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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单位增益缓冲电路结构-CN202210165302.9在审
发明人：李崑旭;苏文荣 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明提供一种单位增益缓冲电路结构包含一第一运算放大器与一第二运算放大器。第一运算放大器包含一第一正输入端、一第一负输入端与一第一输出端。第二运算放大器包含一第二正输入端、一第二负输入端与一第二输出端。第一正输入端接收一输入电压。第一输出端输出一输出电压。第二正输入端耦接第一输出端，用以接收输出电压。第二输出端耦接第一负输入端与第二负输入端，用以输出一第二输出电压。其中，在第一负输入端接收第二输出电压后，第一运算放大器所输出的输出电压与所接收的输入电压相减的一电压偏移值趋近于零，藉以达到具有低偏移的功效。
单位增益缓冲电路结构

[发明专利]高静电放电耐受力的静电保护元件布局结构-CN201810639569.0有效
发明人：谢协缙;林欣逸 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高静电放电耐受力的静电保护元件布局结构，包含有多个相互并联的NMOS晶体管，且该些并联的NMOS晶体管构成一隔离型NMOS多指型半导体布局结构；其中该隔离型NMOS多指型半导体布局结构的中间区域是掺杂高能量P型植入离子浓度的P型掺杂区域，使该中间区域的基板电阻减低；如此，即可使得该中间区域所对应的NMOS晶体管的总基板电阻减低，并减少其与两旁其中之一所对应的NMOS晶体管的基板电阻差，使得NMOS晶体管可被均匀导通，使提升NMOS晶体管的静电放电耐受力。
静电放电耐受保护元件布局结构

[发明专利]具低压基极触发静电电流放电电路的高压静电保护电路-CN201710541602.1有效
发明人：林欣逸;谢协缙 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种具低压基极触发静电电流放电电路的高压静电保护电路，包含一连接至一高压系统电源的静电检知电路与一堆叠式低压半导体元件电路，以及一连接于其间的开关电路；由于该堆叠式低压半导体元件电路由多个低压基板隔离型晶体管串接而成，故其加总后崩溃电压即可适用于高压系统电源；又令各低压基板隔离型晶体管的基极与该开关电路连接，而不与一基板连接，除可提高其耐压外，当该静电检知电路检知静电发生，会通过触发该开关电路，由该开关电路一并触发各低压基板隔离型晶体管导通，顺利排除静电电流。
低压基极触发静电电流放电电路高压保护

[发明专利]集成电路的输出级电路-CN201610239857.8有效
发明人：郑惟骏;毕文嘉;陈威宇 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路的输出级电路，包含二相串接的上开关单元及下开关单元，其串接节点为一输出端；该上开关单元包含二个对接的P型晶体管元件，该下开关单元包含有相互串接的二N型晶体管元件。该二串接的N型晶体管元件的自体二极管构成二个串接的反向二极管，以分担该涌浪测试电压；对接的二个P型晶体管元件的其中一个的自体二极管构成一顺向二极管，另一P型晶体管元件的自体二极管虽为反向二极管，惟其一端连接至高准位电压端，故只需承受该涌浪测试电压及高准位电压之间的电压差，故各该P型及N型晶体管元件的耐受电压小于一涌浪测试电压。
集成电路输出电路

[发明专利]电压准位移位电路-CN201610263674.X有效
发明人：郑惟骏;毕文嘉;陈威宇 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开一种电压准位移位电路，包含一操作于一第一系统电源的最高准位电压至第一低准位电压之间的电压箝位单元、一耦接于该电压箝位单元及该第一系统电源的第二低准位电压之间的单一功率开关晶体管，以及一通过一开关单元连接至单一功率开关晶体管栅极的限流电路；其中，该第一低准位电压高于该二低准位电压。当该单一功率开关晶体管不导通，输出电压会上拉至该第一系统电源的最高准位电压；当体导通时，该限流电路限制该单一功率开关晶体管的导通电流不超过一电流上限值，以确保该电压箝位单元不必设置另一个高耐受功率晶体管，而使输出电压箝住于该第一低准位电压。
电压移位电路

