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[其他]木块、利用了该木块的组装体以及家具-CN201790000688.0有效
发明人： 井上慎也 -专利权人： 井上慎也
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： A63H33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种木块、利用了该木块的组装体以及家具，木块(10)能够与具有相同形状以及相同尺寸的其他木块相互结合，其中，在沿规定方向延伸的柱状基材的一个侧面(17)，对称地设置有一对切口(12)。端面(16)的宽度和厚度相等，并且将端面(16)的宽度设为W时，规定方向上的一个侧面(17)的长度为6W，从端面(16)到一侧切口12的距离为W，切口的长度为W，切口的深度为W/2。
木块组装体家具本实用新型方向延伸厚度相等柱状基材侧面对称

[发明专利]含有多层钛氮化物扩散屏障的半导体器件以及其制造方法-CN201780003018.9在审
发明人：天野文贵;石川宪辅;井上慎也;佐野道明 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：半导体器件包含硅表面(1402)、接触硅表面的钛硅化物层(1404)、位于钛硅化物层之上的第一钛氮化物层(1406)、接触第一钛氮化物层的钛氮氧化物层(1512)、接触钛氮氧化物层的第二钛氮化物层(1516)，以及位于第二钛氮化物层之上的金属填充层(84B)。
钛氮化物半导体器件钛氮氧化物钛硅化物层硅表面金属填充层多层屏障扩散制造

[发明专利]粉体状1;4-环己烷二甲酸-CN201780015586.0在审
发明人： 井上慎也;石桥义宏;藤谷贯刚 -专利权人：新日本理化株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C07C61/09 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有优异粉体流动性的高纯度1,4‑环己烷二甲酸的粉体。本发明提供一种高纯度1,4‑环己烷二甲酸的粉体，所述1,4‑环己烷二甲酸的粉体具有：D₁₀在5μm～55μm的范围内、D₅₀在40μm～200μm的范围内、并且D₉₀在170μm～800μm的范围内的粒度分布(体积基准)；0.4g/cm³～0.8g/cm³的松散堆积密度；0.5g/cm³～1.0g/cm³的振实堆积密度；和10％～23％的压缩率。
环己烷二甲酸粉体高纯度堆积粉体流动性粒度分布体积基准粉体状压缩率振实松散

[发明专利]半导体装置-CN201210201462.0有效
发明人：大鹤雄三;武田安弘;杉原茂行;井上慎也 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，即使在以包围与指形状的源电极、漏电极连接的各N＋型源极层、N＋型漏极层的方式构成P＋型接触层的情况下，在施加浪涌电压时各指部的寄生双极晶体管也均匀地接通。以包围互相平行延伸的多个N＋型源极层（9）、N＋型漏极层（8）的方式形成P＋型接触层（10）。在N＋型源极层（9）上、N＋型漏极层（8）上及向与N＋型源极层（9）延伸的方向垂直的方向延伸的P＋型接触层（10）上分别形成金属硅化物层（9a、8a、10a）。经由形成于在金属硅化物层（9a、8a、10a）上堆积的层间绝缘膜（13）的接触孔（14），形成与该各金属硅化物层连接的指形状的源电极（15）、漏电极（16）及包围该指形状的各电极的P＋型接触电极（17）。
半导体装置