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[发明专利]光掩模坯、光掩模及其制作方法-CN201310724734.X有效
发明人：吉川博树;洼田宽;木名濑良纪;冈崎智;丸山保;原口崇;岩片政秀;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm‑1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
光掩模坯光掩模及其制作方法

[发明专利]光掩模基板以及光掩模制作方法-CN201310245718.2有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
光掩模基板以及光掩模制作方法

[发明专利]光掩模基板以及光掩模制作方法-CN201310245719.7有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
光掩模基板以及光掩模制作方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模及其制作方法-CN201210160739.X有效
发明人：吉川博树;洼田宽;木名濑良纪;冈崎智;丸山保;原口崇;岩片政秀;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
光掩模坯光掩模及其制作方法

[发明专利]光掩模基板和光掩模-CN201210112732.0有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
光掩模基板光掩模

[发明专利]光掩模基板以及光掩模制作方法-CN201110383933.X有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
光掩模基板以及光掩模制作方法

[发明专利]光掩模基板和光掩模-CN200710146403.7有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
光掩模基板光掩模

[发明专利]光掩模坯-CN200710167651.X有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯，光掩模坯具有一层光屏蔽膜和一层或多层铬基材料膜，光屏蔽膜由一个单独的层或多个层构成，一个单独的层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成，多个层中包括至少一层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成。高的过渡金属含量确保了电导率，防止了在光掩模制造工艺中的充电，并且还提供了在光掩模制造中清洗时的足够的化学稳定性。对于存在氯和氧的情况下的铬基材料膜的干法刻蚀，光屏蔽膜具有良好的阻抗，从而确保了高加工精度。
光掩模坯

[发明专利]光掩模基板以及光掩模制作方法-CN200710136300.2有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
光掩模基板以及光掩模制作方法

[发明专利]光掩模坯料及光掩模-CN200580036565.4有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
光掩模坯料

[发明专利]光掩模坯件、光掩膜及其制造方法-CN200580029571.7无效
发明人：吉川博树;稻月判臣;木名濑良纪;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。
光掩模坯件光掩膜及其制造方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模及其制作方法-CN200610107711.4有效
发明人：吉川博树;洼田宽;木名濑良纪;冈崎智;丸山保;原口崇;岩片政秀;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm^－1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
光掩模坯光掩模及其制作方法

[发明专利]半透明叠层膜、光掩模坯料、光掩模及其制造方法-CN200610001086.5有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;木名濑良纪;冈崎智;森田元彦;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d⁽⁺⁾、折射率为n⁽⁺⁾、消光系数为k⁽⁺⁾，使相位滞后膜的膜厚为d^(－)、折射率为n^(－)、消光系数为k^(－)时，进行设计，使相位超前膜为k^(－)＞a₁·n^(－) +b₁，使相位滞后膜为k^(－)＜a₂·n^(－) +b₂。系数a及b为a₁＝0.113·d⁽⁺⁾+0.774，b₁＝－0.116·d⁽⁺⁾－0.281，a₂＝0.113·d^(－) +0.774，b₂＝－0.116·d^(－)－0.281。
半透明叠层膜光掩模坯料及其制造方法

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