[发明专利]电压准位移位电路-CN201610264114.6有效
发明人：郑惟骏;毕文嘉;陈威宇 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开一种电压准位移位电路，包含一操作于一第一系统电源之最高准位电压至第一低准位电压之间的电压箝位单元、一耦接至该第一系统电源的第二低准位电压的限流电路，以及一耦接于该电压箝位单元及该限流电路的单一功率开关晶体管，该第一低准位电压高于该二低准位电压。当该单一功率开关晶体管不导通，输出电压会上拉至该第一系统电源的最高准位电压；当导通时，该限流电路限制该单一功率开关晶体管的导通电流不超过一电流上限值，确保该电压箝位单元不必设置另一个高耐受功率晶体管，而使输出电压箝住于该第一低准位电压。
电压移位电路

[发明专利]集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路-CN201811376717.0在审
发明人：林欣逸;谢协缙 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路，主动式静电放电保护电路包含一开关单元及一静电检知单元，该开关单元跨接于一电子熔丝元件上，且具有一控制端；该静电检知单元连接至该开关单元的控制端，以控制该开关单元的导通或不导通；当检知有静电发生时，即控制该开关单元立即触发导通以快速形成一静电电流宣泄路径，避免静电放电电流通过该电子熔丝元件，而烧断该电子熔丝元件。
集成电路及其电子元件主动静电放电保护电路

[发明专利]高压静电保护电路及其低压源极触发静电电流放电电路-CN201711115298.0有效
发明人：林欣逸;谢协缙 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压静电保护电路及其低压源极触发静电电流放电电路，该低压源极触发静电电流放电电路由多个低压基板隔离型晶体管串联而成，其串联后总击穿电压可适用于高压系统电源；各低压基板隔离型晶体管的源极与该高压静电保护电路的开关电路连接，而不与基板连接，以改善触发效率；各低压基板隔离型晶体管的漏极还与栅极的栅极绝缘层侧壁保持一定间隔，以提高静电放电耐压度；当静电发生时，该开关电路触发各低压基板隔离型晶体管导通，顺利排除静电电流。
高压静电保护电路及其低压触发电流放电

[发明专利]触控装置的省电扫描方法-CN201811223733.6在审
发明人：李崑旭 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：本发明提供一种触控装置的省电扫描方法，首先是利用一控制器将一计时器的正常模式扫描时间缩短至一省电模式扫描时间。接着利用计数器在省电模式扫描时间内计算振荡波形而获得一省电模式振荡次数。然后是利用控制器将省电模式振荡次数转换成一L‑n位数的M比特计数值，并将L‑n位数的M比特计数值往高位移动n位数，并将n个0补在低位而形成另一L位数的M比特计数值，据以产生一M比特振荡次数模拟值，藉以作为触控操作的判断依据。
装置扫描方法

[发明专利]波形下降点检测电路-CN201510357705.3有效
发明人：李習文 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01R23/165 文献下载
摘要：一种波形下降点检测电路，用以检测出在隔离型负载电路的开关关闭时，于辅助线圈的电压振荡波形的波形下降点与总振荡时间，波形下降点检测电路的滤波器滤波辅助线圈电压振荡波形传送至第一与第二比较器，第一与第二比较器比较出电压振荡波形达参考稳定电压与一设定电压之和的参考值时分别传送出一第一与第二信号。下降点检测模块在振荡时间内未接收到第二信号而收到第一信号，或未接收到第一信号而接收到第二信号时，记录出波形下降点，并触发时间记录器记录出总振荡时间。
波形下降检测电路

