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- [发明专利]一种磁敏电阻金属薄膜-CN02100349.1无效
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王凤平;潘礼庆;吴平;田跃;邱宏
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北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京科技大学
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2002-01-11
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2003-07-30
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H01L43/08
- 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于:由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成,其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米,含有5-30at%原子百分比氧,具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒,结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10-1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料,也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料,也可以是微晶玻璃,也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料,还可以是硅、砷化镓等半导体材料;磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4%的各向异性磁电阻变化率,并且具有高的磁场灵敏度。
- 一种电阻金属薄膜
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