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[发明专利]Fe－Al金属间化合物增强铝基复合材料制备工艺-CN200410018287.7无效
发明人：张亦杰;王浩伟;马乃恒;厉松春 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：一种Fe－Al金属间化合物增强铝基复合材料制备工艺，用于金属材料领域。本发明在助熔剂覆盖下采用简单机械搅拌进行熔炼，工艺步骤：加入铝锭熔化后以助熔剂覆盖；到达熔炼温度后加入烘干的工业纯铁并保温搅拌；扒除表面渣精练后将熔体浇入模具，即获得金属间化合物增强铝基复合材料。本发明采用助熔剂在较低温度下制备原位自生铝基复合材料，可大大减少铝熔体的氧化，降低生成有害氧化夹杂物及熔体吸气的机率，提高了熔体质量；利用简单机械搅拌可使原位生成的金属间化合物有效均匀地分散在铝熔体中，制备出颗粒分布均匀的铝基复合材料，其室温及高温力学性能均得到了提高。本发明工艺制备的铝基复合材料流动性好，适于各种铸造方法。
fe al 金属化合物增强复合材料制备工艺

[发明专利]氮化硼/铝基复合材料制备工艺-CN200410017192.3无效
发明人：张亦杰;王浩伟;马乃恒;厉松春 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-03-25 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：一种氮化硼/铝基复合材料制备工艺，用于金属材料领域。本发明在惰性气体保护下采用电磁搅拌进行熔炼，工艺步骤：将经表面处理后的BN粉与铝粉混匀、烘干；加入基体合金全部熔化后即加入混匀后的粉末，开始电磁搅拌；加入Mg，静置后将熔体浇入锭模，即获得氮化硼增强铝基复合材料。本发明工艺在惰性气体保护下采用电磁搅拌进行熔炼可大大减少铝熔体的氧化，降低生成有害氧化夹杂物及熔体吸气的机率，提高熔体质量；利用电磁搅拌可提高搅拌效率，使BN颗粒有效均匀地分散在铝熔体中，制备出颗粒分布均匀的复合材料。
氮化复合材料制备工艺

[发明专利]铝铜合金阳极氧化厚膜制备工艺-CN200410016860.0无效
发明人：王慧;王浩伟;厉松春;马乃恒 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C25D11/10 文献下载
摘要：一种高铜铝合金阳极氧化厚膜制备工艺，用于铝合金表面防护装饰技术领域。采用低浓度复合电解液，分阶段升压使之保持较大电流密度，铝铜合金表面短时间内迅速形成较厚的膜层，随后电流密度逐渐下降，膜层生长速度减缓，最终达到一稳定厚度，生成具有银白釉色光泽的阳极氧化厚膜。阳极氧化液磷酸的浓度0.5％～1％，添加的有机酸是草酸或柠檬酸，其浓度0.1％～0.5％，添加的稀土盐是硫酸铈或硫酸镧，浓度0.05％～0.2％；在60g/L，70℃NaOH碱性液中清洗3min除去试样的油脂；阳极氧化阴、阳极表面积比控制在2∶1～1∶2之间，阴极采用的是铅板；将试样放在干燥箱中在120℃下干燥30min。本发明突破了只能在低温、高浓度电解液下进行的限制，缩短了氧化时间，膜层装饰性好。
铜合金阳极氧化制备工艺

[发明专利]制备原位颗粒增强镁基复合材料的工艺-CN200410016426.2无效
发明人：张修庆;王浩伟;马乃恒;滕新营;厉松春 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种制备原位颗粒增强镁－铝基复合材料工艺，属于材料领域。本发明首先根据基体和增强相之间的润湿性选择增强相，用混合盐法制备颗粒重量百分比为10～30％的铝－镁基复合材料母体，然后进行镁基体材料的熔炼，再选取熔体温度，将铝－镁基复合材料母体加入镁熔体中，进行搅拌，最后将熔体静置后浇注，铸造成型。本发明利用混合盐法制备铝－镁基复合材料母体，辅以搅拌，进行铝－镁基复合材料母体的重熔稀释，制备出增强相颗粒细小，分布均匀，界面结合良好，而且具有良好的力学、物理性能的镁基复合材料，为制备镁基复合材料开辟了一条新的途径，为镁基复合材料的在工业领域的广泛应用打下了良好的基础。
制备原位颗粒增强复合材料工艺

