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[发明专利]一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法-CN201510518122.4有效
发明人：黄升晖;苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法，包括以下特征：首先把碳化硅晶圆工件需要高浓度掺杂(＞2×10¹⁵/cm²)区域暴露出来。对暴露出来的区域注入掺杂离子，剂量需少于非晶化阈值，＜2×10¹⁵/cm²。在晶格没有被严重破坏、形成非晶化结构前，停止离子注入。利用退火热处理，把晶格损伤除掉。然后重复以上注入剂量少于非晶化阈值及退火步骤，直至注入总剂量达到所需的高剂量掺杂。最后，使用退火热处理，激活注入离子，形成高浓度掺杂区。
一种碳化硅器件离子注入形成掺杂制造方法

[发明专利]一种半导体器件的背面结构-CN201410571141.9有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：半导体背面至少有三种不同掺杂浓度的区域与背面金属相接触，这三种不同掺杂浓度的区域是：低掺杂浓度区，P+区和N+区。其中低掺杂浓度区的掺杂浓度范围为5×10¹⁴/cm³至1×10¹⁸/cm³，P+区的浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³，N+区的掺杂浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³，与半导体背面接触为金属电极。
一种半导体器件背面结构

[发明专利]一种半导体功率器件的结构-CN201310722315.2有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅控晶体管与FRD集成在同一芯片的器件结构，FRD部份有以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2μm，表面浓度为1×10¹⁵/cm³至1×10¹⁸/cm³，在表面处约0.2μm至2.0μm之下至少有两个独立浮动n+型层，n+型层与n+型层之间的距离大于0.1μm，浓度小于5×10¹⁹/cm³，在n+型层之上有表面浓度大于1×10¹⁸/cm³并与表面金属相接触的p+型层；栅控晶体管部份有以下特征：在p型区中附加一n型区，把靠近接触孔的部份p型区与原来p型区之下的n型区隔离开。
一种半导体功率器件结构

[发明专利]一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺-CN201510518123.9有效
发明人：黄升晖;苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：对碳化硅晶圆工件需掺杂的位置进行注入离子，把SiC晶格内的原子打走，制造晶格空缺。注入剂量需少于非晶化阈值，＜2x10¹⁵/cm²。在晶格没有形成非晶化结构层前，停止离子注入。然后，对衬底加温，注入掺杂离子，让注入掺杂的离子可马上填入晶格空缺，并把注入所引起的晶格损伤复原。采用本方法令SiC晶格内的空缺增加，当注入掺杂离子时，掺杂离子会跑到晶格空缺，得到激活。这样可以使现有退火激活热处理工序所需的温度大大降低，甚至取消这项工序。因此，令表面粗化问题得到解决，无需要在晶圆最顶层的表面制作保护层，把制造成本降低。
一种碳化硅半导体器件掺杂制造工艺

[发明专利]一种功率场效应晶体管器件的结构-CN201310104598.4有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率场效应晶体管器件的结构，包括以下特征：有源区的单元结构由两部分组成，其中一部分与一般常用的沟槽IGBT单元结构一样，称之为常规部分；另一种部分为在硅片中有一P型区域，在P型区表面上有一N+区，围绕着这区域为沟槽，沟槽壁附有氧化层，沟槽中填有多晶硅，这区域没有被直接的连接至发射电极，称之为增强部分，为了提高短路安全区，常规部分原来的N+宽度被减小了20％至80％，增强部分原来的N+面积也被减小了10％至90％。
一种功率场效应晶体管器件结构

[发明专利]一种半导体功率器件的背面结构-CN201410545423.1有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：半导体背面有一N型缓冲层，深度大于1.5μm，掺杂浓度为1×10¹⁶/cm³；靠近背面有一集电结P型层，深度小于1μm，掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³；靠近背面至少有一N+区从表面电极连接至N型缓冲层，宽度为70μm，掺杂浓度为6×10¹⁹/cm³；在背面至少有一部分宽度大于100μm的集电结P型层内没有N+区，在P型层内至少有一P+区连接至表面电极，其宽度为70μm，掺杂浓度为6×10¹⁹/cm³，与半导体背面接触为金属集电极。
背面掺杂半导体功率器件半导体背面背面结构表面电极集电结金属集电极

