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[发明专利]一种焦平面阵列信号读出电路架构-CN202310889710.3在审
发明人：刘戈扬;李明;王小东;任思伟;吕玉冰;刘昌举 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种焦平面阵列信号读出电路架构，属于电路系统的整体架构设计领域。该电路架构包括第一～五像素阵列z轴下方列级电路区域，第一像素阵列y轴上方列级电路区域，第一‑第二、第二‑第三、第三‑第四、第四‑第五像素阵列间y轴列级电路区域，第五像素阵列y轴下方列级电路区域，左、右侧外围电路区域，第一～五像素阵列y轴上方至读出电路输入端区域，第一～五像素阵列y轴下方至读出电路输入端区域和读出电路对片外输入输出端区域。本发明在整体布局上满足其与五谱段CCD像素阵列进行晶圆级键合的相关技术要求，且能够同时处理并输出五个CCD像素阵列生成的图像数据。
一种平面阵列信号读出电路架构

[发明专利]光频梳输出状态监控装置及其空间电磁辐射抑制方法-CN202310916706.1在审
发明人：张浩;宋坤;徐啸;何庆;何磊;陈林;瞿鹏飞 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所;中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明涉及一种光频梳输出状态监控装置及其空间电磁辐射抑制方法，监控装置包括可调光衰减器、光电转换器、电流/电压转换单元、滤波器、功率放大器和状态检测单元；可调光衰减器用于根据选择的衰减量对光频梳输出的光频梳信号进行功率衰减；状态检测单元用于对光频梳的输出状态进行检测，并以模拟信号和/或数字信号的形式输出检测结果。本发明中，通过调节可调光衰减器的衰减量能够将光频梳输出状态监控装置的空间电磁辐射抑制在要求的范围内,同时通过调整电流/电压转换单元的转换比例或者功率放大器的放大倍数满足状态检测单元对输入号幅度的需求，既能够对光频梳的各种输出状态进行监控，同时又能满足空间电磁辐射要求。
光频梳输出状态监控装置及其空间电磁辐射抑制方法

[发明专利]一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构-CN202311142254.2在审
发明人：杨洪 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构，属于电子电路领域。该结构由抗过饱和溢出栅、抗过饱和溢出势垒、抗过饱和溢出漏和沟阻构成；抗过饱和溢出势垒位于抗过饱和溢出栅下0.5μm位置，抗过饱和溢出漏位于抗过饱和溢出栅一侧，CCD垂直转移沟道位于抗过饱和溢出栅另一侧，CCD垂直转移沟道在强光下产生的过饱和信号越过抗过饱和溢出势垒进入抗过饱和溢出漏，避免过饱和信号溢出至临近CCD垂直转移沟道；在N型硅衬底之上，通过注入能量为2MeV高能注入B+离子高温推结形成深度约5μm的深P阱；N型衬底施加5V的正向偏置电压，确保N型衬底不会倒灌信号至CCD垂直转移沟道；有利于降低抗过饱和溢出电压。
一种基于衬底过饱和溢出 ccd 结构

[发明专利]一种可实现8英寸转6英寸并精准套刻的IC工艺方法-CN202310419997.3在审
发明人：高建威;周政;曲鹏程;刘香;龙梅;张晓琴;毛峥嵘 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种可实现8英寸转6英寸并精准套刻的IC工艺方法，属于半导体芯片制作工艺技术领域。该方法为：在8寸硅片上设计多组划片对位标记，并采用8寸工艺线制作相应部分；采用激光划片将8寸硅片划为6寸硅片；通过CDSEM确认硅片标记坐标；通过6寸工艺线光刻机进行试对位，修正标记坐标；在光刻机中进行对位，确认图形偏移量；测试片间对位偏差非均匀性；在6寸工艺线中进行器件剩余部分制作，并进行器件测试。本发明可以将8寸线和6寸线的优点相结合，达到更好的量子效率、更高的集成度、更复杂的器件结构，有效的降低成本；同时将器件分段制作，有利于问题查找。
一种实现英寸精准 ic 工艺方法

[发明专利]一种基于3D集成芯片的时序同步方法-CN202111515804.1有效
发明人：任思伟;黄芳;周亚军;王小东;刘戈扬;刘昌举;李明 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04N25/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于3D集成式芯片的时序同步方法，引入时序同步控制装置与3D集成芯片，3D集成芯片内部包括CCD芯片和CMOS芯片，包括：利用时序同步控制装置产生用于CCD芯片和CMOS芯片的时序触发脉冲；根据时序触发脉冲，启动CCD芯片和CMOS芯片的工作时序；利用时序测试口测量CCD芯片和CMOS芯片的时序同步情况，记录时序同步误差；根据时序同步误差，采用时序同步控制装置，微调CCD芯片时序触发脉冲和CMOS芯片时序触发脉冲的相对位置，进而实现CCD芯片和CMOS芯片的完全时序同步；本发明实现方式比较灵活，对工艺中的不确定因素不敏感，时序同步精度可调，具有较强适应性，解决了CCD工艺和CMOS工艺之间异质集成所带来的延迟不确定性和时序同步风险问题。
一种基于集成芯片时序同步方法

