史蒂芬·胡希;克利斯天·后俄斯 -专利权人：山特森西特股份有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在熔融坩埚中用于生产多晶硅锭的方法和装置，所述熔融坩埚设置于工艺室中并且填充有硅材料。所述硅材料在所述熔融坩埚中熔融以形成硅熔融物，并且随后冷却到硅的凝固温度以下。在一部分工艺过程中，位于所述工艺室中且具有贯穿式开口的板元件可设置于所述硅熔融物的上方，并且在所述熔融坩埚中冷却到所述硅熔融物的凝固温度以下；并且气流可至少部分经由所述板元件中的至少一个贯穿式开口引导到所述硅熔融物的表面上。或者，描述了一种方法以及一种由熔融坩埚和固定环组成的熔融坩埚布置。所述固定环可放置在填充有硅材料的熔融坩埚上或上方，使得额外的硅材料可收纳于所述固定环内，从而使所述额外的硅材料通过所述固定环而固定在所述熔融坩埚的上方。在对所述熔融坩埚中的所述硅材料以及所述固定环中的所述额外的硅材料进行加热的过程中，所述熔融坩埚中形成硅熔融物，并且所述硅熔融物随后冷却到所述硅的所述凝固温度以下。
用于生产多晶方法装置

1
共 2 条