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[发明专利]工件处理方法、工件处理设备及半导体器件-CN202211669619.2有效
发明人：辛孟阳;姜伟鹏;刘韬;王文岩;余飞 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到第一混合物；第一混合物包含带电粒子和自由基；在氮化反应的过程中，利用腔室中的导电栅格结构对第一混合物进行过滤，以去除第一混合物中至少部分带电粒子，得到第二混合物；导电栅格结构位于目标工件远离支撑件的一侧；将目标工件暴露于第二混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域上形成氮化硅层，以提升目标工件的稳定性，使得包括该目标工件的半导体器件能够满足高稳定性的应用需求。
工件处理方法设备半导体器件

[发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210913995.5有效
发明人：李海卫;冀建民;刘春峰;么曼实 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、第一微波发生器、第二微波发生器、泵体和加热部。腔体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁沿竖直方向间隔开设有第一开口和第二开口，第二侧壁上开设有第三开口，第一开口与第三开口沿水平方向相对设置且与腔体内部的腔室连通；第一微波发生器与第一开口连接；第二微波发生器与第二开口连接；托盘设置在腔室内；泵体与第三开口连接；加热部与腔体连接。根据本公开的技术，通过设置在不同位置的第一微波发生器和第二微波发生器，可以实现对等离子体输送至腔室内的位置和气体的类型进行调整，增加了晶圆热处理工艺调解的灵活性。
热处理装置

[发明专利]载片台及反应腔室-CN202211669627.7有效
发明人：刘建生;管长乐;闫瑞鑫;薛俊辉;范强 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了一种载片台及反应腔室。载片台包括台本体、柱体、分隔部和支撑部。台本体包括第一端面和第二端面。柱体设置于第一端面的中心与第二端面的中心之间。分隔部环设于柱体的外壁且与台本体的内壁连接。分隔部与第一端面之间形成射频区域，分隔部与第二端面之间形成非射频区域。支撑部设置于台本体的外部。支撑部的内部形成有第一通道和第二通道。第一通道与射频区域连通。第二通道与非射频区域连通。根据本公开的方案，通过分隔部将载片台的内部分隔为射频区域和非射频区域，以及支撑部的第一通道和第二通道对载片台内部的管路的规划，使载片台内部形成对称的射频电势，有利于消除晶圆的刻蚀形貌的不对称性，提高晶圆刻蚀厚度的均匀性。
载片台反应

[发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210913974.3有效
发明人：李海卫;冀建民;刘春峰;么曼实 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、微波发生器、泵体和加热部。腔体具有沿水平方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁开设第一开口，第二侧壁开设第二开口，第一开口与第二开口沿水平方向相对设置且与腔体内部的腔室连通；托盘设置在腔室内；微波发生器与第一开口连接，用于向腔室输送等离子体；泵体与第二开口连接；加热部与腔体连接，用于加热晶圆。根据本公开的技术，通过微波发生器向腔室内输送等离子体、同时泵体抽取腔室内的等离子体，实现在晶圆的上表面形成沿水平方向流动的气流，与此同时结合加热部对晶圆的加热，可以保证晶圆的热处理工艺的质量和稳定性。
热处理装置

[发明专利]用于工件处理的系统和方法-CN201780058499.3有效
发明人：杨晓晅;瑞安·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-10-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了用于处理工件例如半导体工件的系统和方法。一个示例实施例涉及一种用于处理多个工件的处理系统。等离子体处理系统可包括负荷固定室。负荷固定室可包括工件柱，该工件柱构造成以堆叠布置支撑多个工件。该系统还可包括至少两个处理室。至少两个处理室可以具有至少两个处理站。每个处理站可以具有用于在处理室中的处理期间支撑工件的工件支撑件。该系统还包括与负荷固定室和处理室工艺流程连通的传送室。传送室包括旋转式机器人。旋转式机器人可以构造成将多个工件从负荷固定室中的堆叠布置传送到至少两个处理站。
用于工件处理系统方法

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]气体分配元件和含其的热处理装置-CN202310861652.3在审
发明人：冀建民;李海卫;李文艺 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种气体分配元件和包括该气体分配元件的热处理装置。该气体分配元件包括孔洞分布密度不同的至少两个区域。具体地，该气体分配元件包括从几何中心向外径向延伸第一距离界定的第一区域，从最外侧边缘向所述几何中心径向延伸第二距离界定的第二区域；所述第一区域和所述第二区域分别具有分布密度不同的孔洞。本发明的气体分配元件能够在低压环境下，使得热处理装置的反应腔室内的少量气体在腔室内形成均匀气流，消除被处理工件表面的中心和边缘之间的差异。
气体分配元件热处理装置

[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入-CN202310861064.X在审
发明人： W·曾;C·闫;D·V·德塞;仲華;杨晓晅;P·伦贝西斯;瑞安·M·帕库尔斯基;马丁·L·朱克 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：等离子体腔室；处理腔室；等离子体源；和隔栅，包括多个孔，该隔栅被配置为允许中性自由基从等离子体腔室经由孔流入处理腔室，该隔栅包括：气体输送系统，限定了沿隔栅的圆周方向延伸的通道，气体输送系统包括将通道分成第一通道和第二通道的壁、沿隔栅的径向方向定位在第一通道中偏离圆周中心的入口、以及经由通道与入口处于流体连通的多个出口。气体输送系统被配置成从多个出口将气体注入到中性自由基。壁限定沿圆周方向间隔开的多个开口，以提供第一通道与第二通道之间的流体连通。气体经入口进入第一通道，继而从第一通道经多个开口进入第二通道，然后经多个出口离开第二通道。
隔栅中的等离子体气体注入