[发明专利]具有横向抗光晕结构的双向扫描TDICCD-CN202310873043.X在审
发明人：王廷栋;何达;丁劲松 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了具有横向抗光晕结构的双向扫描TIDCCD，包括衬底、形成于所述衬底上光敏区、形成于所述衬底上且沿第一方向分设于所述光敏区两相对侧的第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器以及形成于所述光敏区内并沿第一方向贯穿所述光敏区的多个抗晕结构，多个抗晕结构沿垂直于第一方向的第二方向均匀分布在所述光敏区内，且每一抗晕结构的两端对应所述第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器的位置处均分别连接有第一偏置引线和第二偏置引线。与现有技术相比，本发明能够有效消除弱光多级累加或者强光即便少级数累加也可能出现的光生信号电荷包超过像元的存储能力而扩散到相邻的一行或者多行，抑制光晕现象的产生，从而确保成像质量。
具有横向光晕结构双向扫描 tdiccd

[发明专利]一种高保真光脉冲信号循环复制装置-CN202310869210.3在审
发明人：刘绍殿;肖永川;叶剑;于优;王茂旭;瞿鹏飞;李波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种高保真光脉冲信号循环复制装置，属于光通信领域。该装置包括2×2的3dB光纤耦合器、1×2的3dB光纤耦合器、高速光开关、光开关驱动控制板、光隔离器、1×2光纤耦合器、光纤环形器、电控延时线、延时光纤、反射镜、光纤放大器和机箱；其中，1×2光纤耦合器的耦合比率为10％/90％；本发明采用了光纤放大器，弥补了光纤环路种的插损，理论上保证了等幅度输出；采用了高速光开光，可解决多次复制后因噪声积累过大，用于环路噪声置零；采用了窄带光滤波器，可以有效抑制环路中的噪声；同时采用高反射率的反射镜，构成一个反射式结构，使得延迟时间是单向传输的2倍。
一种高保真脉冲信号循环复制装置

[发明专利]一种光控二维多波束实现方法-CN202310940074.2在审
发明人：肖永川;庾财斌;瞿鹏飞;陈诺;张浩;王伯涛;刘绍殿;周涛;徐嘉鑫 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光控二维多波束实现方法，属于微波光子学领域。该方法采用相干与非相干两级波束合成得到二维波束，具体是：按照水平与垂直方向两个维度，首先在水平方向上采用相干光域合成第一级波束，共形成M×N个子波束；然后在垂直方向上采用非相干光域合成得到第二级波束，从而形成M×M个二维空间波束输出。采用相干与非相干两级波束合成得到二维波束的网络结构包括：第一级相干波束合成网络和第二级非相干光波束形成网络，均采用Blass矩阵结构。本发明采用了光域相干与非相干合成相结合的波束形成架构，突破了波长不足对阵列规模的限制，可与数量级的提升光控相控阵系统的阵列规模。
一种光控二维波束实现方法

[发明专利]光频梳重频倍增装置的参数配置方法和光子频率综合系统-CN202310993872.1在审
发明人：张浩;高帅和;闫应星;张首刚;瞿鹏飞 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所;中国科学院国家授时中心
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种光频梳重频倍增装置的参数配置方法和光子频率综合系统，参数配置方法包括：设定所需的光频梳重频谐波分量和所需杂散抑制下限，根据杂散抑制对非对称马赫曾德尔干涉光路的级数和各级非对称马赫曾德尔干涉光路的参数进行优化配置。本发明中，光频梳重频倍增装置采用MZ I干涉型光脉冲重频倍增器的结构，能够增强所需的光频梳重频谐波分量的射频功率，并抑制其他的谐波分量；根据杂散抑制要求对光频梳重频倍增装置参数进行优化配置，使光频梳重频倍增装置工作在最佳的状态，从而扩展了MZ I干涉型光脉冲重频倍增器的应用范围。
光频梳重频倍增装置参数配置方法光子频率综合系统

[发明专利]一种易维修气密集成光电探测器-CN202310811187.2在审
发明人：王茂旭;汤振华;于优;肖永川;瞿鹏飞;李波;刘婷 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种易维修气密集成光电探测器，属于光电探测技术领域。该光电探测器包括盖板、光纤组件、光电探测芯片、射频芯片以及陶瓷基板。其中光电探测芯片及射频芯片固定在陶瓷基板上，光纤组件与光电探测芯片连接；盖板焊接在陶瓷基板上，且覆盖光电探测芯片、射频芯片和光纤组件。所述盖板用于光电探测器内部器件的保护和实现气密性；所述光纤组件用于光信号的输入和实现光电探测器的气密性；所述光电探测芯片用于调制光信号的解调，射频芯片用于信号放大以及幅度调整；所述陶瓷基板用于信号传输和实现自发热功能。本发明具有良好的气密性能，具有高可靠、高集成、低功耗的特点，可无损开盖维修，且采用贴片式设计，节约空间。
一种维修气密集成光电探测器

