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[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202310458248.1在审
发明人： 古立亮;罗清威 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材具有相对的功能器件面和背面；从半导体基材的功能器件面向半导体基材开设第一深沟槽，并在第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区；其中，隔离区用于隔离所述半导体基材中的器件区；从半导体基材的背面向半导体基材开设第二深沟槽，并在第二深沟槽中填充第二隔离层以形成深沟槽隔离结构；其中，第二深沟槽处于第一深沟槽在半导体基材的背面上的投影区域中；即本申请能有效加深深沟槽隔离的深度，且降低暗计数，提高半导体器件的性能。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202221945921.1有效
发明人： 古立亮 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件，包括基底层、缓冲层和修复层，基底层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置多个第一凹槽；缓冲层设置于第一表面上，且覆盖第一凹槽，并形成第二凹槽；修复层设置于缓冲层背离基底层一侧，且至少部分所述修复层填充于所述第二凹槽中，所述修复层用于修复所述第一凹槽所在位置处所述基底层表面的缺陷。本申请的半导体器件可以减小基底层的暗电流，提高量子效率。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210126177.0在审
发明人： 古立亮;杨帆;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明基底的基准方向平行于第一晶向或第二晶向，图形化的掩模层沿第一晶向分布；对于notch不同晶向的基底，通过图形化的掩模层匹配设计，利用所述图形化的掩模层作为掩模对所述基底的表面进行湿法刻蚀工艺相结合，形成多个沟槽，在垂直于所述基底的截面上，所述沟槽的截面宽度从所述基底表面到所述基底内部逐渐减小，提高了半导体器件对光的吸收和转化效率。本发明可进一步缩小关键尺寸(CD)，增加了设计的自由度。湿法刻蚀形成多个沟槽，避免了干法刻蚀损伤沟槽侧壁导致的暗电流增加，有效地改善暗电流。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111439561.8在审
发明人：吴恙;杨帆;胡胜;古立亮;杨道虹 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，半导体器件的制作方法包括：提供基底并在所述基底上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖在所述第一掩膜层上；以所述第二掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第一掩膜层，所述第一掩膜层具有图案化的第一开口；去除所述第二掩膜层，以图案化的所述第一掩膜层作为掩膜湿法刻蚀所述基底，以在所述基底上形成多个沟槽，所述沟槽从所述基底表面开口延伸至所述基底内部，所述多个沟槽在垂直于所述基底的截面上的截面宽度从所述基底表面到所述基底内部逐渐减小。本发明提供的半导体器件及其制作方法既能增加沟槽设计的自由度，又能改善量子吸收效率。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种梯级孔HZSM-5分子筛及其制备方法-CN201710957871.6有效
发明人：岳源源;康颖;古立亮;鲍晓军;庞新梅 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;福州大学
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种梯级孔HZSM‑5分子筛及其制备方法。该制备方法以天然黏土矿物为原料，无模板剂合成微孔NaZSM‑5分子筛，以晶化母液对微孔NaZSM‑5分子筛进行碱处理制备梯级孔NaZSM‑5分子筛，以酸液对梯级孔NaZSM‑5分子筛进行酸交换得到梯级孔HZSM‑5分子筛。本发明还提供了由上述制备方法得到的梯级孔HZSM‑5分子筛。本发明的制备方法不需要使用任何模板剂，碱处理过程无需外加碱源，且整个过程无碱液或酸液排放，不仅大幅降低了分子筛的生产成本，而且极大提高了制备过程的绿色性，制备的HZSM‑5分子筛具有丰富的微‑介孔复合的梯级孔道结构。
一种梯级 hzsm 分子筛及其制备方法

[发明专利]一种绿色合成ZSM-5分子筛的方法-CN201610500555.1有效
发明人：岳源源;古立亮;鲍晓军 -专利权人：福州大学
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：本发明属于分子筛合成领域，涉及一种绿色合成ZSM‑5分子筛的方法。该方法是以低硅铝比和高硅铝比的天然矿物作为合成分子筛所需的全部硅源和铝源，对低硅铝比矿物采用亚熔盐介质进行活化，对高硅铝比矿物则采用高温焙烧活化；将活化后的两种矿物、碱、晶种和水按一定的比例混合，无需添加任何模板剂，于水热条件下进行晶化反应得到产物ZSM‑5分子筛。通过调节合成原料中两种矿物的比例，可以调节产物分子筛的硅铝比。本发明的特点是不需要补加化学硅铝源，且不使用模板剂，不仅扩展了分子筛材料制备的原料范围，而且大幅降低分子筛的生产成本，显著地提高了分子筛材料生产过程的绿色性，具有较好的工业应用前景。
一种绿色合成 zsm 分子筛方法