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- [发明专利]金线莲高产的种植方法-CN201610630294.5有效
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2016-08-03
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2020-03-03
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A01G31/00
- 本发明公开了一种金线莲高产的种植方法，包括：大棚建设；在大棚内设置多个支撑架，在支撑架上放置育苗盘；在多个支撑架的底部设置排水沟，之后安装多个喷灌装置，使一个育苗盘对应一个喷灌装置；在育苗盘内铺设种植基质，将金线莲种苗消毒后种植于种植基质中，通过喷灌装置向种植基质中喷水，淋透种植基质。本发明通过设置喷灌装置，在后期能节省大量人力，通过设置过滤装置，能将种植基质中多余的水分进行过滤后，通过排水沟排出，使基质既能达到适宜的湿度，又不会积水，能提高金线莲的成活率，从而能提高金线莲的产量。
- 金线莲高产种植方法
- [发明专利]黑灵芝高产的种植方法和种植装置-CN201610628615.8有效
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农凯峰
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浙江森芝宝生物科技有限公司
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2016-08-03
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2019-05-24
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A01G18/10
- 本发明公开了一种黑灵芝高产的种植方法及种植装置，黑灵芝高产的种植方法，包括：制作培养基质；取多个实木木桩，将实木木桩水平放置，沿实木木桩的长度方向削去实木木桩的顶部和底部，之后在实木木桩上沿竖直方向打孔，对实木木桩消毒后，将所述培养基质填充于孔中，并用聚乙烯醇薄膜覆盖实木木桩的顶部和底部，之后将实木木桩浸入木醋液30‑50倍液中1‑2分钟后，取出，掀开聚乙烯醇薄膜，将黑灵芝菌丝接种于孔中，之后将多个实木木桩呈一字形等间距地置于温度为25‑30℃，湿度为65‑75％，黑暗或弱光的环境下培育20‑25天。本发明在培养基质中引入了木醋液，木醋液对黑灵芝的菌丝体、子实体的生长有明显促进作用，能提高黑灵芝的产量。
- 灵芝高产种植方法装置
- [发明专利]一种栽培基质及利用该基质栽培黑灵芝的方法-CN201510266550.2有效
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2015-05-24
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2018-05-11
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A01G18/20
- 本发明公开了一种栽培基质，包括麸皮、30‑50目秸秆粉末、20‑30目鱼骨粉、棉籽壳和含水量为15％‑20％的铁皮石斛。还公开了一种利用栽培基质栽培黑灵芝的方法，包括以下步骤：1)将黑灵芝菌丝接种于加入豆浆的栽培基质中培养，在25℃下恒温避光培养10‑15天；2)选取树径为12‑14cm的阔叶树树干截成长度为40‑45cm的段木，沿所述段木的轴向钻取一圆柱体；沿段木轴向在所述段木的表面等间距打孔，使孔与空腔贯通；3)灭菌处理；4)将所述栽培基质填充于所述空腔中，将1)中所得黑灵芝菌丝原种接种于所述段木的孔中，进行培育10‑15天。本发明能显著提高黑灵芝的成活率，同时可增加黑灵芝的产量与品质。
- 一种栽培基质利用灵芝方法
- [发明专利]铁皮石斛的高产种植方法-CN201710168465.1在审
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农凯峰
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农凯峰
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2017-03-21
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2017-08-22
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A01G1/00
- 本发明公开了一种铁皮石斛的高产种植方法，包括步骤一、提供温室大棚环境，温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于升降机构顶端的罩体，罩体采用不透光材料，罩体在升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域，温室大棚外壁的中央部位处还设置有遮光部，遮光部包括设置于温室大棚外壁中央的卷动轴、缠绕于卷动轴上的黑色遮光布和驱动卷动轴旋转地驱动机构，驱动机构设置于温室大棚旁；步骤二、取原料制成铁皮石斛的培养基质；步骤三、将铁皮石斛种子播种于培养基质中，培养得到铁皮石斛小苗；步骤四、将铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的培养基质中，培养，得到铁皮石斛。
- 铁皮石斛高产种植方法
- [发明专利]铁皮石斛的种植方法-CN201710168464.7在审
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农凯峰
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农凯峰
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2017-03-21
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2017-08-18
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A01G1/00
- 本发明公开了一种铁皮石斛的种植方法，包括步骤一、提供温室大棚环境，进行铁皮石斛的种植，温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于升降机构顶端的罩体，罩体采用不透光材料，罩体在升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、取原料制成铁皮石斛的培养基质；步骤三、首先于温室大棚内铺设培养基质，将铁皮石斛种子播种于培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于温室大棚内铺设培养基质，之后将铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的培养基质中，培养1～2年，得到铁皮石斛。
- 铁皮石斛种植方法
- [发明专利]铁皮石斛的绿色栽培方法-CN201710168473.6在审
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农凯峰
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农凯峰
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2017-03-21
