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[发明专利]摄像装置-CN201710075462.3有效
发明人：平濑顺司;佐藤好弘;高见义则;高濑雅之;村上雅史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种抑制了暗电流的摄像装置。本发明的摄像装置具备半导体层和像素单元。像素单元具备：第1导电型的杂质区域，位于半导体层内；光电变换部，位于半导体层的上方，电连接于杂质区域；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极电极，第1源极及第1漏极的一方与杂质区域电连接；第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2导电型的第2栅极电极，包含杂质区域作为第2源极及第2漏极的一方，第2栅极电极与杂质区域电连接；第3晶体管，具有第3源极、第3漏极及第3栅极电极，第3栅极电极与光电变换部电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像装置及相机系统-CN202180087529.X在审
发明人：村上雅史;荘保信;佐藤好弘;西村佳寿子;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：摄像装置(101)具备电荷积蓄部(37)、具有第1源极、第1漏极以及与所述第1源极或所述第1漏极中的一方电连接的第1栅极电极的第1晶体管(81)、以及保持所述电荷且具有第1端子的第1电容元件(71)，所述第1源极及所述第1漏极中的一方被供给固定电位，而且与所述电容元件的所述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。
摄像装置相机系统

[发明专利]摄像装置及照相机系统-CN201810256675.0有效
发明人： 佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供降低了kTC噪声的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；多个像素；信号线，沿第一方向延伸，传送多个像素的输出；多个像素分别具备：光电变换部；电荷储存区域；放大晶体管，栅极连接到电荷储存区域，将与储存电荷的量对应的信号向信号线输出；第一电容元件，具有第一端子、第二端子，第一端子连接到电荷储存区域；第二电容元件，具有第三端子、第四端子，第三端子连接到第二端子，第四端子连接到基准电位；反馈晶体管，源极及漏极的一方连接到第二端子；反馈电路，使放大晶体管的输出经由反馈晶体管向电荷储存区域负反馈；反馈路径中的从反馈晶体管到第一电容元件的路径位于比信号线更靠半导体基板一侧。
摄像装置照相机系统

[发明专利]摄像装置-CN202180061810.6在审
发明人：金原旭成;佐藤好弘;山田隆善;仲顺秋男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04N25/57 文献下载
摘要：摄像装置具备：对置电极；光电转换层，将光转换为信号电荷；多个像素电极，各自收集信号电荷，所述多个像素电极具有多个组，该多个组的各个组包括高灵敏度像素所包括的第1像素电极、以及低灵敏度像素所包括的第2像素电极；以及辅助电极，在平面图中位于多个组的各个组中的第1像素电极与第2像素电极之间，被共通地包括在高灵敏度像素和低灵敏度像素中。在多个组的各个组中，第1像素电极与辅助电极之间的距离不同于第2像素电极与辅助电极之间的距离。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202180052016.5在审
发明人：山田隆善;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：摄像装置具备：像素区域，包括第1基板部且设置有多个像素；以及周边区域，包括第2基板部而未设置像素。所述第1基板部及所述第2基板部被包含在1个半导体基板中。所述多个像素各自包括：第1电极；第2电极；光电转换层，位于所述第1电极与所述第2电极之间；以及电荷积蓄区域，被设置于所述第1基板部。所述像素区域包括：多个第1通孔，贯通所述第1基板部；以及多个第1贯通电极，各自被设置于所述多个第1通孔之中的对应的第1通孔，将所述第1电极与所述电荷积蓄区域电连接。所述周边区域包括：多个第2通孔，贯通所述第2基板部；以及多个第2贯通电极，各自被设置于所述多个第2通孔之中的对应的第2通孔。作为所述多个第1贯通电极的面积相对于所述像素区域的面积之比的所述多个第1贯通电极的面积密度，与作为所述多个第2贯通电极的面积相对于所述周边区域的面积之比的所述多个第2贯通电极的面积密度不同。
摄像装置

[发明专利]摄像元件、摄像装置及摄像系统-CN202180038713.5在审
发明人：西谷贵幸;太田宗吾;三宅康夫;佐藤好弘;西村佳寿子;小林努 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像元件(100a)具备半导体基板(109)、第1光电转换部(21)和第2光电转换部(22)。在半导体基板(109)设置有电荷积蓄区域(108)。第2光电转换部(22)位于第1光电转换部(21)与半导体基板(109)之间。第1光电转换部(21)包括第1对置电极(102)、第1像素电极(104)和第1光电转换层(103)。第1光电转换层(103)位于第1对置电极(102)与第1像素电极(104)之间。第2光电转换部(22)包括第2对置电极(105)、第2像素电极(107)和第2光电转换层(106)。第2光电转换层(106)位于第2对置电极(105)与第2像素电极(107)之间。电荷积蓄区域(108)与第1像素电极(104)及第2像素电极(107)电连接。
摄像元件装置系统

