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[发明专利]碳化硅单晶衬底-CN201780007967.4有效
发明人：冲田恭子;樱田隆;高须贺英良;上田俊策;佐佐木将;梶直树;三岛英彦;江口宽航 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法-CN202080082070.X在审
发明人：冲田恭子;本家翼;上田俊策 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法-CN202080078036.5在审
发明人：冲田恭子;本家翼;上田俊策 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]碳化硅基板-CN201680056320.6有效
发明人：梶直树;上田俊策;堀勉;原田真 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。
碳化硅

[发明专利]碳化硅基板-CN201680053607.3有效
发明人： 上田俊策;冲田恭子;原田真 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。
碳化硅

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201480073219.2在审
发明人：堀勉;上田俊策;松岛彰 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。
碳化硅制造方法

[发明专利]坩埚和制造单晶体的方法-CN201510381268.9在审
发明人：堀勉;上田俊策;松岛彰 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。
坩埚制造单晶体方法

[发明专利]制造碳化硅基板的方法-CN201380030120.X在审
发明人：藤原伸介;西口太郎;堀勉;大井直树;上田俊策 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。
制造碳化硅方法