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[发明专利]光电设备-CN201880061200.4有效
发明人：泽维尔·于贡;菲力浦·吉莱;伊万-克里斯多夫·罗宾;扎因·布哈姆里;弗雷德里克·梅西埃;马蒂厄·法博尼耶 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电设备(10)，包括：支撑件(12)；至少一个覆盖支撑件的第一导电层(18)；显示像素电路(Pix)，包括结合到第一导电层的相对的第一表面和第二表面(22，23)，每个显示像素电路包括电子电路(20)，电子电路包括第一表面和与第一表面相对的第三表面(24)，第一表面结合到第一导电层，以及至少一个光电电路(26；42)结合到第三表面并且包括至少一个发光二极管(LED)，至少一个发光二极管的电极通过第三表面连接到电子电路；至少一个第二导电层(34)，覆盖显示像素电路，并在第二表面侧电耦合到显示像素电路的电子电路。
光电设备

[发明专利]光电设备-CN201880061195.7有效
发明人：泽维尔·于贡;菲力浦·吉莱;伊万-克里斯多夫·罗宾;扎因·布哈姆里;弗雷德里克·梅西埃;马蒂厄·法博尼耶 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制光电设备的方法，所述光电设备包括以行和列排列的显示像素，所述光电设备还包括第一电极，其每个连接到至少一行的显示像素；第二电极，其每个连接到至少一列的显示像素；以及用于控制第一电极和第二电极的电路。所述方法包括，在第一阶段，通过同时执行的以下步骤激活连接到第一电极之一和第二电极之一的显示像素：将所述第一电极之一置于第一电势处，将其他第一电极保持在小于第一电势的第二电势处；以及将所述第二电极之一置于小于所述第二电势的第三电势处，将其他所述第二电极保持在大于所述第三电势且小于所述第二电势的第四电势处。
光电设备

[发明专利]光电器件-CN202180067052.9在审
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;埃里克·普尔基耶;布鲁诺·莫雷 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(11)，其包括第一电路(13)，第一电路(13)包括从第一电路的第一表面(13i)发射的至少一个发光二极管(LED)并且包括第一和第二电极(23、24)；用于控制发光二极管的第二电路(15)，其被定位在第一电路的与第一表面相对的第二表面(13s)上，包括第一和第二导电垫(31)；以及位于第一和第二电路之间的交界处的导电层(17)，导电层(17)被划分成与第一和第二电路的堆叠正交的第一和第二部分，第一电极经由导电层的第一部分电连接到第一导电垫，并且第二电极经由导电层的第二部分电连接到第二导电垫。
光电器件

[发明专利]发射型LED显示装置制造方法-CN201810336982.X有效
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;珍·贝尔捷;塞维琳·谢拉米;蕾雅·狄·西奥克西奥 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造发射型LED显示装置的方法，包括以下步骤：a)形成多个芯片，其中每个芯片包括至少一个LED，并且在连接表面上包括多个亲水性电连接区域和疏水性区域；b)形成传送基板，该传送基板针对每个芯片包括多个亲水性电连接区域和疏水性区域；c)将液体的液滴布置在传送基板的每个电连接区域和/或每个芯片的每个电连接区域上；并且d)通过使用液滴的毛细回复力使芯片的电连接区域与传送基板的电连接区域对准，以由直接结合而将芯片贴附到传送基板。
发射 led 显示装置制造方法

[发明专利]用于捕捉或发射物理量的电子器件及制造方法-CN202180057350.X在审
发明人：弗雷德里克·马耶尔;弗雷德里克·梅西埃;埃尔文·多内尔;伊万-克里斯多夫·罗宾 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：公开一种用于捕捉或发射物理量的电子器件(10)，包括下支撑件(11)；下导电元件(12)；包括有源部分的有源元件(13)，并且每个有源元件(13)包括电连接到至少一个下导电元件(12)的下部(13a)和上部(13b)；上导电元件(14)；其中，每个有源元件(13)的上部(13b)电连接到上导电元件(14)之一；其中，至少一个第一电绝缘元件(16)被布置在并排设置在下支撑件(11)的支撑表面上的至少两个相邻的有源元件(13)的侧壁(13c)之间；其中，第一电绝缘元件(16)被布置在上导电元件(14)之一和下导电元件(12)之一之间。
用于捕捉发射物理量电子器件制造方法

[发明专利]制造基于LED的发射型显示装置的方法-CN201810443227.1有效
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;休伯特·博诺 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造基于LED的发射型显示装置的基本芯片的方法，每个芯片包括无机半导体LED、用于控制LED的电路以及被布置在芯片的连接表面上的连接到外部装置的多个区域。
制造基于 led 发射显示装置方法

[发明专利]激光处理装置和激光处理方法-CN202080089847.5在审
发明人：蒂费纳·杜邦;迈赫迪·达努内;奥利维尔·让南;伊万-克里斯多夫·罗宾;弗洛里安·杜邦 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种被配置用于激光处理的装置(20)，该装置包括对激光透明的基板(22)和物体(30)，每个物体经由光子晶体(40)结合到基板。
激光处理装置方法

