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[发明专利]一种基于雪崩管的高幅值高重频快脉冲产生电路-CN202011010545.2有效
发明人：谢彦召;高铭翔;仇杨鑫;王思琦;王绍飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03K3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩管的高幅值高重频快脉冲产生电路，本发明主要包括隔离器件、充电电容和快速开关，整体电路为各级充电电容经隔离器件并联充电、在开关导通后各级充电电容串联放电产生高幅值脉冲，隔离器件能够有效隔离高幅值脉冲；具有对纳秒/亚纳秒脉冲隔离度高、绝缘能力强、充电速度快等特点，特别适用于高级数Marx电路设计以产生更高幅值的纳秒/亚纳秒脉冲。所述的磁珠和电阻相结合的隔离电路能够兼顾脉冲隔离度和充电速度的需要，满足产生高幅值高重频纳秒/亚纳秒脉冲的需要。
一种基于雪崩高幅值高重频快脉冲产生电路

[发明专利]一种基于指数螺距的正弦折叠螺旋天线-CN202310205300.2有效
发明人：谢彦召;仇杨鑫;王绍飞;张普卿;曾卫东;田爽;于在松;肖勇;王春利 -专利权人：西安热工研究院有限公司;西安交通大学;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种基于指数螺距的正弦折叠螺旋天线，属于宽带辐射天线技术领域，包括螺旋线基体和反射腔；螺旋线基体为正弦折叠螺旋线结构，其展开后线型为正弦曲线，螺旋线基体的中心线高度随匝数呈指数增加；螺旋线基体一端通过馈电点与所述反射腔连接，另一端伸出所述反射腔外部。本发明通过引入了指数渐变螺距结构，提高了天线的圆极化特性；同时加载了反射腔，使得在不增加螺旋天线体积的同时增加了天线增益。与传统螺旋天线对比，本发明的天线体积减小了约50%，且其电场增益、辐射带宽、圆极化特性等辐射特性均优于传统螺旋天线，作为电磁脉冲的辐射装置能够发挥更好的效果。
一种基于指数螺距正弦折叠螺旋天线

[发明专利]一种电磁隔离器以及组合振子天线阵列单元-CN202310078979.3在审
发明人：谢彦召;周彤;仇杨鑫 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁隔离器以及组合振子天线阵列单元，包括介质层、支撑层和金属背板，介质层上表面敷设有损耗层，支撑层夹设于介质层和金属背板之间，采用多损耗谐振结构串联的方式设计损耗层，对电磁波实现低频宽带吸收特性，本发明在大入射角度下仍能够实现低频宽带吸收，当TM波的入射角度为60°时，该电磁吸波隔离器仍能在0.85‑3.03GHz频段范围内保持90％以上的吸收率；当TE波的入射角度为60°时，该电磁吸波隔离器仍能在0.96‑3.13GHz频段范围内保持90％以上的吸收率，有效解决的现有技术中组合振子天线阵列单元间隔离度差的问题。
一种电磁隔离器以及组合天线阵列单元

[发明专利]一种基于雪崩管的脉冲产生系统-CN202310076739.X在审
发明人：谢彦召;仇杨鑫;杨宇;张岚琦;周彤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03K3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩管的脉冲产生系统，包括Marx电路和触发电路，Marx电路包括依次级联的多级雪崩单元，触发电路的输出端与多级雪崩单元中的第一级雪崩单元的输入端连接，被配置为向第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极馈入触发脉冲。相比传统技术中脉冲源电路第一级雪崩管采用基极触发方式，本发明通过触发电路触发第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极，使得集电结势垒区中激励雪崩过程的电子数目增多且电场强度更强，集电结中自由电子的碰撞电离更加激烈，电子在基区的扩散和漂移过程对于雪崩过程的影响变小，从而提高脉冲源的脉冲漂移和脉冲抖动特性，降低多脉冲源功率合成时触发脉冲源的设计难度。
一种基于雪崩脉冲产生系统

[发明专利]一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法-CN202310175784.0在审
发明人：田爽;张岚琦;谢彦召;仇杨鑫 -专利权人：西安热工研究院有限公司;西安交通大学;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本发明公开一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法，脉冲产生电路包括若干级充电电容组成的Marx电路，各级充电电容间设有功率开关，每级充电电容的回路上设有两组隔离电阻与隔离磁珠，首级为外触发级，功率开关通过外部输入脉冲经触发电路陡化后控制，前级电路为预触发级，中间级为集电极过电压导通级，末级为负载单元。该脉冲产生电路可有效降低前级雪崩三极管的发热现象，提升脉冲源重频上限。
一种基于前级预触发高重频快脉冲产生电路方法

[发明专利]基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源-CN202310109759.2在审
发明人：谢彦召;杨宇;仇杨鑫;王绍飞;王异凡;郑一鸣;张恬波;曾明全;龚金龙 -专利权人：西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源，包括：将第一微带线T1、充电电容C1、第二微带线T2和雪崩三极管Q1依次进行连接；雪崩三极管Q1连接第三微带线T3；第三微带线T3、充电电容C2、第四微带线T4和雪崩三极管Q2依次进行连接；充电电容C2和充电电容C1分别与电源Ec连接。本发明通过雪崩三级管并联递增结构的使用，在尽可能减小了微带线宽度增加对输出脉冲波形的不利影响的情况下，有效地增大了高幅值脉冲源的通流能力。而且雪崩管并联递增结构减小了雪崩管的使用个数，节约了成本。
基于雪崩并联递增结构高幅值高重频亚纳秒脉冲