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[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202280019898.X在审
发明人：藤井宽之;冈田聪一郎;井户泰幸;村松诚;吉田圭佑;宫原奈乃华 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。
处理方法装置

[发明专利]处理装置及定位方法-CN202280020861.9在审
发明人：带金正;加贺美史;荒井香织 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：根据本公开的一个方式的处理装置，具有：输送机构，输送矩形形状的基板；定位台，用于载置所述基板来进行所述基板的定位；以及旋转台，用于旋转定位的所述基板，所述输送机构包括对载置在所述定位台上的所述基板的端部进行按压而进行所述基板的定位的块部。
处理装置定位方法

[发明专利]路径设定系统、路径设定方法和软件-CN202310406115.X在审
发明人：井口义范;新藤健弘 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供能够在包括能够利用磁力进行移动的多个输送体的基片输送装置中使用的输送体的路径设定系统中，减轻操作者的设定负担的路径设定系统、路径设定方法和软件。本发明的路径设定系统为在包括基片输送区域和多个输送体的基片输送装置中使用的各个所述输送体的路径设定系统，各个所述输送体包括用于支承基片的支承部、并且能够利用磁力从形成所述基片输送区域的底板浮起并移动，所述路径设定系统的特征在于，包括：虚拟区域设定部，其用于设定与所述基片输送区域对应的虚拟区域；路径生成部，其用于在所述虚拟区域中，对每个所述输送体生成从移动开始位置到移动结束位置的移动路径；和干扰判断部，其用于进行关于所述移动路径的干扰的判断。
路径设定系统方法软件

[发明专利]基板处理装置-CN202310407798.0在审
发明人：坂下训康;城俊彦 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，能够抑制处理容器内的气体的流动不均。本公开的一个方式的基板处理装置具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。
处理装置

[发明专利]检查装置、检查方法和存储介质-CN201880050591.X有效
发明人：田村宗明 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：检查装置具备具有合并功能的摄像部、以及用于控制该摄像部的控制部，该控制部构成为执行以下工序：高速低精度检查工序，使将合并功能设为有效的摄像部拍摄探针的接触动作后的电极，并基于此时的摄像结果来判定电极的针痕的状态；以及低速高精度检查工序，根据该高速低精度检查工序中的判定结果，使将合并功能设为无效的摄像部再次进行拍摄，并基于此时的摄像结果来判定再次被拍摄的电极的针痕的状态。
检查装置方法存储介质

[发明专利]探针装置-CN201880075345.X有效
发明人：河西繁 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供探针装置，对以矩阵状排列于载置台上的基片上的被检查芯片依次进行探针测试时，减轻对作为检查对象的被检查芯片以外的被检查芯片的热负载。在与排列被检查芯片(100)的载置台(2)的载置面相反一侧，以能够对被检查芯片(100)的每一者设定的区域各自独立地进行加热的方式设置有多个LED单元(3)。而且，在检查被检查芯片(100)时，驱动上述多个LED单元(3)内、与要进行该检查的被检查芯片(100)的区域和该区域的周边区域之中至少进行该检查的被检查芯片(100)的区域对应的区域的LED单元(3)。因此，能够减轻对进行检查的被检查芯片(100)以外的被检查芯片(100)的热负载。
探针装置

[发明专利]检查装置系统-CN201911172981.7有效
发明人：渡边真二郎 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种检查装置系统。该检查装置系统具备多个检查装置、以及能够与该多个检查装置相互通信的数据处理装置，其中，数据处理装置具有：保存部，其保存用于决定同检查装置的设定有关的装置参数与在使检查装置动作时得到的指标数据之间的因果关系的模型；收集部，其从多个检查装置中的至少任一检查装置收集装置参数和指标数据；判定部，其判定由收集部收集到的指标数据是否包括在预先决定的容许范围内；以及计算部，在由判定部判定为指标数据不包括在容许范围内的情况下，基于由收集部收集到的装置参数和指标数据、以及保存部中保存的模型来计算用于调整装置参数的调整量。
检查装置系统

