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[实用新型]进气装置-CN201320504645.X有效
发明人：谭华强;乔徽;林翔;苏育家 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种进气装置。包括层叠设置的主体部分和热壁层，所述主体部分包括第一气体腔室，所述主体部分和热壁层之间的区域构成第二气体腔室，所述第一气体腔室具有第一气体管路、所述第二气体腔室具有第二气体管路，所述第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体。相比而言，本实用新型能够吸收由进气装置下方的托盘产生的热量，使得在进气装置下表面的预反应生成的颗粒会变得致密，不容易脱落到托盘上而形成颗粒沾污；而且，第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体，能够减少或避免在热壁层处发生预反应，既能够减少颗粒污染的产生，又能够提高反应气体的利用率。
装置

[实用新型]进气管道以及进气装置-CN201320504654.9有效
发明人：谭华强;乔徽;林翔;苏育家 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种进气管道以及包括所述进气管道的进气装置。所述进气管道具有进气口和出气口，所述进气管道还包括导流件，设置在所述进气口朝向气体腔室的一端，所述导流件能够使得来自气体腔室的反应气体从第一方向渐变至第二方向并进入所述进气口，经过气体管道的出气口流向所述反应区域。由于导流件的存在，使得反应气体能够较为缓和的流出出气口，因此反应区域的气体场的稳定性和均匀性都能够得到有效的改善，进而对衬底膜层的生长有着较大的改善。
管道以及装置

[发明专利]喷淋头及反应腔室-CN201310517831.1无效
发明人：谭华强 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷淋头及反应腔室。所述喷淋头包括自上而下堆叠设置的顶板、气体分配板及冷却板，所述气体分配板包括贯穿所述气体分配板的多个第一通孔，所述气体分配板的下表面具有多个凹陷，所述凹陷设置在所述相邻第一通孔之间的区域，所述冷却板间隔设置有贯穿所述冷却板的第二通孔和第三通孔，所述第三通孔与第一通孔相连通，所述第二通孔与所述凹陷相连通。本发明通过在气体分配板中设置凹陷及通孔，使得气体通道直接通过在气体分配板中设置通孔形成，不需要进行焊接，使得整个喷淋头的结构得到简化，使得制作难度有着明显的降低。
喷淋反应

[发明专利]半导体处理系统、衬底托盘以及机械手-CN201310411110.2无效
发明人：田益西 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体处理系统，包括反应腔、衬底托盘和机械手，所述衬底托盘包括底面，所述机械手包括叉状的两只手指，所述手指包括上表面，所述衬底托盘通过所述底面支撑在所述两个手指的上表面，所述手指的上表面包括定位结构，所述衬底托盘的底面具有与定位结构相配合的配合结构。本发明还提供一种用于如上所述的半导体处理系统的衬底托盘和机械手。本发明提供的半导体处理系统中，所述定位结构与所述配合结构相配合限制所述衬底托盘相对所述手指运动，从而可以固定所述机械手与衬底托盘的相对位置，能够避免所述衬底托盘在所述机械手上偏移。
半导体处理系统衬底托盘以及机械手

[发明专利]喷淋头、气相沉积设备以及热壁板替换方法-CN201310374486.0无效
发明人：周仁 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了一种喷淋头，包括喷淋头体、至少一个气体腔、冷却腔和热壁板，所述热壁板间隔设置于所述喷淋头体的下方，所述热壁板通过若干扣合机构的扣合作用固定于所述喷淋头体下方，所述扣合机构可以通过伸入到所述反应腔中的一机械手解除扣合，从而使得所述热壁板从所述喷淋头体分离。本发明还提供一种包含上述喷淋头的气相沉积设备以及该气相沉积设备的热壁板替换方法。本发明提供的喷淋头可以使用一机械手将所述扣合机构扣合或解除扣合，从而将所述热壁板安装到所述喷淋头体上，或将所述热壁板从所述喷淋头体上卸载下来，以方便地自动更换所述热壁板。
喷淋沉积设备以及壁板替换方法

