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[发明专利]直线运动装置驱动控制方法和驱动控制系统-CN202011579918.8有效
发明人：王卫;袁骁霖;关志强;李娅;唐莹;孙腾达 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：直线运动装置驱动控制方法和驱动控制系统，其中，所述驱动控制方法包括：根据应用系统的请求，从多个预置驱动序列中选取目标驱动序列，其中，每个所述预置驱动序列均由多个幅度‑时间对构成，各所述预置驱动序列的目标稳定时间均小于所述直线运动装置中被驱动对象的谐振周期，且所述被驱动对象的谐振周期在所述多个预置驱动序列执行前，已基于预先设置存储；将所述目标驱动序列转换为相应的目标驱动信号，以驱动所述直线运动装置中被驱动对象运动至目标位置。上述方案能够缩短直线运动装置的稳定时间，提升其用户体验。
直线运动装置驱动控制方法控制系统

[发明专利]体声波谐振器的封装方法及封装结构-CN201910656701.3有效
发明人：罗海龙;李伟;齐飞 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波谐振器的封装方法及封装结构，通过在第二衬底上形成具有第二空腔的弹性键合材料层，由此来制作谐振器盖体，然后可以通过这个谐振器盖体上的弹性键合材料层来使得谐振器盖体与谐振腔主体结构直接键合，并使得弹性键合材料层失去弹性，之后可以在谐振器盖体上形成穿通孔以及覆盖在穿通孔内表面上的导电互连层。此种工艺不仅具有低成本、工艺简单以及跟谐振腔主体结构工艺高度相容的特点，不会造成金‑金键合工艺的污染问题，能最大限度地降低对第一空腔的影响，且可以在键合过程中利用弹性键合材料层的弹性来容忍体声波谐振结构在第一空腔外围的区域上具有一定的台阶高度差异，能够保证键合的可靠性和稳定性。
声波谐振器封装方法结构

[发明专利]晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法-CN201811643174.4有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔以及在基板中形成上空腔，并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合，以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间，从而实现晶体谐振器和控制电路的集成设置，此外还将半导体芯片进一步键合至同一半导体衬底上，有利于实现片上调制晶体谐振器的参数，提高器件性能。并且，相比于传统的晶体谐振器，本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸，有利于降低晶体谐振器的功耗，以及本发明中的晶体谐振器也更易于与其他半导体元器件集成，从而能够提高器件的集成度。
晶体谐振器控制电路集成结构及其方法

[发明专利]晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法-CN201811643124.6有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔以及在基板中形成上空腔，并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合，以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间，从而实现晶体谐振器和控制电路的集成设置。并且，还可将半导体芯片进一步键合至同一器件晶圆的背面上，有利于进一步提高晶体谐振器的集成度，并实现片上调制晶体谐振器的参数。相比于传统的晶体谐振器，本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸，有利于降低晶体谐振器的功耗，以及本发明中的晶体谐振器也更易于与其他半导体元器件集成，从而能够提高器件的集成度。
晶体谐振器控制电路集成结构及其方法

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811615849.4有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元和互连结构，并在第一表面设有第一接触垫，MEMS芯片具有微腔、用于连接外部电信号的第二接触垫以及接合面，所述MEMS芯片的微腔具有与芯片外部连通的通孔，MEMS芯片通过接合层排布于第一表面，接合层中具有开口，第一接触垫和第二接触垫电连接，再布线层设置于与第一表面相对的第二表面。所述MEMS封装结构实现了MEMS芯片与器件晶圆的电性互连，相对于现有集成工艺可以缩小尺寸，并且同一器件晶圆上可集成相同或不同的结构和功能的MEMS芯片。本发明另外提供了一种MEMS封装结构的制作方法。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811615834.8有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，MEMS芯片具有微腔和用于连接外部电信号的接触垫，所述MEMS芯片的微腔具有与外部连通的开口，器件晶圆中设置有与所述MEMS芯片对应的控制单元，互连结构设置于器件晶圆中并与接触垫和所述控制单元均电连接，在器件晶圆的第二表面设置有与互连结构电连接的再布线层。通过将MEMS芯片和再布线层分别设置在器件晶圆的两侧，有利于缩小MEMS封装结构的尺寸，同一器件晶圆上可集成多种MEMS芯片，有利于满足实际应用中对MEMS封装结构的功能集成能力的要求。本发明另外提供了一种MEMS封装结构的制作方法。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811615842.2有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元和互连结构，并在第一表面设有第一接触垫，所述MEMS芯片具有封闭的微腔、用于连接外部电信号的第二接触垫以及接合面，所述MEMS芯片通过接合层接合于第一表面，接合层中具有开口，第一接触垫和第二接触垫电连接，再布线层设置于与第一表面相对的一侧。所述MEMS封装结构实现了MEMS芯片与器件晶圆的电性互连，相对于现有集成工艺可以缩小尺寸，并且同一器件晶圆上可集成相同或不同结构和功能的MEMS芯片。本发明另外提供了一种MEMS封装结构的制作方法。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811615846.0有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元以及互连结构，器件晶圆的第一接合面设置有的第一接触垫和输入输出连接件，MEMS芯片通过接合层接合于第一接合面，MEMS芯片具有封闭的微腔、第二接触垫，其中第一接触垫与相应的第二接触垫电连接，接合层中具有开口，所述开口露出输入输出连接件。上述MEMS封装结构实现了MEMS芯片与器件晶圆的电性互连，相对于现有集成方法可以缩小封装结构的尺寸，同一器件晶圆上可集成多种MEMS芯片，有助于提高封装结构的功能集成能力。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811614217.6有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元以及互连结构，器件晶圆的第一接合面设置有第一接触垫和输入输出连接件，MEMS芯片通过接合层在第一接合面上并列排布，MEMS芯片具有微腔和第二接触垫，所述MEMS芯片的微腔具有与芯片外部连通的通孔，其中第一接触垫与相应的第二接触垫电连接，接合层中具有露出输入输出连接件的开口。上述MEMS封装结构相对于现有集成方法可以缩小封装结构的尺寸，并且同一器件晶圆上可集成多种MEMS芯片，因而可同时提高封装结构的功能集成能力。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法-CN201811647856.2有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在器件晶圆中形成下空腔以及在基板中形成上空腔，并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合，以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间，并使下空腔和上空腔分别对应在压电谐振片的两侧以构成晶体谐振器，同时还使晶体谐振器电连接控制电路，实现了晶体谐振器和控制电路的集成设置。相比于传统的晶体谐振器，本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸，有利于降低晶体谐振器的功耗，并且本发明中的晶体谐振器更也易于与其他半导体元器件集成，从而能够提高器件的集成度。
晶体谐振器控制电路集成结构及其方法