[发明专利]用于光电装置的伪衬底及其制造方法-CN201880084400.1有效
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;杰罗姆·纳皮尔拉 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光电装置(100)的伪衬底(10)，该伪衬底(10)适于生长发光二极管(11、12、13)，包括衬底(1)和形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的缓冲结构(2)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第一部分(21)，其中由固态氮化镓(GaN)制成的层(211)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第一类型的自由表面(210)，每个自由表面都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射第一波长的光(L1)的发光二极管(11)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第二部分(22)，其中铟和氮化镓(InGaN)层和GaN中间层交替并且其中铟以第一重量比例存在的叠层(221)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第二类型的自由表面(220)，每个第二类型的自由表面(220)都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射不同于所述第一波长的第二波长的光(L2)的发光二极管(12)。所述缓冲结构(2)的所述第二部分(22)在平行于所述衬底(1)的上表面(1a)的平面定向的总体平面(P)上相对于所述缓冲结构(2)的所述第一部分(21)偏移。本发明还描述了一种光电装置(100)和制造方法。
用于光电装置衬底及其制造方法

[发明专利]包括发光二极管的光电器件-CN202080036339.0在审
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;谭维新;弗雷德里克·马耶尔 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件(10)，该光电器件包括至少第一和第二发光二极管(DEL)，该第一和第二发光二极管各自包括第一p型掺杂半导体部分(30)和第二n型掺杂半导体部分(26)、在第一和第二半导体部分之间包括多个量子阱的活性区(28)、覆盖活性区(28)的和第一半导体部分的至少一部分的侧壁(34)的导电层(38)、以及介于活性区(28)的和导电层的至少一部分的侧壁(34)之间的绝缘层(36)。该器件包括用于独立于第二发光二极管的导电层控制第一发光二极管的导电层的装置。
包括发光二极管光电器件

[发明专利]用于采集多视点图像和/或显示多视点图像的光电设备-CN201980091826.4在审
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;弗雷德里克·梅西埃;马蒂厄·法博尼耶;奥利维尔·让南 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本说明书涉及一种用于显示和/或采集多视角图像的光电设备(10)，包括支撑件(12)、搁置在支撑件上的光电电路(Pix)阵列和覆盖光电电路的透镜。每个光电电路包括适合于根据不同视点捕获场景的图像的一个或多个像素的数量N个光敏传感器(25)和/或适合于根据不同视点显示场景的图像的一个或多个像素的数量N个显示电路(30)，N是大于或等于3的自然数。
用于采集视点图像显示光电设备

[发明专利]光电器件-CN201980090655.3在审
发明人：弗雷德里克·马耶尔;弗雷德里克·梅西埃;伊万-克里斯多夫·罗宾;泽维尔·于贡 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(100)，该光电器件包括集成电路，该集成电路包括发光二极管(104)、薄膜晶体管(110)、和电绝缘层的堆叠(126)，所述堆叠(126)位于发光二极管(104)和晶体管(110，504)之间，所述堆叠(126)还包括在所述绝缘层之间并穿过所述绝缘层的导电元件(128，132)，所述导电元件(128，132)将晶体管中的至少一些晶体管连接到发光二极管(104)。
光电器件

[发明专利]电子设备-CN201980083232.9在审
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾;扎因·布哈姆里;菲力浦·吉莱 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造电子设备(550)的工艺，包括以下步骤：a)形成电子芯片板(302)；b)将电子芯片板固定到由可拉伸材料制成的第一载体(400)上；c)移除和/或蚀刻所述板；以及d)拉伸第一载体，以便使芯片远离彼此移动。
电子设备

[发明专利]包括发光二极管的具有改进的光提取的光电器件-CN201980069833.4在审
发明人：蒂费纳·杜邦;伊万-克里斯多夫·罗宾 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(5)，包括：载体(10)，该载体包括面(12)；发光二极管(DEL)，这些发光二极管位于所述面上并且包括为棒状、圆锥状或截头圆锥状的半导体元件(16)；对于每一个发光二极管，封装块(25)，该封装块对由发光二极管发射的辐射是至少部分透明的并覆盖发光二极管，封装块的最大厚度在1pm和30pm之间，在覆盖相邻二极管的封装块之间存在空气空隙(37)；以及导电层(30)，该导电层覆盖封装块，其中覆盖发光二极管中的至少一个的封装块的折射率在1.3和1.6之间。
包括发光二极管具有改进提取光电器件

[发明专利]光电设备-CN201980039921.X在审
发明人： 伊万-克里斯多夫·罗宾 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造光电设备(100)的方法，包括以下步骤：在包括电子部件的集合的板(102)的第一面上形成绝缘层(104，106)和条形导体(105，108)的堆叠；在另一板(122)上形成发光二极管(120)，每个发光二极管包括端部；在第一板的面的至少一部分上形成金属层(110)，并且在第二板的面的至少一部分上形成另一金属层(142)，该另一金属层电耦接到每个发光二极管(120)的端部；使这些金属层接触；形成将板的另一面连接到条形导体(105)的被绝缘的导电过孔(152，154)；以及形成围绕二极管的被绝缘的导电沟槽(160)。
光电设备

[发明专利]发光器件、相关的显示屏以及制造发光器件的方法-CN201980043400.1在审
发明人：张樱蓝;希尔维亚·斯卡林盖拉;伊万-克里斯多夫·罗宾;阿布德海·阿波莱奇 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件(15)，包括：第一发光器(40A)，适于发出第一辐射；以及第二发光器(40B)，适于发出不同于第一辐射的第二辐射。第一发光器(40A)包括第一半导体结构和第一辐射转换器(80)。第二发光器(40B)包括第二半导体结构和第二辐射转换器(80)。每个半导体结构包括适于发出第三辐射的半导体层。每个辐射转换器(80)包括一组能够将第三辐射转换成第一或第二辐射的颗粒。第一辐射转换器(80)的颗粒通过光敏树脂块体附着到表面。第二辐射转换器(80)的颗粒通过接枝而附着到表面。
发光器件相关显示屏以及制造方法

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