专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于SIP的高压脉冲功率集成模块-CN201810684223.2有效
  • 沈德璋;李中云;叶海福;汪能;白雪;陈珂;谢玉斌 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2018-06-28 - 2023-10-24 - H01L25/16
  • 本发明公开了一种基于SIP的高压脉冲功率集成模块,包括陶瓷基板、金属围框、金属盖板及电子元器件;电子元器件包括变压器、高压电容、高压开关、高压二极管、分压电路和触发保护电路;陶瓷基板上设置焊盘并印制金属导线,外围制作金属围框及引脚;变压器连接高压二极管,高压二极管与高压电容连接,高压电容连接高压开关和分压电路;高压开关与触发保护电路连接;分压电路采用高压电阻和低压电阻串联,滤波电容与低压电阻并联组成。本发明基于SIP技术,在陶瓷基板正反双层装配器件实现高压脉冲功率模块的三维封装,模块体积小,约10cm3体积即可实现MW级脉冲能量输出,可应用于某些对体积空间限制严苛的场景。
  • 一种基于sip高压脉冲功率集成模块
  • [发明专利]一种中子辐照用发生器-CN202310866944.6在审
  • 黎明;甘娉娉;钟伟 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2023-07-14 - 2023-10-10 - H05H3/06
  • 本发明公开了一种中子辐照用中子发生器,该中子发生器包括:冠状离子源、冠状源栅网、冠状靶和冷却套,冷却套内有一个置样空腔,待辐照样品置于球心的置样空腔,冠状离子源产生的正离子能够与冠状靶发生核反应产生中子,中子可以穿透冠状靶和冷却套对待辐照样品进行全方位、近距离的辐照,冷却套能够控制冠状靶的温度。本发明专利公开的中子辐照用中子发生器与常规的中子发生器相比,相同中子辐照效果下所需的总产额较低,结构简单、紧凑、无机械运动部件,可适用于中子辐照育种,可适用于宝石辐照改色。
  • 一种中子辐照发生器
  • [发明专利]一种用于导电片的抛光专机-CN202310117379.3在审
  • 李杨;田林;高跃民;王蓓;蒋凌;徐劲澜;黄蕾;贾博士 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2023-02-15 - 2023-10-03 - B24B21/00
  • 本发明涉及一种用于导电片的抛光专机,包括大理石支架、砂带抛光单元、导电片b值尺寸视觉测量模块、导电片夹具工装及高精密X、Y、θ轴运动平台,所述砂带抛光单元及导电片b值尺寸视觉测量模块分部固定在支架的左侧和中部。所述砂带抛光单元上开设有安装孔、定位销,砂带抛光单元可以快捷更换,能够实现不同倒角和b值尺寸的导电片打磨需求,并保证导电片金片边缘磨抛平直,所述砂带抛光单元的顶部设有抽风管路,具有除尘抽风功能。本发明采用砂带打磨方式实现导电片的倒角打磨要求和导电片精密尺寸b值的打磨要求,能够实现导电片不同倒角的打磨要求,保证导电片金片边缘平直,使导电片金片的b值尺寸加工并达到规定指标。
  • 一种用于导电抛光专机
  • [发明专利]一种用于超声成像的辐射全息传感方法及器件-CN202310696296.4在审
  • 彭波 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2023-06-13 - 2023-10-03 - G01H11/08
  • 本发明公开了一种用于超声成像的辐射全息传感方法及器件,该器件利用复式微腔阵列、双压电层微机械超声换能器阵列、专用集成电路及其它集成部件,实现超声辐射全息传感与成像;该方法通过复式微腔表面振膜接收入射声场,并同频激励参考压电层辐射出参考声场,二者在像素化的亥姆霍兹型微腔内部谐振放大和共振干涉,形成放大增强的干涉声场;该干涉声场产生辐射压力并作用于振膜内部的传感压电层产生近似稳定的位移形变,并在对应传感电极上感生出稳定的全息信号,最后通过行列寻址采样读出各个像素单元的全息信号,完成对入射声场波前分布的大规模阵列传感。本发明可实现目标物体大视场、高分辨的实时超声三维成像以及二维强度成像。
  • 一种用于超声成像辐射全息传感方法器件

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