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[实用新型]半导体发光元件-CN202321330710.1有效
发明人：高默然;丘金金;董雪振;李森林 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括蓝光量子阱层、红光量子阱层和绿光量子阱层，红光量子阱层位于绿光量子阱层靠近第一型导电层的一侧，蓝光量子阱层位于红光量子阱层和绿光量子阱层的两侧。本实用新型中的多量子阱层具有绿光量子阱层、红光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生三种发光波长的光，以形成混合白光，相对于激发荧光粉产生的混合白光发光效率更高，相对于采用三种光色LED制造的白光成本更低。
半导体发光元件

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310958120.1在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管从下至上依次包括：衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第二缓冲层为第二AlGaN层，第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配，缓解应力，改善发光二极管的晶体质量和出光方向，进而提高发光二极管的出光效率和发光亮度。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202110651719.1有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;李东昇 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
深紫 led 芯片及其制造方法

[实用新型]半导体发光元件-CN202321330736.6有效
发明人：高默然;丘金金;董雪振;李森林 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括黄光量子阱层和蓝光量子阱层，且黄光量子阱层位于蓝光量子阱层中间。本实用新型中的多量子阱层具有黄光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生两种发光波长，以形成混合白光，相对于蓝光激发荧光粉产生的混合白光，发光效率得到了提高。
半导体发光元件

[实用新型]垂直反极性半导体发光元件-CN202321370593.1有效
发明人：李森林;毕京锋;高默然;董雪振;丘金金 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直反极性半导体发光元件，包括从下至上依次堆叠的p型焊盘层、DBR层、p型半导体层、电子阻挡层、多量子阱层、n型半导体层、欧姆接触层、反射镜层、反射镜粘附层、金属粘附层以及n型焊盘层，反射镜粘附层位于反射镜层上并覆盖反射镜层的侧壁。本实用新型通过设置反射镜层能够提高在大电流情况下的半导体发光元件的发光强度和发光效率，同时通过反射镜粘附层的设置能够增加欧姆接触层与反射镜层之间的粘附性，进而能够增加半导体发光元件的可靠性。
垂直极性半导体发光元件

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202310895283.X在审
发明人：赖玉财;李森林;毕京锋;廖寅生;薛龙;王亚宏;董雪振 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构从下至上依次包括位于衬底上的第一分布式布拉格反射镜层、第二分布式布拉格反射镜层、第一半导体层、有源层以及第二半导体层，第一分布式布拉格反射镜层为第一预设周期数的第一AlAs层、第一AlGaAsP层和第二AlGaAsP层交替排列的周期性结构；第二分布式布拉格反射镜层为第二预设周期数的第二AlAs层和AlGaAs层交替排列的周期性结构，以提高第一分布式布拉格反射镜层的晶格匹配度，提高晶体质量，减少反射过程中的光吸收；复合分布式布拉格反射镜结构可以降低发光二极管的外延结构的高翘曲度，从而提高分布式布拉格反射镜结构的反射率，达到提高发光二极管亮度的效果。
一种发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310784647.7在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;王亚宏;薛龙;廖寅生;赖玉财 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其中发光层为垒层和阱层交替生长形成的周期性结构，每个周期中的所述阱层均包括从下至上依次堆叠的InbGa1‑bN阱层、IncGa1‑cN阱层和GaN阱层，且bc。本发明通过阱层设计可以提高LED的发光效率和亮度。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法-CN202310676306.8在审
发明人：廖寅生;李森林;毕京锋;王亚宏;薛龙;赖玉财;董雪振;丘金金 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法，隧穿结由下至上依次包括第一掺杂层、渐变掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和渐变掺杂层均掺杂有相同类型的掺杂剂，所述第一掺杂层和第二掺杂层掺杂有不同类型的掺杂剂，所述渐变掺杂层中包含有P组分和As组分，且所述渐变掺杂层为P组分和As组分的渐变层，且所述P组分与As组分的变化趋势相反，通过所述渐变掺杂层中的As和P由下至上的渐变，实现了As和P的有效切换，有效改善界面质量和晶体生长质量，减小串联电阻，降低工作电压，从而提升光电转换效率。
隧穿结制备方法红外 led 外延结构

