专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种并联采样过流保护电路-CN201210265297.5有效
  • 闫军政;赵钢;吴维刚;董海建 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2012-07-27 - 2012-11-28 - H02M1/32
  • 本发明公开了一种并联过流保护电路,包括由第一电阻、第一热敏电阻、第二电阻、第二热敏电阻和运算放大器组成的温漂抑制电路;由第一开关管、第二热敏电阻和第二电阻组成的并联采样电路;由N个第二开关管并联而成的输出功率组件;参考输入端、第一输出端和第二输出端;输出电流流经第一输出端和第二输出端,当输出电流过大时,运算放大器第二输入端电压高于第一输入端电压,运算放大器输出端信号电平改变,第一开关管和第二开关管关断,实现过流保护;温漂抑制电路通过第一热敏电阻和第二热敏电阻进行补偿,通过第一电阻与第一热敏电阻分压,第二电阻与第二热敏电阻分压,形成比例关系,实现过流保护点的灵活调整。
  • 一种并联采样保护电路
  • [发明专利]一种基于MOSFET测量结温的方法及其装置-CN201210265208.7有效
  • 闫军政;刘瑞生;吴维刚;张金龙 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2012-07-27 - 2012-10-24 - G01K11/00
  • 本发明公开了一种基于MOSFET测量结温的方法及其装置,用于测量器件在规定环境温度下和规定工作条件下的结温,所述器件包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端和一第二输出端,方法包括如下步骤:获取初始电压;获取规定工作条件下第一输出端对第二输出端上消耗的功率;对第二输出端和第一输出端施加与上步相等的功率;获取终测电压;计算器件在所述规定环境温度下和所述规定工作条件下的结温。本发明的技术方案属于无损伤结温测试,可以有效的避免器件自身时间延时对测试准确度的影响,可测量器件任意工作环境下真实结温,实施方法简单、易行、适合工程应用并且对测试设备依赖程度较低。
  • 一种基于mosfet测量方法及其装置
  • [发明专利]过流保护固体继电器-CN200710304287.7无效
  • 周钊;李文兵;傅革新 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2007-12-26 - 2008-06-11 - H03K17/082
  • 本发明公开了一种过流保护固体继电器,可应用于电力、电子电路的过电流保护。本继电器是在传统固体继电器的基础上,增加了过流保护电路和功能。保护电路是由过流取样电阻、比较器以及过流门限电路构成的可锁比较器电路。本继电器的工作原理是,当输出电流超过电流门限时,其在取样电阻上产生的电压使比较器输出低电平,及时关断输出功率MOSFET晶体管,使继电器停止工作。由于比较器电路为可锁比较器电路,在过流保护后,继电器的工作状态就被锁死,继电器一直处于关断状态。要使继电器重新工作,只能切断继电器的输入电源使其复位后再接通输入电源。本继电器具有过流保护、输出压降低、功耗低、灵敏度高、可靠性高等特点。
  • 保护固体继电器
  • [实用新型]一种平面型光电耦合装置-CN200620001186.3无效
  • 李文兵;王淑华;汤青玉;王春艳;闫军政;王野 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2006-01-18 - 2007-05-23 - H01L25/16
  • 本实用新型公开了一种平面型光电耦合装置,它的电路采用平面受光耦合隔离结构,其中在发光器件与光电转换器件被固定在芯片载体的上端面上,芯片载体上方罩有弧形反光面,反光面与芯片载体之间形成由发光器至反光面,再至光电转换器件的反射光路的导光层;所述发光器件和光电转换器件分别由直流光耦或交流光耦器件组成,直流光耦器件包括电压型或电流型两种;所述的光电转换器件与外部被驱动的器件相连接。本实用新型能够满足高集成、小体积、高可靠性的混合集成电路的设计要求。
