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[发明专利]一种半导体脉冲高压二极管的制造方法-CN202310995310.0有效
发明人：王诗雪;董春红;张裕 -专利权人： 北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括:采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；按照制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；对所有制造过程信息进行合格分析；依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，保证制造的可靠性。
一种半导体脉冲高压二极管制造方法

[实用新型]一种大电流高压二极管封装结构-CN202322380865.2有效
发明人：王诗雪;张裕;董春红 -专利权人： 北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片、阳极端部引线和阴极端部引线，所述阳极端部引线连接于所述二极管芯片的阳极端部，所述阴极端部引线连接于所述二极管芯片的阴极端部，有益效果：本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。
一种电流高压二极管封装结构

[实用新型]一种二极管-CN202322380601.7有效
发明人：王诗雪;张裕;董春红 -专利权人： 北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管，包括二极管芯片，所述二极管芯片外覆盖有塑封外壳，所述塑封外壳的两端具有弧形倒角，所述二极管芯片的阳极端部连接有阳极引线，所述二极管芯片的阴极端部连接有阴极引线，有益效果：本申请的装置结构结构简单，设置的弧形倒角，使绝缘距离、空间、散热都能得到提升，且相邻的塑封外壳之间不易放电，节省了排版空间。
一种二极管

[发明专利]一种半导体雪崩高压二极管的制造方法-CN202311028168.9在审
发明人：王诗雪;董春红;张裕 -专利权人： 北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体雪崩高压二极管的制造方法，包括：步骤1：获取雪崩高压二极管的初始制造流程，并获取初始制造流程中每个制造步骤的步骤制造标准以及标准允许误差范围；步骤2：获取对雪崩高压二极管的制造需求，将制造需求与每个制造步骤进行制造映射，且结合步骤制造标准以及标准允许误差范围，确定步骤调节信息；步骤3：根据步骤调节信息对初始制造流程进行优化，得到当下制造流程，并对待制备半导体进行模拟；步骤4：当模拟结果合格时，按照最终制造流程进行半导体制造。避免流程的固化，进而通过模拟进一步保证后续实际制造的可靠性，提高对需求的满足度。
一种半导体雪崩高压二极管制造方法

[实用新型]一种立式散热高压二极管-CN202321572983.7有效
发明人：王诗雪;张裕;董春红 -专利权人： 北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种立式散热高压二极管，包括导热连接部、散热部、高压硅堆二极管本体以及扩展部与支撑部，导热连接部固定在散热部上，导热连接部与高压硅堆二极管本体的上端引脚连接，高压硅堆二极管本体的下端引脚与PCB板连接，扩展部为左侧散热扩展部与右侧散热扩展部，左侧散热扩展部与右侧散热扩展部两者分别位于散热部的一端两侧，左侧散热扩展部与右侧散热扩展部两者均沿着高压硅堆二极管本体的轴向向下延伸，支撑部为左侧散热支撑部与右侧散热支撑部。本实用新型具有如下的有益效果：本实用新型的散热器，在PCB上占用的面积小，适合狭窄空间，且采用冲压方式生产该型号和形状的散热器，生产工艺简单，成本低。
一种立式散热高压二极管