“厦门市三安集成电路有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果408个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]射频信号导出结构及射频检测器-CN202310786747.3在审
发明人：万亮;刘胜厚;孙希国 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及电路检测技术领域，特别涉及一种射频信号导出结构及射频检测器。其中，一种射频信号导出结构，包括基板，具有相对的第一表面及第二表面；信号接触单元，设置于基板的第一表面；同轴连接器，设置于基板的一端；其中，第一表面设有1个第一导电层及至少1个第二导电层；信号接触单元设置于第一导电层及第二导电层表面；信号接触单元通过第一导电层将信号传输至同轴连接器。本申请提供的射频信号导出结构，通过采用基板，能够在保证信号正常传输的情况下，使得射频信号导出结构整体能够承受较大的机械应力，有效避免射频信号导出结构出现由于应力作用导致的损坏。
射频信号导出结构检测器

[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法-CN202111538504.5有效
发明人：刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。
具有接触电阻率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件及制作方法-CN202310790597.3在审
发明人：宋文杰;谷鹏;刘胜厚 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基HEMT器件及制作方法，其是在外延生长未激活的Mg掺杂氮化物层后，采用电子束对预设栅极区域的Mg掺杂氮化物层进行轰击，通过改变电子束加速电压和电子束发射电流控制Mg掺杂氮化物层厚度方向上不同区域的Mg激活浓度，使Mg激活浓度向背离势垒层方向的变化趋势为降低，形成激活的P型氮化物区，从而降低栅极漏电，增强肖特基栅的耐压能力，提升器件可靠性。本发明的方法避免了小尺寸的P型氮化物干法蚀刻工艺，加工精度高。
一种氮化 hemt 器件制作方法

[发明专利]一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法-CN202210485645.3有效
发明人：蔡文必;陈宁利 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块的制作方法，是在硅基基板上涂覆高折射率透明光刻胶，对透明光刻胶采用曝光、显影工艺形成过渡结构和固定结构，将激光器通过固定结构黏附固定于硅基基板上，并使其出光端口与过渡结构的端口对准，然后对透明光刻胶进行固化。本发明采用聚合物材料作为过渡器件，可以将激光器和硅基光传输模块的设计相互独立，且在起到形成光传输结构的同时又可以依靠其黏性起到固定激光器位置的作用，拓展了激光器和硅基光传输模块的应用范围，降低了工艺成本。
一种具有聚合物过渡结构混合传输模块及其制作方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202310696044.1在审
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]激光器及其制备方法-CN202310784718.3在审
发明人：蔡晓明;刘超 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本申请涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器，包括由下而上依次堆叠的第一外延层、光栅制作层、掩埋层、链接层、势垒渐变层及欧姆接触层；其中，光栅制作层位于掩埋层内部；链接层包括第一链接层及第二链接层，第二链接层位于第一链接层与掩埋层之间；第一链接层的折射率小于第二链接层的折射率。本申请提供的激光器，通过设置第一链接层与第二链接层，增强脊的折射率，使得脊与两边空气的折射率差变大，在横向上可以更好的限制光场，缩小光场体积，可以有效提升带宽，减小阈值电流。
激光器及其制备方法

[发明专利]功率器件-CN202310823581.8在审
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；金属电极层具有背离宽带隙漂移层的顶面和面向终端区的第一侧壁；设置于金属电极层的第一侧壁上的第一材料层；以及，覆盖第一材料层的钝化层，第一材料层将金属电极层与钝化层完全隔开。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
发明人：蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容，高吸收效率以及高响应速度。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202110719527.X有效
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种高线性度GaN晶体管及制备方法-CN202310323531.3在审
发明人：王晶晶;谭杰利;钟杰斌 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种高线性度GaN晶体管，包括衬底，以及设于衬底上的HEMT外延层、源电极、漏电极和环形栅电极；HEMT外延层包括外延源区、外延漏区和若干鳍部，若干鳍部位于外延源区和外延漏区之间，且两端分别与外延源区和外延漏区连接；源电极和漏电极分别设于外延源区和外延漏区上；环形栅电极沿横跨若干鳍部的第一方向延伸，并包覆鳍部的上、下表面及两侧面。本发明基于鳍式场效应晶体管结构，环形栅电极从上、下以及两侧四个方向包裹鳍部，增强了栅控制性能，进而保持器件的高线性度，提升器件的性能和稳定性。
一种线性 gan 晶体管制备方法

[发明专利]一种氮化镓器件栅极驱动电路-CN202010918635.5有效
发明人：卢益锋;林志东;刘胜厚;蔡仙清;候艺伟 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓器件栅极驱动电路，包含第一补偿支路A、第二补偿支路B、高速开关U1；所述高速开关U1为二选一开关，包含常开端NO、常闭端NC、公共端COM、输入控制端IN；所述第一补偿支路A包含可调电阻RP、第一电阻R1；所述第二补偿支路B包含第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、三极管U3；所述高速开关U1的常闭端NC连接至第一负电压，所述高速开关U1的公共端COM作为氮化镓器件栅极驱动电路的输出端Vg。本发明氮化镓器件栅极驱动电路，提高氮化镓射频功率放大器的栅极偏置带载能力；其次，本发明氮化镓器件栅极驱动电路的电器元件较少，电路具备小型化，非常方便安装在复杂的电路中，改善了氮化镓静态电流随温度变化的特性。
一种氮化器件栅极驱动电路

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110725060.X有效
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；设置于金属电极层上的第一材料层；以及，全部或部分覆盖第一材料层并向终端区延伸的钝化层，第一材料层将钝化层与金属电极层完全或部分的隔开；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202310331152.9在审
发明人：姜驰;王磊;范纲维;曾评伟 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底以及依次层叠于衬底上的底部DBR层、多量子阱层和顶部DBR层，在顶部DBR层背离多量子阱层的一侧设置具有出光孔的接触金属，在接触金属上设置有覆盖接触金属和出光孔的MXene薄膜，通过在顶部DBR的接触金属上设置覆盖接触金属和出光孔的MXene薄膜，并且MXene薄膜为Ti2CTx薄膜，以便利用Ti2CTx薄膜的高透明度和高导电性，不仅在器件的接触金属覆盖区域能够形成电场，还能够在器件的出光孔也覆盖电场，使得该区域电流流通，由此，使得器件的电场分布较为均匀，能够匀化电流导向，优化光形，使得器件发光所形成的光斑较为均匀。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]氮化物器件及其制备方法-CN202110984217.0有效
发明人：蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 -专利权人： 厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。
氮化物器件及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 408 条