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2017-08-18
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A01G1/00
- 本发明公开了一种铁皮石斛的绿色栽培方法，包括步骤一、提供温室大棚环境内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于升降机构顶端的罩体，温室大棚外壁的中央部位处还设置有遮光部，遮光部包括设置于温室大棚外壁中央的卷动轴、缠绕于卷动轴上的黑色遮光布和驱动卷动轴旋转地驱动机构，驱动机构设置于温室大棚旁；步骤二、制成培养基质；步骤三、培养得到铁皮石斛小苗；步骤四、培养得到铁皮石斛。在步骤三中，当铁皮石斛小苗长出至1cm后，每隔3～5天使用防疫试剂喷洒铁皮石斛1次，每株喷洒1～10mL，在步骤四中，每隔5～10天使用防疫试剂喷洒铁皮石斛1次，每株喷洒8～15mL。
- 铁皮石斛绿色栽培方法
- [发明专利]铁皮石斛的栽培方法-CN201710168479.3在审
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农凯峰
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农凯峰
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2017-03-21
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2017-08-18
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A01G1/00
- 本发明公开了一种铁皮石斛的栽培方法，包括步骤一、提供温室大棚环境，进行铁皮石斛的种植；步骤二、取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土、松树皮、马铃薯、砂石、花生壳、大蒜和蝙蝠粪，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于温室大棚内铺设培养基质，将铁皮石斛种子播种于培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于温室大棚内铺设培养基质，之后将铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温度15～18℃，光周期10～12小时/日，光照度1800～2000lx和湿度40～60％条件下培养1～2年，得到铁皮石斛。
- 铁皮石斛栽培方法
- [发明专利]金线莲的大棚种植方法-CN201610628639.3在审
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2016-08-03
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2016-12-07
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A01G1/00
- 本发明公开了一种金线莲的大棚种植方法，包括：大棚建设；在大棚内设置多个支撑架，在支撑架上放置育苗盘；在多个支撑架的底部设置排水沟，之后安装多个喷灌装置；在育苗盘内铺设种植基质，将金线莲种苗消毒后种植于种植基质中，通过喷灌装置向种植基质中喷水，淋透种植基质。本发明通过设置喷灌装置，在后期能节省大量人力，且能合理控制水、肥和营养液的施入量，通过设置填料层，能将种植基质中多余的水分进行过滤后，通过排水沟排出，使种植基质既能达到适宜的湿度，又不会积水，能提高金线莲的成活率，从而能提高金线莲的产量。
- 金线莲大棚种植方法
- [发明专利]黑灵芝栽培方法及栽培基质-CN201610361899.9在审
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2016-05-27
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2016-10-26
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A01G1/04
- 本发明公开了一种黑灵芝栽培方法，包括：A、配制栽培基质；B、装盘：将步骤A中配制的栽培基质装入栽培盘中，栽培盘包括盘体、井子格和盘盖，井子格设于盘体的内部，以使内部被分割成多个大小均一的长方体，盘盖设于盘体的顶部，盘盖上还设有密封条，且井字格和盘盖均与盘体可拆卸连接；装盘时，先将栽培基质装入内部并整平压实，再将井子格插入内部并在长方体的中部打一圆柱形孔，最后盖上盘盖；C、灭菌；D、接种；E、菌丝培养；以及，F、覆土栽培；一种黑灵芝栽培基质，主要由榴莲壳屑、核桃壳屑、花生壳屑、腐殖土、羊角灰、仙人掌、碎米荠、葡萄糖、石膏粉和水组成。本发明具有装料效率高，环保，黑灵的芝产量高、品质好等优点。
- 灵芝栽培方法基质
- [发明专利]一种砂仁的种植方法-CN201510269019.0在审
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2015-05-24
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2015-08-19
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A01G1/00
- 本发明提供一种砂仁的种植方法，包括以下步骤；选种、种子预处理、种子包衣处理、选地整地、播种、养殖彩带蜂、分株定植、病虫防治、强花壮果、田间管理和采收。本发明的有益效果是通过包衣处理种子，提高抗逆性、抗病性，加快发芽，促进成苗，增加产量；通过在砂仁种植地养殖彩带蜂，极大提高砂仁的授粉率，增强砂仁的抗病性和抗逆性，并减少人工成本；通过向砂仁喷施壮果蒂灵，有效提高坐果率，促进果实发育，确保无畸形、无空壳以及无枇粒；提供了针对砂仁种植中最易出现的立枯病、叶斑病和冠心虫病的防治方法，并通过了试验方法验证了这些方法的有效率均高达90％以上，有效防治了砂仁种植中的病害，对提高砂仁产量有显而易见的影响。
- 一种砂仁种植方法
- [发明专利]一种金线莲的育苗方法-CN201410383427.4有效
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农凯峰
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宁明县红枫中药材种植专业合作社
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2014-08-06
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2014-12-10
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A01H4/00
- 本发明公开了一种金线莲的育苗方法，包括：步骤一，选取植株健壮、叶脉分明且已过花期的金线莲，取其地上和地下部分之间的2～4cm的一段主茎，将剩余部分捣碎形成溶液，向溶液中加入1％～2％吐温-20，之后将主茎置于溶液中，在4℃处理24～72h；步骤二，将步骤一中处理过的主茎置于1/3～1/2MS固体培养基上生长10～15天得到生根后的幼苗，培养期间采用全日光照；步骤三，将步骤二得到的幼苗移至1/4～1/3MS液体培养基中培养50～60天，并将步骤一中的金线莲溶液加入到MS液体培养基中；步骤四，将固体基质装于可降解材料制成的杯状容器中，将步骤三得到的幼苗移栽到所述固体基质中培养20～40天。
- 一种金线莲育苗方法
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