|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1590个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]具有栅极连接栅格的垂直晶体管-CN202280019458.4在审
-
T·奈尔;H·德维利斯绸威尔;F·阿勒斯坦
-
半导体元件工业有限责任公司
-
2022-02-15
-
2023-10-27
-
H01L29/739
- 在一个总体方面，一种半导体器件(100)可包括设置在半导体区的有源区(110)中的多个垂直晶体管段(200,300)。该多个垂直晶体管段可包括相应栅电极(206b,306b)。第一电介质(415,915,1015)可设置在该有源区上。导电栅格(130,230,330,430,630,930,1030)可设置在该第一电介质上。该导电栅格可以使用穿过该第一电介质形成的多个导电触点(430a,630a,930a,1030a)与相应栅电极电耦接。第二电介质(925)可设置在该导电栅格和该第一电介质上。导电金属层可设置在该第二电介质层上。该导电金属层可包括一部分(951)，该部分使用穿过该第二电介质形成的通往该导电栅格的至少一个导电触点(930a)通过该导电栅格与相应栅电极电耦接。
- 具有栅极连接栅格垂直晶体管
- [发明专利]柔性夹具-CN202310376789.X在审
-
T·A·马尔多;李根赫;J·蒂萨艾尔
-
半导体元件工业有限责任公司
-
2023-04-11
-
2023-10-20
-
H01L23/488
- 本公开涉及柔性夹具。一种夹具预成型件包括管芯接触部分和校准器结构。中间部分将管芯接触部分连接到校准器结构中的引线接触部分。管芯接触部分被配置为接触半导体管芯。校准器结构被配置为将引线接触部分附接到引线柱。管芯接触部分、中间部分和校准器结构形成用于将半导体管芯连接到引线柱的主夹具的结构。通过去除夹具预成型件的管芯接触部分和中间部分的一部分以形成用于将半导体管芯连接到引线柱的辅助夹具，可分割夹具预成型件。夹具预成型件的校准器结构、管芯接触部分的其余部分和中间部分的其余部分形成辅助夹具的结构。
- 柔性夹具
- [发明专利]半导体器件组件-CN202310396606.0在审
-
林承园;全五燮
-
半导体元件工业有限责任公司
-
2023-04-12
-
2023-10-20
-
H01L23/498
- 在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种半导体器件组件，其包括：直接接合金属(DBM)衬底，其包括：陶瓷层；第一金属层，该第一金属层设置在该DBM衬底的第一表面上，该第一金属层具有均匀的厚度；以及第二金属层，该第二金属层设置在该DBM衬底的与第一表面相对的第二表面上，该第二金属层包括：具有第一厚度的第一部分；以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度大于第一厚度，该第二金属层的第二部分包括热膨胀系数(CTE)在7至11百万分率每摄氏度(ppm/℃)范围内的金属合金；以及半导体管芯，该半导体管芯具有与第二金属层的第二部分耦接的第一表面。
- 半导体器件组件
- [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202310348271.5在审
-
詹柔莹;陈宇鹏
-
半导体元件工业有限责任公司
-
2023-04-04
-
2023-10-20
-
H01L27/02
- 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在示例中，一种半导体器件包括半导体材料区域，具有第一导电类型的隐埋掺杂区域。第一导电类型的第一阱区在半导体材料区域中并且电耦接到隐埋掺杂区域。第二导电类型的第二阱区在半导体材料区域中并且具有第一峰值掺杂剂浓度。第二导电类型的第三阱区邻接第二阱区的边缘。第三阱区插置于第一阱区与第二阱区之间并且具有第二峰值掺杂剂浓度。第二导电类型的掺杂阳极区域在第一阱区中，第一导电类型的掺杂阴极区域在第二阱区中，并且第二导电类型的掺杂接触区域在第二阱区中。半导体器件被配置为半导体控制的整流器(SCR)ESD器件，用于DC击穿电压和保持电压的控制机制得到解耦。
- 半导体器件制造方法
|
