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[发明专利]外延片的制造装置及制造方法-CN201880068636.6有效
发明人： 南出由生;和田直之;竹村泰隆 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明将来自外延片的制造装置(1)的反应室(111)的排气量在反应室处进行外延成膜处理的情况下控制成第1排气量，在打开门阀(114)而在反应室和晶圆移载室(12)之间将晶圆(WF)投入或取出的情况下控制成比第1排气量小的第2排气量，在反应室处结束外延成膜处理后至结束反应室的气体的清洗处理为止，控制成比第1排气量大的第3排气量。
外延制造装置方法

[发明专利]气相成长装置-CN202080075000.1在审
发明人： 南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种气相成长装置(1)，前述气相成长装置(1)能够在俯视观察气相成长装置(1)的情况下修正载具(C)相对于晶圆(WF)旋转方向的位置的偏离。气相成长装置(1)具备装载锁定室(13)，前述装载锁定室(13)设置有支承载具(C)的架(17)，在载具(C)和架(17)处设置修正机构，前述修正机构修正俯视观察气相成长装置(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。
相成装置

[发明专利]气相成长装置及气相成长方法-CN202080075012.4在审
发明人： 南出由生;和田直之 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。
相成装置方法

[发明专利]气相成长装置及用于该气相成长装置的载具-CN202080028086.2在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、接触晶圆(WF)的背面的外边缘来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的环状，在基座(112)、或基座(112)及载具(C)处，设置有将被晶圆(WF)、载具(C)及基座(112)间隔的空间和基座(112)的背面之间贯通的气体排出孔(1121，1122，C15)。
相成装置用于

[发明专利]气相成长方法及气相成长装置-CN202080027955.X在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：使用第1机器人(121)，将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111)，在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，使用第1机器人(121)，通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)及基座(112)。之后，将载具(C)从反应室(111)搬出，将反应气体供给至反应室，在基座(112)的表面形成多晶硅膜(112P)。
相成方法装置

[发明专利]气相成长方法及气相成长装置-CN202080028085.8在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：使用第1机器人(121)，将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111)，在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，使用第1机器人(121)，通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)。
相成方法装置

[发明专利]气相成长装置及用于该气相成长装置的载具-CN201980086191.9在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供能够使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀的气相成长装置。载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、与晶圆(WF)的背面的外边缘部接触来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的无端的环状，并且前述上表面(C12)的圆周方向上的构造或形状为具有与前述晶圆(WF)的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状，处理前的晶圆以处理前的晶圆的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状呈前述对应的关系的方式搭载于载具。
相成装置用于

[发明专利]气相成长装置-CN201980086208.0在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供即使无法使用载具也能够执行处理的气相成长装置。在第1机器人(121)的手的末端装配的第1叶片(123)具有支承载具(C)的第1凹部(124)、能够支承晶圆(WF)的第2凹部(125)，在装载锁定室(13)设置有支承载具(C)并且能够支承晶圆(WF)的架(17)。
相成装置

[发明专利]气相成长装置-CN201980086180.0在审
发明人：和田直之;南出由生 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够提高LPD品质的气相成长装置。在装载锁定室(13)至少设置有支承载具(C)的最上层的第1架(172)、在前述第1架的下部支承载具(C)的第2架(173)的气相成长装置(1)中，第2机器人(141)将从晶圆收纳容器(15)取出的处理前的晶圆(WF)搭载于在装载锁定室的前述第1架待机的载具。
相成装置

[发明专利]外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法-CN201811502962.1有效
发明人：中村郁浩;蛇川顺博;南出由生;宫崎裕司 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法。提供能够改善外延层形成时的膜厚均匀性控制的鲁棒性的外延生长装置。根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路（F）流入到基座（20）上并且该主流路与半导体晶片（W）的周缘隔离。
外延生长装置使用半导体晶片制造方法