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[发明专利]提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺-CN202080004142.9在审
发明人：谢挺;吕新亮;仲華;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供用于氧化工件的工艺。在一个示例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对处理腔室中的工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行氧化物层形成。在执行预氧化处理工艺和远程等离子体氧化工艺之后，所述方法可包括将所述工件从所述处理腔室移除。在一些实施例中，所述远程等离子体氧化工艺可包括：在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；过滤在所述等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及将所述一种或多种自由基暴露于所述工件。
提高远程等离子体产生氧化质量表面预处理工艺

[发明专利]在低温下对工件进行热处理和温度测量的系统和方法-CN201980044888.X在审
发明人：罗尔夫·布雷芒斯多费尔;M·利贝雷尔;P·J·蒂曼斯;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了在低温下热处理工件的系统和方法。在一个示例实现方式中，热处理设备包括具有工件支撑件的处理腔室。该工件支撑件可以被配置为用于支撑工件。该设备可以包括一个或多个热源，该一个或多个热源被配置为发射第一波长范围内的电磁辐射以将该工件加热至处理温度。该处理温度可以在约50℃至150℃的范围内。该设备可以包括一个或多个传感器，这些传感器被配置为用于当该工件处于该处理温度时获得对第二波长范围内的电磁辐射的测量。该第二波长范围可以不同于该第一波长范围。
低温工件进行热处理温度测量系统方法

[发明专利]用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体-CN201980044843.2在审
发明人：侯力;维贾伊·M·瓦尼亚普拉;孟双;马绍铭;仲華;J·A·萨哈伊 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于对工件进行硬掩模(例如，掺杂硼的非晶碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法包括在处理腔室中，将工件支撑在工件支撑件上。方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由工艺气体生成等离子体。等离子体腔室可通过隔栅与处理腔室分开。方法可包括将工件暴露于一种或多种在等离子体中生成的自由基以对工件进行等离子体去胶工艺以从工件至少局部去除硬掩模层。方法可包括在等离子体去胶工艺期间，将工件暴露于作为钝化剂的水蒸气。
用于去除硬掩模基于水蒸气等离子体

[发明专利]从氮化钛表面去除氧化物-CN201980044910.0在审
发明人： J·J·王;仲華 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于从氮化钛表面去除氧化物的系统和工艺。在一个示例实施中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：使用等离子体源在工艺气体中通过诱导等离子体生成一种或多种物质；和将工件暴露于等离子体中生成的物质。工艺气体可包括第一气体和第二气体的混合物。第一气体可包括含氢气体和含氮气体的一种或多种。第二气体可包括含氟气体。
氮化表面去除氧化物

[发明专利]低热量预算退火-CN201980039141.5在审
发明人： P·J·蒂曼斯 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种用于提供短持续时间退火的方法和系统。在一实施例中，所述方法和系统可包括放置工件在热处理腔中。所述工件可包括器件侧表面以及相对的非器件侧表面。所述方法和系统可包括从至少一个热源传送能量脉冲至所述工件的所述非器件侧表面。在另一实施例中，所述方法和系统可包括在半导体工件的器件侧沉积半导体材料层在所述半导体工件上。所述方法和系统可包括将掺杂物质掺杂至所述半导体材料层并退火所述层以使用固相外延结晶。
低热量预算退火

[发明专利]工件的表面平滑化-CN201980044610.2在审
发明人：张祺;吕新亮;仲華 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于处理工件的装置、系统和方法。在一个示例实施中，基于氟和氧等离子体的工艺可用于使硅和/或含硅结构的粗糙表面光滑。工艺可包括在第一腔室中使用感应耦合元件由工艺气体生成物质。工艺可包括引入含氟气体和含氧气体与物质以形成混合物。工艺可进一步包括将硅和/或含硅结构暴露于混合物，使得混合物至少局部刻蚀粗糙的部分以留下硅和/或含硅结构的更光滑的表面。
工件表面平滑

[发明专利]天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀-CN201980044826.9在审
发明人： C·闫;宋采文;羅紹安;仲華;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了用于在工件上进行含硅材料去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法可包括使用感应耦合元件在第一腔室中由工艺气体生成物质。方法可包括引入含氟气体与物质以形成混合物。混合物可包括将工件的硅结构暴露于混合物以去除至少一部分的硅结构。
天然氧化物穿通后硅芯轴刻蚀