[发明专利]摄像装置-CN202180034560.7在审
发明人： 佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：有关本公开的一技术方案的摄像装置具备第1电极、第2电极、光电变换层、基板和贯通电极。上述光电变换层位于上述第1电极与上述第2电极之间，将光变换为电荷。上述基板包括贯通孔和第1晶体管，上述第1晶体管包括作为源极及漏极中的一方发挥功能的第1杂质区域、作为上述源极及上述漏极中的另一方发挥功能的第2杂质区域以及及第1栅极电极。上述第1杂质区域包括积蓄上述电荷的电荷积蓄区域。上述贯通电极设置在上述贯通孔内，将上述第1电极与上述电荷积蓄区域电连接。在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2杂质区域与上述贯通电极的距离长。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202080027074.8在审
发明人：留河优子;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备半导体基板以及多个像素。多个像素中的各个像素包括第1电容元件，该第1电容元件包括被设置于半导体基板的上方的第1电极、被设置于半导体基板的上方的第2电极、以及位于第1电极与第2电极之间的介电体层。第1电极及第2电极中的至少一方具有：与第1电气元件电连接的第1电接点、以及与不同于第1电气元件的第2电气元件电连接的第2电接点。第1电容元件包括具有沟槽形状的至少1个沟槽部。
摄像装置

[发明专利]固体摄像装置-CN201711055697.2有效
发明人：森三佳;大槻浩久;大森爱幸;佐藤好弘;宫川良平 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素，所述多个像素的每一个具备：第一电压的半导体衬底；金属电极；光电转换层，被形成在所述金属电极上，并将光转换为电信号；透明电极，被形成在所述光电转换层上；电荷积蓄区域，形成在上述半导体衬底中，与所述金属电极电连接，并积蓄来自所述光电转换层的电荷；放大晶体管，输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压；以及复位晶体管，对所述电荷积蓄区域的电位进行复位，在所述复位晶体管导通时，所述复位晶体管的栅极被施加第二电压，在所述复位晶体管断开时，所述复位晶体管的栅极被施加第三电压，所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。
固体摄像装置

[发明专利]摄像元件-CN202080016527.7在审
发明人： 佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备多个像素。多个像素中的各个像素包括第1光电转换层、第1像素电极、第2光电转换层、第2像素电极、第3光电转换层、第3像素电极、第1对置电极及第2对置电极。第1像素电极、第1光电转换层、第1对置电极、第2光电转换层、第2像素电极、第2对置电极、第3光电转换层及第3像素电极按照该顺序配置。
摄像元件

[发明专利]摄像元件-CN202080016264.X在审
发明人：山田隆善;佐藤好弘;野田泰史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备半导体基板和多个像素。多个像素中的各个像素包括：第1光电转换层、第1像素电极、对半导体基板与第1像素电极进行电连接的第1插塞、第2光电转换层、第2像素电极、以及对半导体基板与第2像素电极进行电连接的第2插塞。在从半导体基板的法线方向观察时，在多个像素之中的第1像素以及与第1像素相邻的多个第2像素中，第1插塞及第2插塞之中的最近的插塞间的距离为像素间距的1/2以上。
摄像元件

[发明专利]摄像元件-CN202080016332.2在审
发明人： 佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备多个像素。多个像素中的各个像素包括：第1光电转换层，将光转换为第1电荷；第1像素电极，收集第1电荷；第2光电转换层，被配置在第1光电转换层的上方，将光转换为第2电荷；以及第2像素电极，收集第2电荷。第1像素电极的面积比第2像素电极(14)的面积小。
摄像元件

[发明专利]摄像装置-CN202080006129.7在审
发明人： 佐藤好弘;高见义则 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，将入射光变换为电荷；第1杂质区域，位于半导体基板中，与光电变换部电连接，包含第1导电型的杂质；与第1杂质区域不同的第2杂质区域，位于半导体基板中，包含第1导电型的杂质；第3杂质区域，位于半导体基板中，在平面视下位于第1杂质区域与第2杂质区域之间，包含与第1导电型不同的第2导电型的杂质；以及第1接触部，位于半导体基板上，与第3杂质区域电连接，包括包含第2导电型的杂质的半导体。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201980056428.9在审
发明人：村上雅史;井上恭典;佐藤好弘;西村佳寿子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：摄像装置(101)具备第1像素(11)。第1像素(11)具有光电转换部(15)、第1电容元件(71)和第1晶体管(72)。光电转换部(15)将入射光转换为信号电荷。第1电容元件(71)包含至少在曝光的期间中与光电转换部(15)电连接的第1端子(71a)、以及第2端子(71b)。第1晶体管(72)包含第1源极和第1漏极，第1源极及第1漏极中的一方与第2端子(71b)电连接，第1源极及第1漏极中的另一方被施加直流电位。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202010842076.4在审
发明人：村上雅史;西村佳寿子;阿部豊;松长诚之;佐藤好弘;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，具备：光电变换部，对入射光进行光电变换并生成电荷；第1晶体管，该第1晶体管的栅极与上述光电变换部电连接，输出与上述电荷对应的电信号；第2晶体管，该第2晶体管的源极及漏极中的一方与上述光电变换部电连接；第1电容，连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；以及第2电容，连接在上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方与基准电位之间。
摄像装置

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