[发明专利]基板搬出方法-CN201880032386.0有效
发明人：远藤朋也 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：基板搬出方法包括以下工序：第一移动工序，在向搬送机构发出开始搬出被载置于载置台的基板的指令从而搬送机构向载置台移动的期间，在基板被从载置台突出的销抬起的状态下，使摄像机移动至应存在基板的周缘部的规定区域的上方；第一摄像工序，使在第一移动工序中进行了移动的摄像机拍摄应存在基板的周缘部的规定区域；以及第一检测工序，基于在第一摄像工序中由摄像机拍摄到的图像来检测被销抬起的基板的位置偏离以及/或者倾斜。
搬出方法

[发明专利]处理液喷嘴和清洗装置-CN202080064746.2有效
发明人：后藤大辅;森川胜洋;古贺贵广 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明的一个方式的处理液喷嘴包括超声波施加部(60)、第一供给流路(71)、释放流路(72)和第二供给流路(73)。超声波施加部(60)具有产生超声波的振子(61)和与振子(61)接合的振动体(62)。第一供给流路(71)对与超声波施加部(60)的振动体(62)接触的位置供给第一液体(L1)。释放流路(72)将由超声波施加部(60)施加了超声波的第一液体(L1)供给到释放口(74)。第二供给流路(73)连接在释放流路(72)的比超声波施加部(60)靠下游侧的位置，对释放流路(72)供给第二液体(L2)。
处理喷嘴清洗装置

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN201911181295.6有效
发明人：南雅人;佐佐木芳彦 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]气体供给系统及气体供给方法-CN202310986755.2在审
发明人：泽地淳;纲仓纪彦 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接，且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接，且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置。
气体供给系统方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280019521.4在审
发明人：小玉辉彦;松永浩一;岩坂英昭 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种在基板的背面形成摩擦降低膜的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板，形成密闭的处理空间；加热部，其对所述处理容器内的所述基板的背面进行加热；供给部，其朝向所述处理容器内的所述基板的背面供给形成所述摩擦降低膜的材料；第1气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向所述基板的周缘部供给非活性气体；第2气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向相比于所述第1气体供给部向所述基板的供给位置靠所述基板的中心侧供给非活性气体；以及排气部，其将所述处理空间的气氛自所述处理容器内的所述基板的周围或下方排出。
处理装置方法

[发明专利]层叠基板的制造方法和基板处理装置-CN202280018447.4在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
层叠制造方法处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202280015232.7在审
发明人：横田聪裕;寺岛亮;村上智;斋野高遥 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：所公开的等离子体处理装置包括：腔室、等离子体生成部、多个环状电磁体单元、电源、至少一个光学传感器及控制部。多个环状电磁体单元相对于通过腔室内部空间的轴线设置成同轴状。至少一个光学传感器检测腔室10内的沿径向的等离子体的发光强度分布。控制部控制电源以根据等离子体的发光强度分布来调整分别供给到多个环状电磁体单元的电流。
等离子体处理装置方法

[发明专利]数据收集系统、数据收集装置、数据收集方法以及数据收集程序-CN202280017209.1在审
发明人：守屋刚;茂木弘典;鱼山和哉;松泽贵仁;片冈勇树 -专利权人： 东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基板处理中的处理条件的探索中，收集适当的数据。一种数据收集系统，具有：具有第1处理空间的第1基板处理装置、具有第2处理空间的第2基板处理装置、和与所述第1基板处理装置及第2基板处理装置连接的数据收集装置，具有：修正量计算部，比较通过在相同的处理条件下在所述第1处理空间和第2处理空间中分别处理相同或类似形状的基板而观测到的观测数据，计算出对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正的修正量；和收集部，在通过在所述第2处理空间中改变处理条件来处理基板从而探索处理条件时，基于所述修正量来对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正，并收集修正后的观测数据。
数据收集系统装置方法以及程序

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