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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示装置及有源矩阵基板的制造方法-CN202211520868.5在审
发明人：齐藤裕一;古川博章;蜂谷笃史;松木园广志 -专利权人：夏普显示科技株式会社
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种有源矩阵基板，其抑制了由水分等杂质引起的氧化物半导体TFT的特性变动。有源矩阵基板具备：基板；像素TFT，其支撑于基板，与多个像素区域中的每个像素区域对应地设置，具有氧化物半导体层；有机绝缘层，其配置在像素TFT的至少氧化物半导体层的上方；以及无机绝缘层，其与有机绝缘层的上表面接触地配置在有机绝缘层上，在有机绝缘层和无机绝缘层，设置有多个两层孔结构部，各两层孔结构部包含：贯通孔，其设置于无机绝缘层；以及有底孔，其设置于有机绝缘层，并且位于贯通孔的下方，在从基板的法线方向观看时，贯通孔与有底孔的外缘相比位于内侧。
有源矩阵液晶显示装置制造方法

[发明专利]有源矩阵基板和多路分配电路-CN201910156705.5有效
发明人：齐藤裕一;古川博章;青木智久;蜂谷笃史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。
有源矩阵分配电路

[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法-CN202080101372.7在审
发明人：青木智久;蜂谷笃史;齐藤裕一;古川博章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。
显示装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201480023469.5有效
发明人： 古川博章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置(100T、100B)具备基板(30)；第1金属层(10)，其被基板(30)支撑，包含多条第1配线(12)；绝缘层(70)，其形成于第1金属层(10)上；第2金属层(20)，其形成于绝缘层(70)上，包含多条第2配线(22)；绝缘性保护层(80)，其覆盖多条第2配线(22)各自的一部分；以及导电层(90)，其形成于绝缘性保护层(80)上。在包含形成有绝缘性保护层(80)的第1区域(R1)与没有形成绝缘性保护层(80)的第2区域(R2)之间的边界的截面中，绝缘层(70)的绝缘性保护层(80)侧的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶。
半导体装置制造方法

[发明专利]基板装置及其制造方法-CN201380053007.3有效
发明人： 古川博章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：即使是在数据配线间产生了导电性膜残余物的情况下，也能可靠地切断电流泄漏路径。TFT面板(100)的层间绝缘膜(6)在与绝缘性保护膜(8)的图案边缘(81)相应的位置具备层间绝缘膜开口部(61)。
装置及其制造方法

[发明专利]半导体层及其形成方法-CN200980146111.0无效
发明人： 古川博章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体层(100)具备上表面(100o)、下表面(100u)以及侧面(100s)。在侧面(100s)中的侧面(100s)与上表面(100o)的边界附近部分，其切线(T1)相对于下表面(100u)的法线倾斜。在侧面(100s)中的比边界附近部分远离上表面(100o)的某部分，其切线(T2)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度比边界附近部分的切线(T1)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度大。
半导体及其形成方法

[发明专利]测量大应变的应变计-CN200710096310.8有效
发明人：杉本武士;古川博章;内野康弘 -专利权人：株式会社共和电业
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可精确测量应变的应变计，其测量范围从小应变到超过20％的大应变，范围很大，且几乎不会引起费用及尺寸的增加。该种测量大应变的应变计，其基座11上附有金属箔模板，金属箔模板由应变计元件模板12、应变计组合件模板13a、13b及连接用模板15a、15b组成。此金属箔模板被附设在基座上，连接有应变计引线14a、14b顶端部分的应变计基座11的表面几乎全部被片状膜17所包覆，片状膜17的顶端部分被延长至规定长度，多出应变计基座11的顶端边缘11a，形成超出部分17a。此超出部分17a拥有防止应变计基座11从被测量物体19脱落的功能。
测量应变

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