[发明专利]一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法-CN201310441203.X有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法，器件的有源区的单元结构包括以下特征：含有至少一个沟槽，沟槽与沟槽之间有部份区域为p型区，有部份区域为n型区，沟槽与沟槽之间的表面有部份为p型区的表面，有部份区域为薄层p+区，沟槽与沟槽之间的表面有接触孔，接触孔把表面的p型区和薄层p+区连接至表面电极，沟槽也被连接至表面电极；背面制备方法包括在硅片的背面注入氢离子，然后用溅射或沉积方法来进行背面金属化，接着用退火激活之前注入的氢离子。
一种恢复二极管结构背面制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管的器件结构-CN201310532432.2有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管的器件结构，器件的有源区包括以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2μm，表面浓度为1×10¹⁵/cm³至1×10¹⁸/cm³，在表面处约0.3μm至2.0μm之下至少有兩个独立浮动n+型层，n+型层与n+型层之间的距离大于0.2μm，浓度小于5×10¹⁹/cm³，在n+型层之上有p+型层，p+型层的表面浓度大于1×10¹⁸/cm³，直接与表面金属相接触，在正向电流小于额定值时，电流主要流经n+型层与n+型层之间的开口，当浪涌电流发生时，电流也流经p+/n+型层。
一种恢复二极管器件结构

[发明专利]一种半导体功率器件的结构-CN201310441222.2有效
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区最少由三种不同的单元组成，其中一种单元是快速反向恢复二极管(FRD)的表面结构，第二种单元是绝缘栅双极晶体管(IGBT)的表面结构，第三种单元的表面结构含有两条沟槽，沟槽与沟槽之间的距离小于0.4μm，沟槽内壁附有栅极氧化层并填入导电材料如高掺杂的多晶硅，沟槽与沟槽之间为浓度为1e15cm‑3至5e16cm‑3的p型区，表面为n+区，p型区下有一浓度为1e15cm‑3至5e16cm‑3的n型区，沟槽与沟槽之间表面没有接触孔。
表面结构半导体功率器件绝缘栅双极晶体管恢复二极管栅极氧化层导电材料沟槽内壁快速反向多晶硅高掺杂接触孔填入源区

[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构-CN201610915787.3在审
发明人：黄升晖 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下氮化鎵外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，肖特基金属极(即阳极)内有一部分金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构

[发明专利]一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构-CN201610907438.7在审
发明人：黄升晖 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构，包括以下特征氮化鎵基异质结材料中的宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与窄禁带材料GaN形成I型异质结，外延层表面有源极，栅极和漏极，其中至少有一P型区域被放置在源区内周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，源极金属与P型区域的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与非P型区域外延层表面接触为金属/氮化鎵帽层或是金属/AlGaN层的N型欧姆接触，源极金属透过这P型区域能使器件有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴从而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构

[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构-CN201610907440.4在审
发明人：黄升晖 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有源极，栅极和漏极，其中至少有一P型区域被放置在源区内周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，源极金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型层的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与氮化鎵帽层或是AlGaN层或是氮化鎵的接触为欧姆接触，源极金属透过这P型区域能使器件有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴从而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构

[发明专利]一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构-CN201610907273.3在审
发明人：黄升晖 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构，包括以下特征氮化鎵基异质结材料中的宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与窄禁带材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，肖特基金属极(即阳极)与非P型区域外延层表面接触为肖特基接触，肖特基金属极内有一部分金属与P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构

[发明专利]一种N型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构-CN201610907476.2在审
发明人：苏冠创 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征碳化硅肖特基二极管的表面由有源区和终端区组成，在N型碳化硅肖特基二极管有源区内至少有一P型区域，这P型区域从半导体外延层表面延续至表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，阳极金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型层的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与碳化硅表面N型区域的接触为肖特基接触，肖特基金属极(阳极)透过这P型区域能使器件有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴从而使得器件可以安全地被使用。
一种碳化硅击穿肖特基二极管结构

[发明专利]一种宽禁带半导体的掺杂方法-CN201610569556.1在审
发明人：黄升晖 -专利权人： 南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带隙(或称宽禁带)半导体的掺杂方法，包括以下特征首先把宽带隙半导体晶圆工件需要掺杂的区域暴露出来，其中包括平面的或是沟槽的，对暴露出来的区域用等离子体浸没式离子注入技术注入掺杂离子，注入的掺杂离子主要是在表面，深度少于3000A，最后，使用退火热处理，激活注入离子，形成掺杂区。
一种宽禁带半导体掺杂方法

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