专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CMOS集成源的太赫兹超外差正交探测阵列-CN201610897860.9有效
  • 徐雷钧;管佳宁;白雪;仝福成 - 江苏大学
  • 2016-10-14 - 2019-08-02 - H01Q23/00
  • 本发明公开了一种CMOS集成源的太赫兹超外差正交探测阵列。该阵列基于CMOS固态电路超外差探测太赫兹波原理,建立全相位、全集成、高灵敏度的IQ混频全相位探测机制和方法。探索有源分布式多相正交耦合变压器理论及设计方法,构建高灵敏度单片集成探测系统,并围绕辐射环、正交耦合变压器、混频器、振荡器等关键电路模块在CMOS芯片中实现。探测器实现了片上集成源的2×2探测器阵列架构,控制源从芯片背面辐射,探测器在芯片的正面接收信号,有效提高了源与探测器的隔离,解决了源与探测器之间的相互影响问题,并且该装置能够实现0~360°全相位信息的获取,实现被测物体的内部构造3D成像。
  • 一种cmos集成赫兹外差正交探测阵列
  • [发明专利]一种太赫兹片上嵌入多路耦合器的功率合成天线-CN201610898872.3有效
  • 徐雷钧;仝福成;白雪;管佳宁 - 江苏大学
  • 2016-10-14 - 2019-05-31 - H01Q1/38
  • 本发明公开一种太赫兹片上嵌入多路耦合器的功率合成天线,其特征在于,自底向上依次包括地平面、耦合线圈、等长交叉双环天线;该功率合成天线使用标准CMOS工艺,所述地平面上开有环形的地平面开槽,地平面开槽将地平面分割成地平面A和圆形的地平面B,圆形的地平面B位于环形的地平面开槽的中心;所述耦合线圈为带有缺口的环形线圈,缺口处引出两条线接外部工作电路,用于四路差分信号输出;所述耦合线圈包括耦合线圈A、耦合线圈B、耦合线圈C和耦合线圈D;所述等长交叉双环天线包括相互交叉的环A和环B;该太赫兹片上嵌入变压器的功率合成天线,可以作为太赫兹源使用,有利于缩小太赫兹设备的尺寸,降低制作成本。
  • 一种赫兹嵌入耦合器功率合成天线

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