[发明专利]晶体管的制作方法及全包围栅极器件结构-CN201811602315.8有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种晶体管的制作方法及全包围栅极的器件结构，包括：基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底；在顶层衬底形成源极区和漏极区，在源极区和漏极区之间形成沟道区，源极区至漏极区的方向为第一方向，垂直第一方向为第二方向；在第二方向上，沟道区两侧形成贯穿顶层衬底的孔；通过孔刻蚀孔下方及沟道区下方的绝缘层，以形成空腔，空腔与孔连通；形成栅极结构，覆盖所述沟道区上表面、所述孔和所述空腔靠近沟道区的壁面，所述栅极结构包括栅介质层及覆盖所述栅介质层的栅极，从而在沟道区的两侧及上下表面形成全包围的栅极结构，增加栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压，同时提高电流Ids，简化MOS晶体管的栅极绝缘层的生长工艺。
晶体管制作方法包围栅极器件结构

[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法-CN201811614185.X有效
发明人：秦晓珊 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，MEMS芯片接合于器件晶圆的第一表面，MEMS芯片具有封闭的微腔和用于连接外部电信号的接触垫，器件晶圆中设置有控制单元以及与接触垫和控制单元均电连接的互连结构，在器件晶圆的第二表面设置有与互连结构电连接的再布线层。通过将MEMS芯片和再布线层分别设置在器件晶圆的两侧，有利于缩小MEMS封装结构的尺寸，并且同一器件晶圆上可集成多个具有相同或不同的结构和功能的MEMS芯片。本发明另外提供了一种MEMS封装结构的制作方法。
mems 封装结构及其制作方法

[发明专利]热电堆传感器的制作方法-CN202010615245.0有效
发明人：黄河 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：一种热电堆传感器的制作方法，所述方法包括：提供热电堆结构板和电路基板；在所述电路基板上形成热辐射反射板；在所述电路基板具有所述热辐射反射板一侧形成图形化的牺牲结构，所述牺牲结构在所述电路基板的投影至少覆盖所述热辐射对应区；将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有牺牲结构一侧的表面上，使键合后，所述热辐射感应区与所述热辐射对应区垂直对应；去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成第一空腔，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成第一空腔，从而提高器件精度。
热电传感器制作方法

[发明专利]热电堆传感器的制作方法-CN202010617243.5有效
发明人：黄河 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射隔离板和热辐射反射板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层；将所述电路基板与所述热电堆结构板键合，使所述第一沟槽夹设在所述热电堆结构板和所述电路基板之间形成第一空腔，所述热辐射反射板和所述热辐射隔离板均位于所述热电堆结构的下方。本发明实施例所提供的热电堆传感器的制作方法所得的热电堆传感器可以避免红外辐射的流失，提高测量精度。
热电传感器制作方法

[发明专利]热电堆传感器的制作方法-CN202010617265.1有效
发明人：黄河 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种热电堆传感器的制作方法，包括提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射反射板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层，所述热辐射反射板位于所述第一沟槽的下方；将所述支撑层与所述热电堆结构板键合，使所述第一沟槽夹设在所述热电堆结构板和所述电路基板之间形成第一空腔，所述热辐射反射板位于所述热电堆结构的下方。本发明实施例所提供的热电堆传感器的制作方法所得的热电堆传感器可以避免红外辐射的流失，提高测量精度。
热电传感器制作方法

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