专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光电倍增管-CN201010123812.7有效
  • 杉山浩之;下井英树;小玉刚史;木下仁志;河野泰行;井上圭祐 - 浜松光子学株式会社
  • 2010-02-25 - 2010-08-25 - H01J43/04
  • 一种光电倍增管,以防止电子向倍增极之间的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管具备:具有形成有由绝缘材料构成的主面的玻璃基板的箱体、从主面上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的第1级~第N级(N为2以上的整数)倍增极、从第1级倍增极向一端侧偏离而设置并释放光电子的光电面、以及从第N级倍增极向另一端侧偏离而设置并将被倍增了的电子作为信号取出的阳极部。在玻璃基板的主面上,在邻接的2个倍增极之间,形成有表面由绝缘材料构成的沟槽部,第1级~第N级倍增极被固定在与玻璃基板的沟槽部邻接的凸部上。
  • 光电倍增管
  • [发明专利]光电变换装置的制造方法-CN200780009546.1有效
  • 木下仁志;杉山浩之;久嶋浩之;下井英树;井上圭祐 - 浜松光子学株式会社
  • 2007-02-28 - 2009-04-08 - H01J9/26
  • 本发明涉及一种光电变换装置的制造方法,该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下,气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上,依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上,依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内,在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架,形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
  • 光电变换装置制造方法
  • [发明专利]电子管以及电子管的制造方法-CN200680029180.X有效
  • 杉山浩之;井上圭祐;木下仁志;下井英树;久嶋浩之 - 浜松光子学株式会社
  • 2006-06-28 - 2008-08-06 - H01J43/28
  • 光电子倍增管(1)包括外围器(5)和容纳于外围器内的光电面(6),该外围器具有至少在一个端部形成有开口的框架(3b)和气密地接合于该开口的上侧基板(2),该光电面响应于从外部入射的光而向该外围器的内部放出光电子。在开口以及上侧基板的与开口接合的接合部分上分别形成有多层金属膜(10a、10b),该多层金属膜通过向着接合方依次层叠由钛形成的金属膜(11a、11b)、由白金形成的金属膜(12a、12b)、以及由金形成的金属膜(13a、13b)而形成,框架(3b)和上侧基板(2)通过在各多层金属膜之间夹着含有铟的接合层(14)而接合。由于在接合部分上没有形成铬层,因而防止了接合部分的氧化铬的析出,即使在外围器小型化的情况下,也稳定地保持了接合部分的气密性。
  • 电子管以及制造方法
  • [发明专利]光电子倍增器-CN200580005168.0有效
  • 久嵨浩之;下井英树;影山明广;井上圭祐;伊藤益保 - 滨松光子学株式会社
  • 2005-02-16 - 2007-02-28 - H01J43/24
  • 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器,在该外围器内,配置有放射对应入射光的光电子的光电面,级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部,用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是,在电子倍增部,形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部,规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上,设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。
  • 电子倍增器

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