专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种侧边入射光电探测器及其制备方法-CN202311120651.X在审
  • 卞剑涛;董自勇 - 江苏尚飞光电科技股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-27 - H01L31/18
  • 本发明提供一种侧边入射光电探测器及其制备方法,包括以下步骤:提供一第一导电类型衬底,于衬底下表层形成第一导电类型掺杂层;提供一支撑基底,将掺杂层与支撑基底键合以得到叠层结构,并于其上下表面分别形成第一介质层和第二介质层;于衬底中形成第二沟槽,于其侧壁形成第一导电类型钝化层,于第二沟槽环绕区域下方的支撑基底中形成第一沟槽,于其侧壁形成第一导电类型接触层;于第一介质层中形成接触孔,并依据接触孔形成第二导电类型第一掺杂区及第二导电类型浅第二掺杂区;于衬底上表面形成第一金属电极层,形成覆盖第二介质层及第一沟槽的第二金属电极层并划片。本发明减少了光电探测器高温制作工艺中的应力作用,降低了碎片风险。
  • 一种侧边入射光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种阻抗匹配电路及数模转换器-CN202310330694.4在审
  • 卞剑涛;汪明亮 - 江苏尚飞光电科技股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-06-13 - H03H11/30
  • 本发明提供一种阻抗匹配电路及数模转换器,第一开关模块的第一端接收第一信号,控制端接收反馈信号,第一开关模块基于反馈信号进行开启或关断;限流模块与第一开关模块的第二端连接,对阻抗匹配电路限流;第二开关模块连接于限流模块与参考地之间,用于对阻抗匹配电路提供基准;放大器采集并对比第一信号、第二信号、第三信号及第四信号,输出反馈信号,反馈信号使第一开关模块的阻抗与第二开关模块的阻抗匹配。通过对比第一信号、第二信号、第三信号及第四信号,从而产生反馈信号,使第一开关模块与第二开关模块实现阻抗匹配,实现阻抗匹配的自适应操作。结构简单,能够有效降低电路的复杂度,减小元器件面积。
  • 一种阻抗匹配电路数模转换器
  • [发明专利]一种背照式光电探测器及其阵列-CN202111552011.7在审
  • 卞剑涛;董自勇;汪斌;施鑫 - 江苏尚飞光电科技股份有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-03-25 - H01L31/0216
  • 本发明提供一种背照式光电探测器及其阵列,该背照式光电探测器包括第一导电类型衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区及凹槽结构,第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区均位于衬底的上表层并在水平方向上间隔设置,凹槽结构自衬底的下表面开口,并往衬底的上表面方向延伸,凹槽结构的底面在水平面上的垂直投影与第二导电类型掺杂区在水平面上的垂直投影有重叠部分,凹槽结构的底面在水平面上的垂直投影与第一导电类型掺杂区在水平面上的垂直投影没有重叠部分。本发明的背照式光电探测器中,凹槽结构所在区域的衬底厚度较薄,而其余位置衬底厚度较厚,可以在降低串扰的同时,保证器件结构的机械强度,减少碎片的概率。
  • 一种背照式光电探测器及其阵列
  • [发明专利]一种雪崩光电二极管阵列探测器-CN202111388032.X在审
  • 卞剑涛;胡海帆;盛振 - 江苏尚飞光电科技股份有限公司
  • 2021-11-22 - 2022-03-04 - H01L31/02
  • 本发明提供一种雪崩光电二极管阵列探测器,包括第一导电类型衬底层、PN结、隔离结构、至少一阳极引出端及阴极引出端,其中,第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底层上,PN结位于第一导电类型半导体层中,且PN结在水平面上的投影具有间隔区域;隔离结构位于第一导电类型半导体层中,并位于PN结间隔区域,且隔离结构不与PN结接触。本发明中,单像素的PN结在水平面上的投影具有间隔区域,这样单像素的PN结宽度总和减少,由于整个PN结区域及PN结之间的区域都可以吸收入射光子,且由于重掺杂的第二导电类型掺杂层的减少会提高部分短波长光子的吸收,所以不会影响雪崩光电二极管的光子探测效率,且同时降低了单像素的暗电流或暗计数率。
  • 一种雪崩光电二极管阵列探测器
  • [发明专利]一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器-CN202111301438.X在审
  • 卞剑涛;胡海帆;盛振 - 江苏尚飞光电科技股份有限公司
  • 2021-11-04 - 2022-02-15 - H01L31/0336
  • 本发明提供一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器,包括基板层、第一宽禁带半导体层、第二宽禁带半导体层、缓冲层、硅基材料层、第一阴极引出端、阳极引出端及第二阴极引出端,其中,第一宽禁带半导体层位于基板层上;第二宽禁带半导体层与缓冲层位于第一宽禁带半导体层上且间隔设置;硅基材料层位于缓冲层上;第一阴极引出端位于第二宽禁带半导体层上;阳极引出端与第二阴极引出端位于硅基材料层上。本发明的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器是基于硅基和化合物半导体材料集成,可以实现该探测器对380nm以上波段光子的有效抑制,保证了较高的光子探测效率,并改善了制作日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器时的工艺可靠性。
  • 一种紫外线雪崩光电二极管阵列探测器

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