[发明专利]TiC/AI高阻尼复合材料及其制备工艺-CN200310122740.4无效
发明人：王浩伟;厉松春;马乃恒;张亦杰;李险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：一种TiC/Al高阻尼复合材料及其制备工艺，属于材料领域。本发明复合材料的成分重量百分比组成为：Cu 4～5.3％，Ti 0.15～0.35％，Mn 0.3～1％，Cd 0～0.25％，V 0～0.3％，Zr 0～0.2％，B 0～0.06％，其中TiC 0.1～20％，其余为Al。本发明工艺包括以下步骤：利用高温真空反应烧结法合成含TiC颗粒的高阻尼复合材料预制块；加入铝锭全部熔化后用覆盖剂覆盖熔体，并加入经烘干的高阻尼复合材料预制块；预制块全部熔化后进行搅拌；加入Cu、Ti、Mn或Cu、Ti、Mn、Cd或Cu、Ti、Mn、Cd、V、Zr、B调整化学成分，静置后浇入锭模，即获得原位自生TiC/Al高阻尼复合材料。本发明室温阻尼已达到高阻尼材料范畴，且其常温拉伸强度有了明显的提高，为进一步开发结构—功能材料奠定了良好的基础。
tic ai 阻尼复合材料及其制备工艺

[发明专利]混杂增强高阻尼铝基复合材料及其制备工艺-CN200310122741.9无效
发明人：王浩伟;马乃恒;李险峰;厉松春;张亦杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：一种混杂增强高阻尼铝基复合材料及其制备工艺，属于材料领域。本发明复合材料的成分重量百分比组成为：Si 0～1.3％，Mg 4.5～11％，Zn 0～1.5％，Mn 0～0.4％，Be0～0.1％，TiB₂0.1～20％，其中TiB₂1～10％，TiC 1～10％，其余为Al。该材料采用覆盖剂覆盖铝熔体并利用反应盐法和重熔稀释制备，步骤为：加入铝锭全部熔化后用覆盖剂覆盖熔体，并加入经烘干的含TiC颗粒的高阻尼复合材料预制块；铝熔体保温后加入经烘干的K₂TiF₆、KBF₄混和盐并搅拌；反应结束后舀出混和盐反应产物，加入Mg或Si、Mg、Al－Mn或Mg、Zn、Al－Be调整化学成分静置后浇入锭模，即获得混杂增强高阻尼铝基复合材料。本发明在增加复合材料的阻尼性能的同时又提高了复合材料的强度，并可直接应用于复杂零件的成型。
混杂增强阻尼复合材料及其制备工艺

[发明专利]超细晶粒细化剂预制块及其制备工艺-CN200310108739.6无效
发明人：王浩伟;厉松春;张亦杰;马乃恒;易宏展 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种超细晶粒细化剂预制块及其制备工艺，属于材料领域。本发明超细晶粒细化剂预制块成分及其重量百分比为Ti 20～50％，C 4.5～11％，其余为Al，其中Ti∶C比为4.5∶1；(1)按上述比例配好的Ti粉、C粉、Al粉在惰性气体保护下球磨混粉；(2)将混好的粉末冷压成粉料坯；(3)压制好的粉料坯在惰性气体保护下存放；(4)粉料坯经高温真空反应烧结后冷却，即得所需原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂预制块。本发明利用高温真空反应烧结法超细晶粒细化剂预制块，通过高温真空反应烧结工艺所得复合材料预制块致密度高，无热力学非稳定相的存在，反应生成TiC颗粒细小、表面洁净、与铝有良好的共格效应。
晶粒细化预制及其制备工艺

[发明专利]制备原位混杂增强铝基复合材料的方法-CN200310108261.7无效
发明人：李险峰;王浩伟;马乃恒;厉松春;于敞 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种制备原位混杂增强铝基复合材料的方法属于复合材料领域。本发明通过同时加入放热弥散法制备的高质量分数TiC/Al的复合材料母体和含有K₂TiF₆和KBF₄的混合反应盐，并加以快速搅拌工艺，控制反应盐配比、TiC/Al复合材料母体TiC的质量分数、搅拌速度、加入的反应温度及反应时间，制备出组织性能优良的TiB₂、TiC混杂增强的原位铝基复合材料，其中所述的含有K₂TiF₆和KBF₄的混合反应盐，K₂TiF₆∶KBF₄＝0.8∶1～1.2∶1。本发明制备了不同TiB₂、TiC混杂比的原位增强铝基复合材料，且组织性能优良，同时也为原位复合材料的制备进一步拓展应用提供了依据。
制备原位混杂增强复合材料方法

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