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[发明专利]增强型场效应晶体管及其制备方法-CN202310912208.X在审
发明人：钟耀宗;孙钱;曹蕴哲;陈昕;郭小路;高宏伟;周宇;杨辉 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。
增强场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用-CN202310896643.8在审
发明人：陈光村;江吴俏;王强斌;尹红强 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用，无线神经抑制性调控技术K2P离子通道作为调控靶点，利用K2P离子通道的温控特性，合成外表面偶联K2P抗体，能够高效靶向K2P的NIR‑II区光热转换材料，以NIR‑II区光作为刺激媒介，实现神经细胞的高时空分辨率操控，从而建立一种活体无线神经抑制调控新技术，实现神经无线抑制性光调控。采用本发明技术方案，不需要光纤植入来局部激活细胞，也不必穿戴任何光学器件，仅通过设计的弥散光大范围刺激目标即可完成对特定细胞的光控抑制过程。
一种基于红外二区光无线神经抑制调控技术及其应用

[发明专利]热力双模态复合敏感材料、其制备方法及应用-CN202310912345.3在审
发明人：邓士豪;李铁;张珽 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种热力双模态复合敏感材料、其制备方法及应用。所述复合敏感材料包括基体，具有三维多孔结构，并包括高分子材料以及片状非金属导电材料；以及，金属氧化物纳米颗粒，其至少分布于片状非金属导电材料的表面；其中，片状非金属导电材料和金属氧化物纳米颗粒均为负热电系数的材料。本发明所提供的热力双模态复合敏感材料集感知压力、热电性能于一体，这避免了传统的双模态传感器复杂布局和信号复杂传输的问题；同时压力感知与热电感知之间是无干扰的，这使得制备的传感器具有信号无干扰解耦、避免磨损失效、适应性强、无破坏性、安全性高等优势，且能适应较高温度，并具有稳定的温度信号输出。
热力双模复合敏感材料制备方法应用

[发明专利]水溶性IB族贵金属亚10纳米胶粒、其制备方法及应用-CN202210888586.4有效
发明人：张学同;张坤 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水溶性IB族贵金属亚10纳米胶粒、其制备方法及应用。所述水溶性IB族贵金属亚10纳米胶粒具有核壳结构，包括作为核的IB族贵金属纳米颗粒，以及分布于IB族贵金属核表面的壳层，所述壳层为双层结构，包括内层的过渡金属阳离子，以及外层的有机配体阴离子，所述IB族贵金属纳米颗粒的尺寸小于10纳米。所述制备方法包括：反应液的配制、贵金属离子的还原和纳米颗粒的稳定。所述水溶性IB族贵金属亚10纳米胶粒可用于多种化工生产中的催化剂，也可用于导电浆料、印刷油墨、纳米流体等材料的制备。所述水溶性IB族贵金属亚10纳米胶粒的性能稳定、制备工艺简洁、成本低廉、反应条件温和、易实现规模化生产。
水溶性 ib 贵金属 10 纳米胶粒制备方法应用

