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[发明专利]半导体存储装置-CN201910680408.0有效
发明人： 久保田贤郎;尾崎正一;末松靖弘 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备存储单元阵列、被输入数据的焊盘、连接于焊盘的ODT电路、驱动ODT电路的ODT驱动器、及向ODT驱动器供给使能信号和电阻值控制信号的控制电路。焊盘配置于存储单元阵列与半导体存储装置的第1端边之间，ODT电路配置于焊盘与第1端边之间，ODT驱动器配置于ODT电路与第1端边之间。在ODT驱动器与第1端边之间，配置有传递电阻值控制信号的ODT控制信号线、和传递使能信号的ODT使能信号线。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202110496040.X在审
发明人：松野隼也;久保田贤郎;堂目正人;山本健介;白石圭;佐藤一彦;福田良;小柳胜 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置包含第1电路、第2电路及第3电路。所述第1电路构成为，接收电压在第1电平与第2电平之间切换的第1信号，相应于所述第1信号的电压为所述第1电平而将第1电压输出到第1节点，相应于所述第1信号的电压为所述第2电平而将第2电压输出到第1节点。所述第1电压高于所述第2电压。所述第2电路构成为，连接在所述第1节点，将基于所述第1节点的电压产生的数据锁存。所述第3电路包含第1反相器，所述第1反相器具有连接在所述第1节点的第1输入端子、及连接在所述第1节点的第1输出端子。
半导体装置