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[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210248065.2在审
发明人： 卢泉潓;谢铭峯;郭明誌;萧名雯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在制造半导体装置的方法中，形成多个底层结构，其包括多个栅极电极以及多个源极/漏极磊晶层于基板之上。一个或多个层形成于这些底层结构之上，且硬质遮罩层形成于一个或多个层之上。凹槽图案形成于硬质遮罩层之中，一个或多个第一抗蚀层形成于具有凹槽图案的硬质遮罩层之上，且第一光阻图案形成于一个或多个第一抗蚀层之上。通过以第一光阻图案作为蚀刻遮罩来图案化一个或多个第一抗蚀层，从而形成第一硬质遮罩图案。并且通过使用第一硬质遮罩图案来图案化具有凹槽图案的硬质遮罩层，从而形成第二硬质遮罩图案。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110083342.4在审
发明人：黄玉莲;卢泉潓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。一种方法，包括：形成在半导体衬底之上延伸的鳍；在鳍之上形成光致抗蚀剂结构；在光致抗蚀剂结构中图案化蛇形切口图案以形成切口掩模，其中，蛇形切口图案在鳍之上延伸，其中，蛇形切口图案包括交替的桥接区域和切口区域，其中，每个切口区域沿第一方向延伸，其中，每个桥接区域沿第二方向在相邻的切口区域之间延伸，其中，第二方向相对于第一方向的正交方向在30°之内；以及使用切口掩模作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。
半导体器件方法