[发明专利]一种改性碳纳米薄膜及其制备方法-CN202310884785.2在审
发明人：王玉琼;曲抒旋;吕卫帮;杨文刚;蒋瑾;高宁萧;陆牧南;陈致;吕强;陈君 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;北京微量化学研究所
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种改性碳纳米薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：(1)碳纳米材料分散后进行第一抽滤，制成碳纳米薄膜中间体；(2)将粘结剂溶液施加于所述碳纳米薄膜中间体表面第二抽滤，得到碳纳米复合膜；(3)将所述碳纳米复合膜浸入第一溶剂中，去除表面富余的粘结剂，干燥，去除基底得到自支撑的改性碳纳米薄膜。本发明所述制备方法操作简单，制备成本较低，制备得到的改性碳纳米薄膜具有较高电导率和电磁屏蔽性能，同时大幅提高薄膜的力学强度。
一种改性纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种有机硅改性的疏水碳纳米薄膜及其制备方法-CN202310886155.9在审
发明人：王玉琼;曲抒旋;吕卫帮;杨文刚;蒋瑾;高宁萧;陆牧南;陈致;吕强;陈君 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;北京微量化学研究所
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种有机硅改性的疏水碳纳米薄膜及其制备方法，所述制备方法包括先分别将有机硅粉末和硅烷偶联剂混合，得到第一溶液，将溶剂、分散剂和碳纳米材料混合得到第二溶液，之后将第一溶液和第二溶液混合分散，得到碳纳米材料‑有机硅粉末分散液；之后，将碳纳米材料‑有机硅粉末分散液抽滤得到碳纳米‑有机硅粉末薄膜，最后进行热处理，形成有机硅改性的疏水碳纳米薄膜。本发明所述制备方法简单，可操作性强，制得的有机硅改性的疏水碳纳米薄膜疏水性好，强度高且具有优良的导电、导热及电磁屏蔽性能。
一种有机硅改性疏水纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铂薄膜及其制作方法-CN202210350962.4在审
发明人：吕伟明;范亚明;王逸群;时文华;曾中明;张宝顺 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：提供了一种铂薄膜及其制作方法，所述制作方法包括：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；对铂薄膜进行退火处理。本发明通过采用化学机械抛光处理以及多次溅射的方式制备获得了具有厚度薄、方阻低、均一性高、成本低等优点的铂薄膜，实现了在厚度较薄的条件下，铂薄膜的电学性能与厚膜的性能相当，在保证良好性能的同时降低了生产成本。因此，将其应用于电阻温度传感器中，不仅有利于满足电阻温度传感器产品对环境温度的精准测量的要求，还有利于降低电阻温度传感器的生产成本，提高生产效率。
一种薄膜及其制作方法

[发明专利]具有阻挡层的p-GaN栅HEMT器件及其制备方法-CN202210377176.3在审
发明人：于国浩;黄兴杰;张宝顺 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阻挡层的p‑GaN栅HEMT器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构的步骤，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；制作与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极的步骤；并且，所述制备方法还包括：在所述第三半导体层上设置阻挡层，之后采用等离子体对所述第三半导体层进行处理，以将所述第三半导体层的栅源区域和栅漏区域内的半导体材料转化为高阻材料。本发明提供的方法能够有效减小等离子体处理对材料带来的注入损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的HEMT器件表面漏电小、关态损耗低、耐压高、动态性能稳定。
具有阻挡 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]氧化镓纳米管及其制备方法和应用-CN202110036299.6有效
发明人：马永健;张晓东;李军帅;张宝顺 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓纳米管及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在衬底上设置催化剂，并利用所述催化剂在衬底上生长形成氧化镓纳米线；去除氧化镓纳米线顶端的催化剂，或者，使氧化镓纳米线顶部的催化剂在纳米线生长过程中被自然耗尽；在氧化镓纳米线顶端面中央位置设置金属镓，其后通过金属镓与氧化镓的自反应腐蚀使氧化镓纳米线内部被腐蚀，从而获得内部中空的氧化镓纳米管。本发明实施例提供的一种氧化镓纳米管的制备方法，利用镓自反应腐蚀技术实现了垂直于衬底表面的高晶体质量纳米管阵列的制备，避免了其他材料对纳米管的污染，此氧化镓纳米管可应用于紫外光电子、气体探测或吸附等领域。
氧化纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种柔性脑机接口复合器件及其制备方法-CN202310860026.2在审
发明人：赵宇坤;裴仁军;赵岳五;侯彬彬;孙胜凯 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61B5/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性脑机接口复合器件及其制备方法。该柔性脑机接口复合器件包括叠层设置的柔性衬底、底电极层、功能薄膜层和顶电极层；所述功能薄膜层包括从所述底电极层到所述顶电极层的方向叠层设置的第一外延层、发光层和第二外延层；其中，所述第一外延层和所述第二外延层的其中之一为n型掺杂半导体材料，另一个为p型掺杂半导体材料；所述发光层的材料为氮化铟镓。本发明将收集脑电信号、发出光刺激信号以及器件供能等多种功能复合于同一器件结构中，可以减小脑机接口器件的体积和提高集成度。
一种柔性接口复合器件及其制备方法