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202111095129.1有效
发明人：薛龙;李森林;杨美佳;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、第一型限制层以及第一型波导层，且所述第一型窗口层为Al组分渐变的结构层。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED的出光效率以及降低LED的工作电压。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202210101403.X有效
发明人：薛龙;李森林;毕京锋;谢岚驰 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、中间层、第一型限制层以及第一型波导层，所述中间层为超晶格结构，且所述中间层包括n组组合层，每一组所述组合层包括依次层叠的高掺杂层、渐变掺杂层以及低掺杂层。本发明通过在第一型窗口层和第一型限制层之间插入超晶格结构的中间层，能够提高晶体质量，提高LED的发光效率和亮度，同时还能降低LED的工作电压。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构-CN202110717833.X有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;石时曼;金全鑫 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构，该制造方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延结构，外延结构具有第一表面与第二表面，第二表面与蓝宝石衬底相连；将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，部分蓝宝石衬底在相邻的外延单元之间暴露；在相邻的外延单元之间暴露的蓝宝石衬底上形成粘附层；将第二衬底键合固定在外延结构的第一表面上方；激光剥离蓝宝石衬底；以及去除粘附层。该制造方法通过将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，从而改善了由于高能量密度激光剥离瞬间产生的强烈冲击对外延结构造成严重损伤的问题。
垂直结构深紫 led 芯片制造方法外延

[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202110651582.X有效
发明人：郭茂峰;石时曼;金全鑫;赵进超;李士涛;毕京锋;范伟宏 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构，位于衬底上，从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层，位于P型半导体层上，其中，金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层，从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。
深紫 led 芯片及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制备方法-CN202310776598.2在审
发明人：丘金金;李森林;高默然;董雪振;廖寅生 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包括由下至上依次堆叠的衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，所述n型半导体层包括由下至上依次堆叠的第一限制层、第一缓冲层、电极接触层、第二缓冲层与第二限制层，其中，所述第一限制层与所述第二限制层均包括多层高掺杂层与多层低掺杂层，所述高掺杂层的掺杂浓度大于所述低掺杂层的掺杂浓度，所述高掺杂层与所述低掺杂层交替层叠设置。所述第一限制层与所述第二限制层均包括依次层叠设置的高掺杂层与低掺杂层，从而形成多个电容结构，使电流在n型半导体层中进行多次横向扩展，改善电流的横向扩展能力，避免电流拥挤，提高半导体发光元件的发光效率。
半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种高压倒装发光二极管及其制备方法-CN202310579219.0在审
发明人：张子祥;李士涛;边福强;余思贤;李森林 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种高压倒装发光二极管及其制备方法，高压倒装发光二极管通过所述金属电极将所述第一侧壁的第二半导体层和第二侧壁的第一半导体层电连接，使得仅需要一个第一电极(即一个开孔)就可以实现高压倒装发光二极管的导通，减少了开孔的数量，从而减少了开孔所占发光单元的发光面积，提高了高压倒装发光二极管的光效；通过平坦化处理使得第一电极、金属电极、电流扩展层以及反射镜结构的上表面齐平，降低了第二介质层断裂的风险，提高了高压倒装发光二极管的可靠性。
一种高压倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]红光LED外延结构及其制备方法-CN202310579586.0在审
发明人：王亚宏;李森林;薛龙;廖寅生;赖玉财;董雪振 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种红光LED外延结构及其制备方法，所述红光LED外延结构从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、p型空穴注入层以及p型半导体层，其中，所述p型空穴注入层包括依次堆叠的低温超晶格层和梯度升温组分渐变层，所述梯度升温组分渐变层的生长温度大于所述低温超晶格层的生长温度。本发明通过低温超晶格层和梯度升温组分渐变层的设置能够有效提高空穴的电流扩展能力、提高载流子复合效率和红光LED外延结构的晶体质量，进而提高红光LED的发光效率。
红光 led 外延结构及其制备方法

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