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[发明专利]一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置-CN201710582226.0有效
发明人：朱在稳;林鸿;何水;世良贤二;东海林功;蔡中兰 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；通过对第一辅助电极的设置，将第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极电连接，使得第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极具有相同电位，因有源层的电位与栅极的电位不同，使得在第一辅助电极和有源层之间可以形成电容，加之栅极与有源层之间形成的电容，形成并联的栅极电容；在驱动晶体管中，因不存在与栅极电连接的第一辅助电极，使得驱动晶体管中的栅极电容小于各开关晶体管中的栅极电容，进而使得驱动晶体管的亚阈值摆幅大于各开关晶体管的亚阈值摆幅，从而提高显示画面的均一性。
一种像素电路电致发光显示面板显示装置

[发明专利]一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法-CN201710571597.9在审
发明人：林鸿;世良贤二;东海林功;袁永 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法。该柔性显示面板包括柔性基板，所述柔性基板包括弯折区和非弯折区，所述弯折区包含柔性部分，所述非弯折区包含刚性部分，所述柔性部分的弹性模量小于所述刚性部分的弹性模量；所述柔性部分包括多孔结构，所述刚性部分包括刚性颗粒。本发明实施例提供的柔性显示面板不仅提高了弯折区耐弯折性，还提高了非弯折区的刚性，提升了柔性显示面板的用户体验。
一种柔性显示面板显示装置制作方法

[发明专利]一种阵列基板以及制作方法-CN201710153697.X在审
发明人：林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区，第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。
一种阵列以及制作方法

[实用新型]一种阵列基板、显示面板和显示装置-CN201621029789.4有效
发明人：郑丽华;东海林功 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上包括至少一个器件指定区域和至少一个像素指定区域；遮光层，在垂直于衬底基板的方向上遮光层的投影不与像素指定区域交叠；第一缓冲层和第二缓冲层，在垂直于衬底基板的方向上第一缓冲层的投影和第二缓冲层的投影至少有一个不与像素指定区域交叠；有源层，在垂直于衬底基板的方向上有源层的投影不与像素指定区域交叠；位于有源层上方的开关器件，在垂直于衬底基板的方向上器件指定区域的投影覆盖开关器件的投影。本实用新型通过减少入射光所要经过的膜层界面数量，达到改善显示面板色偏、降低光散射损失、提高显示面板光透过率和显示亮度的效果。
一种阵列显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备-CN201310133195.2有效
发明人：森茂;东海林功;田边浩;柴田惠 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
半导体器件制造方法液晶显示装置电子设备

[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备-CN200980111418.7有效
发明人：森茂;东海林功;田边浩;柴田惠 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
半导体器件制造方法液晶显示装置电子设备