[发明专利]用于颗粒酶B检测的NIR-II区荧光探针及其制备方法和应用-CN202310854284.X在审
发明人：王强斌;李团伟;汪星宇;杨小虎 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C07K5/103 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于颗粒酶B检测的NIR‑II区荧光探针及其制备方法和应用，所述荧光探针包括荧光发光单元、连接单元和响应单元；所述连接单元分别连接所述荧光发光单元和所述响应单元；所述荧光发光单元包含NIR‑II区荧光团结构；所述响应单元能够对颗粒酶B进行特异性响应。采用本发明的技术方案，探针所选的荧光团的发射处于NIR‑II区，在此光学窗口进行荧光成像，可以有效地避免生物自发荧光干扰、减少荧光散射，进而提高荧光成像的时空分辨率和成像信噪比。
用于颗粒检测 nir ii 荧光探针及其制备方法应用

[发明专利]碳纳米管集束体、其制备方法及应用-CN202310864577.6在审
发明人：勇振中;张永毅;吴昆杰;牛宇涛;张亦弛;李清文 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： D06M11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管集束体、其制备方法及应用。所述制备方法包括：以质子化试剂对多个碳纳米管纤维进行质子化处理，以使碳纳米管纤维膨胀，同时使膨胀后的多个碳纳米管纤维相互融合，形成合并体；去除合并体中吸附的质子化试剂，以使碳纳米管纤维收缩，并使合并体转化为碳纳米管集束体。本发明通过质子化试剂的作用，使碳纳米管纤维至少表面的碳纳米管膨胀疏松并形成自由活动的端部，当相互接触时碳纳米管端部发生界面融合，去质子化后，纤维收缩，将融合的碳纳米管固定，最终使得多根碳纳米管纤维合并成为一体，该方法有利于大批量制备，且所制备的碳纳米管集束体具有结合力优异、力电性能好、可连续制备、尺寸可调等优点。
纳米集束制备方法应用

[发明专利]自支撑无定型钙掺杂五氧化二钒纤维电极及其制法与应用-CN202310896716.3在审
发明人：张其冲;郭嘉斌;韩力杰 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑无定型钙掺杂五氧化二钒纤维电极及其制法与应用。所述制法包括：使至少包含草酸氧钒、双氧水、钙源和碳纳米管纤维的混合反应体系发生水热反应，制得结晶的钙掺杂二氧化钒纳米阵列/碳纳米管纤维复合材料；以及，以所述钙掺杂二氧化钒纳米阵列/碳纳米管纤维复合材料为工作电极，并与对电极、电解液构成电化学反应体系进行原位电化学氧化处理，制得自支撑无定型钙掺杂五氧化二钒纤维电极。本发明以碳纳米管纤维作为基底和集流体，通过水热和原位电化学氧化两步，得到自支撑的无定型钙掺杂五氧化二钒纤维电极，显著提高了氧化钒纳米材料的电化学性能，可广泛用于可穿戴电化学储能材料。
支撑定型掺杂氧化纤维电极及其制法应用

[发明专利]抗燃料电池异常工况的气体扩散层、其制备方法与应用-CN202310950390.8在审
发明人：周小春;宁凡迪 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗燃料电池异常工况的气体扩散层、其制备方法与应用。所述气体扩散层包括依次层叠且紧密结合的基底层、连结层以及多孔扩散层；基底层的面内热导率和电导率均较高；连结层由多个线型导热、导电材料堆积形成；多孔扩散层结合于连结层所形成的粗糙面；基底层和连结层中设置有多个孔洞结构。本发明所提供的气体扩散层层叠复合，能够实现热导率与电导率的大幅度提升；基底层实现了优异的面内热导率与面内电导率的同时，连结层通过其网络结构和粗化的界面也实现了层间纵向的高导热、高导电效果，以此构成一个整体的多维导电和导热结构，进而能够充分地抵抗燃料电池的短路和断路工况，具有极其广泛的应用前景。
燃料电池异常工况气体扩散制备方法应用

[发明专利]一种高通量高截盐率的复合纳滤膜、其制备方法及应用-CN202310777515.1在审
发明人：朱玉长;方望熹 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高通量高截盐率的复合纳滤膜、其制备方法及应用。所述复合纳滤膜包括多孔支撑膜和结合于所述多孔支撑膜上的聚酰胺分离层；所述聚酰胺分离层的相对的两侧表面均具有颗粒状结构，从而在所述聚酰胺分离层与多孔支撑膜之间构筑出空腔结构。本发明提供的高通量高截盐率的复合纳滤膜具有高通量、高选择性、高截盐率，同时提供的调控制备方法简单，在水处理或脱盐领域有很好地应用前景。
一种通量高截盐率复合滤膜制备方法应用

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