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[发明专利]电子束激励式光源装置-CN201210258405.6无效
发明人： 前岨刚;山口真典;片冈研 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：提供一种电子束激励式光源装置，能够将来自电子束源装置的电子束效率良好地照射到半导体发光元件的一面上，并能够获取高光输出。该电子束激励式光源装置为，在真空容器的内部配置电子束源装置和半导体发光元件，该半导体发光元件被从该电子束源装置放射的电子束激励，从而放射紫外光，且构成为，在上述半导体发光元件上，设置有用于去除来自上述电子束源装置的电子束所入射的一面上的电荷的导电性的除电部件。
电子束激励光源装置

[发明专利]电子源电极及其制造方法和电子管-CN02124955.5无效
发明人：江崎智隆;上村佐四郎;余谷纯子;山田弘;长回武志;仓知宏行;龙田和典;世古幸治;前岨刚 -专利权人：则武伊势电子株式会社;诺利塔克股份有限公司
申请日： 2002-06-27 - 公布日： 2003-02-19 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本专利申请公布了能够使电子发射源区域周围的厚度变薄，并能够提高电流分配率的电子源电极，它的制造方法和用该电子源电极的电子管。这个电子管备有基板，在这个基板形成的电子发射源区域，和包围这个电子发射源区域周围的屏蔽区域，这个屏蔽区域是当用干式法生成电子发射源时由不生成该电子发射源的材料形成的。结果，即便使电子引出电极和电子源电极的间隙变窄，阳极电流对总电流的比率也很高，提高了电流分配率。
电子电极及其制造方法电子管