  • 一种平面光电耦合装置
  • [实用新型]陶瓷封装光-MOS固体继电器-CN200620001187.8无效
  • 李文兵;屈建江;刘瑞生;王淑华;郭连香;车向华 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2006-01-18 - 2007-03-21 - H03K17/785
  • 本实用新型公开了一种一路或多路陶瓷封装的光-MOS固体继电器。本系列光-MOS固体继电器由垂直光伏耦合隔离结构输入,采用一只增强型功率场效应管芯片或两只增强型功率场效应管芯片共源极的常开输出形式构成,或者采用一只耗尽型功率场效应管芯片或两只耗尽型功率场效应管芯片共源极的常闭输出形式构成。所述陶瓷外壳和电路基片采用导体定位方式,发光器件置于上方陶瓷架板上,受光器件置于管壳下底面,垂直光照,保证光伏阵列的最佳受光效果。同时产品的输入、输出电路从结构上实现了物理隔离。本装置具有体积小、导通电阻低、导通时输出呈线性电阻、输出电流大、功耗低、动作速度块、可实现常开或常闭输出、温度适应性能好的特点。
  • 陶瓷封装mos固体继电器
  • [发明专利]高速开关常开型固体继电器-CN200510087249.1无效
  • 李长寿;曾志清;杨延旭 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2005-07-28 - 2006-02-01 - H03K17/56
  • 本发明公开了一种高速开关常开型固体继电器。它含有一个发光元件,一个接受光信号后产生光生伏特效应的光伏二极管阵列,一个响应光伏输出的场效应晶体管。还含有一个NPN三极管和一个PNP三极管,它们的基极、发射极相并联后被连接于光伏二极管阵列和输出场效应晶体管栅极之间;NPN三极管的基极、发射极与光伏二极管阵列、场效应晶体管栅极、源极构成串联回路。有一个二极管插入于NPN三极管的集电极与场效应晶体管的漏极之间,其阴极与NPN三极管的集电极和一个电容相连接,电容、NPN三极管和二极管组成对场效应晶体管栅充电电路。本发明增设的场效应晶体管栅充放电电路,使这类固体继电器接通和关断动作速度大大加快。
  • 高速开关常开固体继电器
  • [实用新型]固体继电器的脉冲选通控制模块-CN200420007445.4无效
  • 赵笃良;董向一;曾波;林琳 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2004-03-22 - 2005-03-02 - H01H47/02
  • 一种固体继电器的脉冲选通控制模块,它包括一个输入一定频率范围的脉冲群的控制信号输入端、一个处理输入信号的整形电路、一个对整形后的方波信号进行频率/电压变换电路、一个对超出频率范围的脉冲信号进行识别并产生开或关控制信号的幅度鉴别电路、一个开关控制信号驱动电路、一个隔离电路和开关控制输出端;所述开关控制输出端与直流负载或交流负载相连接。本实用新型可以有效避免计算机或单片机失效时,可能产生的执行部件失控现象,自动将执行部件的工作状态切换为安全状态。将本模块与继电器固化为一体结构,形成无须驱动电路的固体继电器,由计算机或单片机直接驱动工作。
  • 固体继电器脉冲控制模块
  • [实用新型]大功率交流固体继电器-CN00200995.1无效
  • 刘玉兰;于洋;王艳华 - 北京市科通电子继电器总厂
  • 2000-01-21 - 2000-10-25 - H03K17/72
  • 一种大功率交流固体继电器,包括外壳、底板、由光电耦合器构成的输入电极、采用两个可控硅芯片和两组内部电极及L型输出电极组成两个反向并联的可控硅电路结构的功率输出级、功率输出极的硅芯片通过L型输出电极直接与六角螺栓接线端相连,两个可控硅芯片上下面烧焊有复合金属材料,且下面烧焊在铜一瓷基板上,内部电极与基板和可控硅芯片上面复合金属材料相接。实现两只硅芯片性能匹配,利于固体继电器性能参数的一致性,提高产品合格率。
  • 大功率交流固体继电器

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