[发明专利]工艺平台-CN202310833174.5在审
发明人：李海卫;管长乐;赵文斌;罗功林;范强 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种工艺平台，涉及半导体技术领域，具体包括传输仓、容置仓和多个反应腔室。传输仓内设有第一传输部，第一传输部设有多个抓取机构。容置仓与传输仓连通，容置仓用于装载晶圆。多个反应腔室均与传输仓连通，每个反应腔室中均设有至少一个载片台，载片台的顶面设有可升降地顶针。根据本公开的方案，通过设置多个反应腔室，使工艺平台可以对多个晶圆进行工艺反应，通过设置多个抓取机构，可以提高反应腔室与容置仓之间传输晶圆的效率，使工艺平台可以不间断的进行工艺反应，提高了工艺平台的工艺产能。
工艺平台

[发明专利]用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置-CN202310826140.3在审
发明人：冀建民;么曼实;李海卫 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法和低压氧化处理装置。所述低压氧化处理方法包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；使所述半导体工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半导体工件的表面形成氧化物膜。本发明的方法利用在低压下由包括氢气和氧气的工艺气体形成的氧自由基与半导体工件表面反应，以形成氧化物膜，使得氧化物膜层的均匀度更高，缺陷更少，氧化深度更易控制。
用于半导体工件低压氧化处理方法装置

[发明专利]一种用于半导体工艺的温度控制方法-CN202310871362.7在审
发明人：冀建民;李文艺 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体工艺的温度控制方法，包括步骤：在第一工艺设备中设置第一位点分布的第一测量位点，用于测量所述第一工艺设备中的温度；在第二检测设备中设置第二位点分布的第二测量位点，用于测量目标参数；其中，所述第一位点分布包括径向间距不相等的同心圆状点阵；所述第二位点分布具有与所述第一位点分布相对应的同心圆状点阵。本发明的方法能够监控整个半导体工件的工艺均匀度，并且对工艺温度进行精准补偿。
一种用于半导体工艺温度控制方法

[发明专利]晶圆的热处理装置及托盘的控制方法-CN202211670377.9有效
发明人：刘春峰;么曼实;李海卫 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了晶圆的热处理装置及托盘的控制方法。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、气浮部、检测部。腔体包括相对设置的顶板和底板；托盘可活动地设置在所述腔体中，托盘的第一端面与顶板对应以及托盘的第二端面与底板对应，第一端面设置有检测区，第一端面用于支撑晶圆；气浮部设置于底板与第二端面之间，用于通过喷气的方式控制托盘的悬浮运动状态；检测部设置在腔体中且与气浮部电连接，检测部在腔体上的设置位置与检测区的位置对应，用于通过检测区检测托盘的运动状态信息。根据本公开的技术，可以通过检测部检测托盘的运动状态信息，并通过调整气浮部的喷气方式控制托盘的悬浮运动状态。
热处理装置托盘控制方法

[发明专利]一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法-CN202310871695.X在审
发明人：冀建民;李海卫;夏士超 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法，包括步骤：在所述低压热处理设备的工艺腔室内设置压力传感器，并将所述工艺腔室内的工艺气体的压力控制为1～20托；通过流量控制，将朝向所述低压热处理设备的托盘底面输送的气旋气体的流量控制为0.5～1.5L/min，并且控制精度在±0.2L/min以内；调节所述气旋气体的流量，使得所述托盘与置于所述托盘上表面的半导体工件一起旋转。本发明的气流控制方法通过精准控制气旋气体的流量，进而使得托盘连同其上的半导体工件能够一起稳定旋转。
一种用于低压热处理设备气旋操作气流控制方法

[发明专利]直接驱动式混合ICP-CCP等离子体源-CN202180087285.5在审
发明人：龙茂林 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于处理工件的系统和方法。在一个示例实施方式中，用于处理工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括通过将工件暴露于使用混合等离子体源生成的一个或多个自由基来处理工件。在一个实施例中，等离子体源包括谐振电路，该谐振电路包括感应耦合等离子体源和电容耦合等离子体源。控制器可以被配置为通过将谐波电流减小到低于目标值来调整谐振电路的激励频率，其中谐波电流是分别对应于激励频率的一个或多个谐波的一个或多个电流的总和。
直接驱动混合 icp ccp 等离子体

[发明专利]用于热处理系统的工件支撑件-CN202180086615.9在审
发明人：罗尔夫·布雷门斯多夫;迪特尔·赫兹勒;曼努埃尔·森 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了用于热处理系统的工件支撑件。工件支撑件包括转子，该转子被配置为支撑工件。工件支撑件还包括气体供应。气体供应可以包括多个承载垫。承载垫中的每一个承载垫可以被定位为相较于转子的中心更靠近转子的周边。轴承中的每一个承载垫限定一个或多个通道，一个或多个通道被配置为将气体引导到转子上，以控制转子沿着第一轴线的位置和沿大致垂直于第一轴线的第二轴线的位置。此外，承载垫中的一个或多个承载垫限定至少一个附加通道，至少一个附加通道被配置为将气体引导到转子上，以控制转子绕第一轴线的旋转。
用于热处理系统工件支撑

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