[发明专利]使用含硫工艺气体的含碳硬掩模去除工艺-CN201980044844.7在审
发明人：戴芬;T·王;O·D·简;M-H·基姆;马绍铭;Z·刘 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供了用于在工件上进行硬掩模(例如，含碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，工艺可包括允许工艺气体进入等离子体腔室，使用感应耦合的等离子体源从工艺气体在等离子体腔室中生成等离子体，和将含碳硬掩模暴露于等离子体以去除至少一部分的含碳硬掩模。工艺气体可包括含硫气体。工艺气体不包括含卤素气体。感应耦合的等离子体源可通过接地的静电屏蔽与等离子体腔室分开以减少感应耦合的等离子体源和等离子体之间的电容耦合。
使用工艺气体含碳硬掩模去除

[发明专利]半导体设备制造中材料去除和表面处理的整合-CN201980044918.7在审
发明人：杨晓晅;仲華;吕新亮;李昊辰;谢挺;张祺 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，有机自由基(例如，甲基CH3自由基)可在远程等离子体源中通过激发和/或解离氢和/或惰性气体(例如，Ar、He等)并且随后与有机分子(烷烃和烯烃)反应生成。有机自由基(例如，甲基CH3自由基)可暴露于硅和/或硅锗表面。在暴露于有机自由基后，硅和/或硅锗表面可在空气中稳定一段时间(例如，几天)，同时减少表面氧化，使得可以有效地保护硅和/或硅锗表面免受氧化。正因如此，可消除在随后工艺步骤前的天然表面氧化物去除工艺。
半导体设备制造材料去除表面处理整合

[发明专利]隔栅中的等离子体后气体注入-CN202080003858.7在审
发明人： W·曾;C·闫;D·V·德塞;仲華;杨晓晅;P·伦贝西斯;瑞安·M·帕库尔斯基;马丁·L·朱克 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。所述处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。所述等离子体处理装置进一步包括将所述等离子体腔室与所述处理腔室分开的隔栅。所述隔栅包括气体输送系统。所述气体输送系统限定了通道、入口以及经由所述通道与所述入口处于流体连通的多个出口。该气体输送系统被配置成用于减少与在该基材上执行的处理工艺相关联的不均匀性。
隔栅中的等离子体气体注入

[发明专利]腔室上光以通过减少化学成分改善刻蚀均匀性-CN201980041275.0在审
发明人：张祺;吕新亮;仲華 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，方法可包括在处理腔室中在工件上进行基于氢自由基的表面处理工艺之前，在处理腔室上进行预处理工艺以在处理腔室的表面上生成氢自由基影响层。如此，可进行预处理工艺以调节处理腔室来增加暴露于工件的氢自由基的均匀性。
上光通过减少化学成分改善刻蚀均匀

[发明专利]用于选择性亲水表面处理的臭氧-CN201980041402.7在审
发明人：谢挺;吕新亮;仲華;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。该方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。该工艺气体可包括臭氧气体。该方法可包括将硅氮化物层和低‑k介电层暴露于工艺气体中以改变所述硅氮化物层的表面润湿角。
用于选择性水表处理臭氧

[发明专利]用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件-CN202080003225.6在审
发明人： S·E·萨瓦;陈贞安;马绍铭 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了用于电感等离子体源的静电屏蔽件。在一种实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体室、形成等离子体室的至少一部分的电介质壁和位于电介质壁附近的电感耦合元件。在用射频(RF)能量激励该电感耦合元件时，该电感耦合元件可以在该等离子体室中产生等离子体。该等离子处理装置可以进一步包括位于该电感耦合元件与该电介质壁之间的静电屏蔽件。该静电屏蔽件可以包括多个屏蔽板、狭缝和/或层。
用于电感等离子体改进静电屏蔽

[发明专利]刻蚀后脱氟工艺-CN201980036829.8在审
发明人： V·M·瓦尼亚普拉;A·格拉玛达 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于从工件，比如半导体晶片去除氟残留物的脱氟工艺。在一个示例实施中，用于处理工件的方法可包括将工件支撑在工件支撑件上。工件可具有光致抗蚀剂层。工件可在工件的表面上具有一种或多种氟残留物。方法可包括至少部分地使用由第一工艺气体生成的等离子体在工件上进行脱氟工艺。第一工艺气体可包括氢气。在进行脱氟工艺之后，方法可包括在工件上进行等离子体剥离工艺，以从工件上至少局部去除光致抗蚀剂层。
刻蚀后脱氟工艺

[发明专利]用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法-CN201980036897.4在审
发明人：杨晓晅;马绍铭 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种用于处理工件的方法。方法可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括在处理腔室中的工件上进行多循环热处理工艺。多循环热处理工艺可包括至少两个热循环。至少两个热循环的每个热循环可包括在第一温度在工件上进行第一处理；将工件的设备侧表面在小于一秒内加热至第二温度；在近似第二温度在工件上进行第二处理；和在进行第二处理之后使工件冷却。
用于使用循环热处理工艺处理工件方法

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