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[发明专利]等离子体发生器及等离子体产生方法-CN201180064583.9在审
发明人：宫本诚;竹之下一利;熊谷悠纪;中山阳子;野岛秀雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明实现了通过活性物种除臭的功能和通过将活性物种释放到装置外部来杀灭浮游菌和附着菌的功能。本发明设置有一对电极（21,22），电极（21）在面向电极（22）的表面上布置有介电膜（21a），电极（22）在面向电极（21）的表面上布置有介电膜（22a），其中，当在电极（21,22）之间施加预定电压时，等离子体放电。本发明以将流体流通孔（21b，22b）在对应的位置上设置在每个电极（21,22）上且穿过每个电极（21,22）设置的方式进行构造，并且其特征在于当从该电极的面板方向观看时，对应流体流通孔（21b，22b）的轮廓的至少一部分位于相互不同的位置。
等离子体发生器产生方法

[发明专利]等离子体发生装置、等离子体产生方法以及抑制臭氧产生的方法-CN201180064586.2在审
发明人：竹之下一利;宫本诚;弓削政郎;熊谷悠纪;中山阳子;野岛秀雄;金明哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于在增加活性物种的产生量的同时抑制臭氧产生。等离子体发生装置（100）包括：一对电极（21，22），在其至少一个相对的面上设置有介电膜（21a、21b）；电压施加单元（4），将脉冲电压施加在电极（21、22）之间以使等离子体放电；流体流通孔（21b、22b），分别设置在与电极（21、22）对应的位置中，并且被构造为完全穿过电极（21、22）。等离子体发生装置还被构造为使得穿过流体流通孔（21b、22b）的流体与等离子体接触，产生离子或自由基，其中，电压施加单元（4）改变施加在电极（21、22）两端的脉冲电压的峰值和/或脉冲宽度。
等离子体发生装置产生方法以及抑制臭氧