[发明专利]突波保护电路-CN201510495948.3有效
发明人：王士荣;向贵晟;毕文嘉 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开一种突波保护电路，包含有一电源输入端，一第一晶体管、一非门、一与门、一第一电位转换器、一基极控制单元及一电源输出端；本发明通过该非门及该与门构成的逻辑电路控制该基极控制单元，在没有突波电压时，该第一晶体管的基极电连接至该第一晶体管的漏极形成一顺向偏压的二极管，以将该电源输入端接收的电源电压直接传导至该电源输出端，或在有突波电压时，将该第一晶体管的基极电连接至该第一晶体管的源极形成一反向偏压的二极管，令该第一晶体管不导通避免突波电压传导至该电源输出端，即可保护该电源输出端电连接的内部电路不会被突波电压损毁。
保护电路

[发明专利]用于防水的触控系统-CN201710152609.4在审
发明人：李崑旭 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：一种用于防水的触控系统，触控系统中，电路板设有一开设有多个配置区域的导通板体。多个触控垫位于电路板而分别设置于该些配置区域，并与导通板体相隔绝。控制芯片中，多任务模块电性连接于该些触控垫。振荡控制模块依据一扫描时序轮流性地导通多任务模块与该些触控垫中的每一者，藉以利用工作电压产生每一对应于所轮到导通的触控垫的电压振荡波形，并将电压振荡波形传送至导通板体。当一含离子液体跨接导通板体与上述该些触控垫中之一者时，使导通板体与上述该些触控垫中之一者利用工作电压产生一电容效应，电压振荡波形消除电容效应。
触控垫导通板触控系统电压振荡电路板多任务模块电容效应工作电压配置区域导通防水振荡控制模块波形传送电性连接控制芯片离子液体扫描时序跨接体相轮流

[发明专利]依据电容充放电压切换开关的驱动电路-CN201510237013.5有效
发明人：陈贻圣 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种依据电容充放电压切换开关的驱动电路，用以在一连续导通模式(CCM)下驱动一负载电路，负载电路包含一负载电阻与一第一开关，上述的驱动电路中，第一电流输出模块电性连接于负载电阻，用以依据负载电阻电压输出一变电流。第二电流输出模块电性连接于第一开关与第一电流输出模块，并用以输出一定电流。第一电容电性连接于第二开关。第二开关电性连接于第一电容与第二开关。处理模块电性连接于第一电容、第二电容与第一开关与第二开关的栅极，用以依据变电流与定电流的大小、第一电容与第二电容的电压控制导通第一开关与第二开关中的一者。
依据电容电压切换开关驱动电路

[发明专利]静电放电保护电路及静电放电保护的深次微米半导体元件-CN201611199129.5在审
发明人：林欣逸;谢协缙 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路及其静电放电保护的深次微米半导体元件，该深次微米半导体元件的一漏极所对应的浓掺杂区与其相邻的淡掺杂区交界处向外推开，使其交界处与最近的一栅极绝缘层侧壁保持一间隔，而不与栅极绝缘层侧壁切齐；如此，深次微米半导体元件的漏极与源极不因深次微米工艺的较小布局规则而过近，有效提升深次微米元件的静电放电耐受力。
半导体元件静电放电保护电路静电放电保护栅极绝缘层掺杂区交界处侧壁漏极次微米工艺次微米元件布局规则静电放电耐受力切齐源极推开

[发明专利]集成电路及其具自我静电保护的输出缓冲器布局结构-CN201610512664.5在审
发明人：林硕彦;林欣逸 -专利权人： 台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路及其具自我静电保护的输出缓冲器布局结构，该集成电路包含多个输出缓冲器，各该输出缓冲器包含有一标准金氧半(metal－oxide－semiconductor；MOS)元件区域及一静电防护增强型MOS元件区域；其中，在该静电防护增强型MOS元件区域中的各MOS元件，其源极杂质掺杂区距近其栅极区的一侧与该栅极区的相对一侧保持一间隙，使该MOS元件中源极区的串联杂散电阻提高，让静电电流自MOS元件更底层的路径宣泄，以加强其静电防护能力。
集成电路及其自我静电保护输出缓冲器布局结构

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