[实用新型]沉积设备以及旋转装置-CN201320360851.8有效
发明人：黄允文 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及沉积设备，该沉积设备包括反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；用于带动所述旋转台转动的旋转装置，所述旋转装置包括：支撑座、筒状外壳以及旋转支撑轴，所述筒状外壳一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔，所述旋转支撑轴套设在所述筒状外壳内，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并与所述反应腔中的所述旋转台连接，所述筒状外壳内嵌设有旋转驱动机构，所述旋转驱动机构包括一对配合使用的定子和转子，所述定子安装于所述筒状外壳的内壁，所述转子安装于所述旋转支撑轴上。本实用新型还提供一种旋转装置。本实用新型的所述旋转驱动机构可以设置于所述筒状外壳内，结构简单，安装、维护方便。
沉积设备以及旋转装置

[实用新型]一种用于光学特性参数测试的LED外延结构-CN201320387474.7有效
发明人：梁秉文 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于光学特性参数测试的LED外延结构，其包括在衬底上依次形成的缓冲层、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，在第二半导体层上设有第一透明导电层，LED外延结构中设有封闭的隔离槽，隔离槽环绕部分LED外延结构，形成测试岛，测试岛作为测试区域；其中，隔离槽至少贯穿第一透明导电层、第二半导体层和量子阱层，并且隔离槽位于缓冲层之上。另外，在第一透明导电层上还设有第二透明导电层，第二透明导电层向测试岛周围延伸而形成延伸部，该延伸部用于放置接触电极。本实用新型的用于光学特性参数测试的LED外延结构，将测试区域面积固定，并且将接触电极与测试岛的接触面积固定，在测试过程中提高了测试的精度以及准确度。
一种用于光学特性参数测试 led 外延结构

[实用新型]用于外延沉积III-V材料层的反应腔-CN201320347098.9有效
发明人：李王俊;叶芷飞 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制作技术设备，是一种用于外延沉积III-V材料层的反应腔，所述反应腔包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；位于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部，并与所述衬底托盘相对设置的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底托盘之间限定为反应区，所述喷淋头用于往所述反应区喷射反应气体；所述喷淋头包括III族源扩散腔、V族源扩散腔和油冷却腔，所述III族源扩散腔和所述V族源扩散腔设置在所述油冷却腔背离所述加热器的一侧。本实用新型能扩大沉积气源的输出温度范围内调整，可避免沉积气源在喷淋头出气面上形成疏松沉积物而容易脱落污染衬底，能适应现有工艺要求。
用于外延沉积 iii 材料反应

[实用新型]半导体制造系统-CN201320361049.0有效
发明人：任杰;黄颖泉 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体制造系统，所述半导体制造系统包括：控制装置及半导体设备，所述控制装置与所述半导体设备相互连接，使得所述控制装置与所述半导体设备之间能够通信；所述控制装置包括显示设备，所述显示设备上显示图形化图标；所述控制装置用于在所述显示设备上的图形化图标被触发时，控制所述半导体设备的工作状态和/或获取所述半导体设备的工作状态。相对于现有技术中的通过以文字形式呈现的任务条进行选择，本实用新型提供的显示设备更加直观，从而便于操作，进而能对半导体设备准确控制。
半导体制造系统

[实用新型]用于外延沉积III-V材料层的反应腔-CN201320346387.7有效
发明人：黄允文 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制作技术设备，用于外延沉积III-V材料层的反应腔，包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；设置于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部的喷淋头，所述反应腔还包括位移装置，以及设置于所述喷淋头与所述衬底托盘之间的吸热板；所述位移装置用于调整所述吸热板与喷淋头之间的距离以控制所述吸热板面向所述加热器一侧表面的温度，所述喷淋头向所述吸热板与所述衬底托盘之间所限定的反应区输出反应气体。本实用新型使喷淋头与吸热板之间的距离可调，使得反应气体的出气面温度可控。
用于外延沉积 iii 材料反应

