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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810826061.1有效
发明人： 仓智司;日佐光男;坂本圭司;岩崎太一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310148693.4有效
发明人： 仓智司;日佐光男;坂本圭司;岩崎太一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810108448.X无效
发明人：窪田亮;长井信孝;仓智司 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种半导体器件，制造该半导体器件包括如下步骤：形成延伸穿过第一绝缘膜和绝缘中间层的孔，其中，第一绝缘膜和绝缘中间层堆叠在半导体衬底上方，允许孔的内壁的侧蚀刻具体地在绝缘中间层的一部分中进行，从而形成使第一绝缘膜从孔的边缘朝向中心突出的结构；形成下电极膜，该下电极膜在第一绝缘膜的顶表面、侧面和后表面的上方及孔的内壁和底表面的上方延伸；在孔中填充保护膜；去除具体地落在第一绝缘膜的顶表面和侧面的部分中的下电极膜；去除保护膜；以及在孔中形成圆柱电容器。
半导体器件及其制造方法

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