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[发明专利]一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法-CN202310130224.3有效
发明人：李晓宇;吴薄;王梦佳;刘福涵;彭根斋;闫欢;蒋运石;张志红;张芦 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
一种基于 wlp 工艺 mems 磁通门传感器制作方法

[发明专利]非对称共面波导校准件-CN202310248281.1在审
发明人：冯楠轩;肖佳琪;刘福涵;丁敬垒;胡鸿 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称共面波导校准件，包括短路标准件、开路标准件、负载标准件和直通标准件，短路标准件包括同轴设置的第一矩形部和第二矩形部，第一矩形部为金属电路图形制成的信号线，第二矩形部为金属电路图形制成的地线，以第一矩形部和第二矩形部同轴的方向为y轴建立坐标系，则x轴为第一矩形部和第二矩形部的宽度方向，两矩形部宽度均大于等于针尖宽度，且第二矩形部长度至少为第一矩形部长度的两倍；开路标准件、负载标准件、直通标准件均在短路标准件基础上制得。本发明能解决了非对称探针的探针校准问题，其校准效果在10MHz‑40GHz范围内，回波损耗小于‑20dB，插入损耗小于0.5dB，表现出良好直通的性能，表明上述校准准确，可以用于实际测试。
对称波导校准

[发明专利]一种用于量子测量系统的谐振腔结构及测量方法-CN202310040603.3在审
发明人：冯楠轩;肖佳琪;刘福涵;朱家辉;赵春美;丁敬垒 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于量子测量系统的谐振腔结构，属于量子测量技术领域，包括金属腔体（1），在所述金属腔体（1）的前侧设置有微波耦合窗（2），在所述金属腔体（1）的左右两侧各设置有一个相互对应的激光光孔（3），在所述金属腔体（1）的内部设置有铯泡（4）；本发明还公开了采用前述的系统进行量子测量的方法；采用本发明的谐振腔结构测量的灵敏度、精确度等明显提高。
一种用于量子测量系统谐振腔结构测量方法