[发明专利]高精度线性光电耦合器结构-CN202011143856.6有效
发明人：张佳宁;张广涵;龚磊;胡锐兴;蒋利群;李彦良 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度线性光电耦合器结构，包括外壳，所述外壳内设有空腔，所述空腔的底部腔壁上开设有凹槽，所述凹槽的槽底固设有发光二极管芯片；所述空腔的底部腔壁上固设有定位柱，所述凹槽的槽口处固设有内瓷片，所述内瓷片与定位柱抵接定位；所述内瓷片朝向发光二极管芯片的端面上固设有两个光电二极管芯片。本发明中，通过固定发光二极管芯片和两个光电二极管芯片的相对位置，能够得到稳定的传递增益，从而省去复杂的耦合工艺；将两个光电二极管芯片固定在瓷片上，在非线性度达不到要求时只需要更换瓷片和光电二极管芯片，大大降低了器件的废弃成本。
高精度线性光电耦合器结构

[发明专利]一种InP基的马赫-曾德尔干涉型电光调制器及其制备方法-CN202310442823.9在审
发明人：左欣;崔大健;陈伟;周浪;黄晓峰;朱长林;王立;严银林;肖入彬;吴烨俊;吴唯 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP基的马赫‑曾德尔干涉型电光调制器及其制备方法，属于电光调制器的制备技术领域。本发明公开了一种InP基的马赫‑曾德尔干涉型电光调制器，包括依次相连的光输入端、光调制区和光输出端，该光调制区中的行波电极包括微波传输线和若干个周期性排列连接在所述波传输线上的电极，其中电极位于有源波导结构的P型接触层表面且有源波导结构从下到上依次包括InP衬底层和外延片，其中所述外延片从下到上依次包括N型掺杂层、间隔层Ⅰ、量子阱层、间隔层Ⅱ、P型轻掺杂层、P型掺杂层和P型接触层。
一种 inp 马赫曾德尔干涉电光调制器及其制备方法

[发明专利]降低表面杂散光反射的CCD芯片结构及制作方法-CN202310789065.8在审
发明人：杨洪;白雪平;刘昌举;李金;熊园园;刘沛 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低表面杂散光反射的CCD芯片结构及制作方法，所述CCD芯片上设置有光敏区和非光敏区，在所述非光敏区设置有金属引线和压焊点；在所述非光敏区的金属引线部分的芯片表面覆盖有低反射膜层，所述低反射膜层采用低反射率的绝缘材料，所述低反射膜层用于降低金属引线引起的芯片表面杂散光反射。本发明中，通过设置低反射膜层可以大大降低金属引线对应的芯片表面的反射率，从而降低杂散光，有利于实现CCD高质量成像；低反射膜层采用绝缘材料，不会影响CCD器件各相的时钟电极的电容。
降低表面散光反射 ccd 芯片结构制作方法

[发明专利]基于JESD204B协议的多路高速DAC同步转换电路-CN202310676227.7在审
发明人：刘宁;瞿鹏飞;高煜寒;杨家鉴;龚巧 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于JESD204B协议的多路高速DAC同步转换电路，属于通信技术领域。该电路包括电源模块、时钟管理模块、FPGA主控单元和多片基于JESD204B协议的高速DAC芯片；时钟管理模块的主控单元CPLD配置的时钟芯片产生FPGA主控单元和多片DAC芯片所需的系统时钟、工作时钟、高速接口参考时钟、同步信号和对齐信号；FPGA主控单元作为JESD204B传输链路主控，多路数字基带信号由GTY串口输入FPGA主控单元，经处理后由JESD204B链路传输至DAC芯片，转换成模拟信号同步输出。本发明能实现多路高速DAC同步转换数据。
基于 jesd204b 协议高速 dac 同步转换电路

[发明专利]基于相机图像处理的探测器同轴度检测系统及方法-CN202010594696.0有效
发明人：柳稼齐;张建华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及机器视觉测量技术领域，具体涉及一种基于相机图像处理的探测器同轴度检测系统及方法，包括上位机系统、CMOS相机、物镜镜筒、光源、夹具、探测器管壳以及三维平台，上位机系统与相机通过网线连接；相机与物镜镜筒通过C接口物理连接，相机与物镜镜筒的中心位于同一水平线；探测器管壳通过管脚固定于夹具上表面的定位元件上；夹具通过下表面的夹紧装置固定于三维平台上；探测器管壳包括探测器管壳本体、管壳接口和光敏区，管壳接口中心与光敏区中心位于同一水平线；管壳接口与物镜镜筒相对，且管壳接口的中心与物镜镜筒的中心轴处于同一水平线。本发明的同轴度检测系统简单、精密度高、实时性高，能够实现异常情况的快速反馈。
基于相机图像处理探测器同轴检测系统方法

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