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- [发明专利]一种高光效倒装LED芯片及其制备方法-CN202211738876.7在审
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刘宝琴;朱剑峰;张蔚;任飞;袁林
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南通同方半导体有限公司
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2022-12-30
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2023-05-23
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H01L33/10
- 本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法,芯片结构由下至上包括:蓝宝石衬底、GaN成核层、n‑GaN层、电流扩展层、量子阱发光层、EBL电子阻挡层、p‑GaN层、反光层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电极层二;其中反光层材料为GaN/AlN超晶格结构。本发明通过在p型氮化镓上生长GaN/AlN超晶格反光层,并对该反光层进行刻蚀,形成周期性排列的图形,反光层被刻蚀掉的区域露出p‑GaN层,因此不会影响透明导电层与p‑GaN层的欧姆接触;这样的结构对射向p‑GaN层方向的光先进行部分反射,不仅增加了光反射,还可以减少光通过透明导电层及电极时材料对光的吸收,而对于另一部分射向电极方向的光,由高反射率DBR层再次反射,从而有效的提高了倒装LED芯片的出光效率。
- 一种高光效倒装led芯片及其制备方法
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