基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法,本发明涉及FLASH替代EEPROM的数据存储方法。本发明是为了解决现有低成本汽车组合仪表的存储器成本高和存储器数据线易受干扰导致数据错误或丢失的问题。本发明首先将待保存的16进制数据依次写入Bank B of Flash A的SA1空间内,在SA1空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA2内写入,同时将SA1的空间擦除;SA2空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA1内写入,并将SA2空间数据擦除。如此交替将数据写入FLASH分区,FLASH的可擦写次数10万次,满足存储使用要求。本发明应用于数据存储领域。