[实用新型]一种用于化学气相沉积工艺的衬底及石墨盘-CN201320326603.1有效
发明人：田益西 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供用于化学气相沉积工艺的石墨盘和衬底，其特征在于：所述衬底形状呈扇形，为了能够利用现有的圆形衬底制作，扇形衬底的扇形圆心角为360°/N，N为大于等于2且小于等于6的自然数。本实用新型还提出了一种石墨盘，具有衬底承载面，所述衬底承载面设有用于容置所述衬底的收容槽。本实用新型提供的扇形衬底在石墨盘上可以排列的比圆形衬底更为紧密，提高了石墨盘的利用率，提高了化学气相沉积设备的产量；且相对于多边形衬底，本实用新型提供的扇形衬底可以由一个圆形衬底分割而成，既便于加工制作，又避免衬底材料的浪费，降低了生产成本，满足了应用的要求。
一种用于化学沉积工艺衬底石墨

[发明专利]反应腔室-CN201310333067.2无效
发明人：谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种反应腔室，包括：反应室、喷淋头、托盘、抽气装置和限流环；其中，所述喷淋头、托盘、抽气装置和限流环均设置于所述反应室的内部；所述喷淋头向所述托盘喷射反应气体以在所述喷淋头与所述托盘之间形成气流；所述喷淋头中靠近所述托盘的一侧设置有聚气环，所述聚气环使得喷淋头喷出的气流聚集喷向所述托盘；所述抽气装置使得所述气流从所述托盘的周围排出；所述托盘的周围设置有限流环，所述限流环高出所述托盘的上表面，且所述限流环的内径大于所述聚气环的内径。在本发明提供的反应腔室中，在托盘的周围增设了限流环，以降低托盘边缘区域的气流流速，从而提高了气流分布的均匀性，进一步使得CVD沉积的均匀性得以提高。
反应

[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔-CN201310345361.5无效
发明人：田益西;黄允文 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷淋头以及包括所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述喷淋头包括壳体部和密封部，所述壳体部包括相对间隔设置的顶板和底板以及多个第一气管，所述多个第一气管贯穿所述顶板和底板并与所述顶板和底板相互固定；所述壳体部具有开口，所述密封部用于密封所述壳体部的开口。由于开口的存在，使得对喷淋头内部进行的清洗变得方便，可以更好的控制喷淋头内部的洁净度。
喷淋以及沉积反应

[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔-CN201310360284.0无效
发明人：谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于气相沉积反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头包括依次层叠设置的第一源气体腔、冷却腔和第二源气体腔，所述第二源气体腔邻近所述反应区域设置，所述第一源气体腔和所述第二源气体腔分别与所述反应区域连通；所述第一源气体腔与至少一第一气管连通，所述第一气管穿过所述冷却腔和第二源气体腔，并连通所述反应区域；所述第一气管至少位于所述第二源气体腔内的部分的外壁设置有隔热层。本发明的喷淋头能够减少所述第一反应气体和第二反应气体之间热交换，减少第一反应气体和第二反应气体之间的温度相互影响，有利于第一反应气体和第二反应气体对不同温度条件的要求。
喷淋以及沉积反应

[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔-CN201310347789.3无效
发明人：梁秉文 -专利权人： 光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了一种喷淋头，所述喷淋头用于向气相沉积的反应腔中气体反应区域输出反应气体，所述喷淋头至少包括第一源气体腔、冷却腔和离子化腔，所述第一源气体腔用于向所述气体反应区域输出第一源气体，所述离子化腔用于向所述气体反应区域输出离子化的第二源气体。本发明还提供一种包含上述喷淋头的气相沉积反应腔。本发明提供的喷淋头的所述离子化腔将所述第二源气体进行离子化，提高所述第二源气体的离子化效率，可以降低所述气体反应区域的温度，使得衬底的温度降低，从而提高气相沉积的效率、降低制造成本、提高LED芯片的良率。
喷淋以及沉积反应

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