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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]组对结构的NOR闪存及其制作方法-CN202311195869.1在审
发明人：金波 -专利权人： 上海领耐半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构的NOR闪存及其制作方法。所述组对结构的NOR闪存的制作方法包括：提供基底，基底包括隔离结构以及由隔离结构限定出的有源区；在基底中形成多个字线沟槽，每个字线沟槽包括相互贯通的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽嵌设在有源区的基底中，第二沟槽嵌设在隔离结构中；在基底上形成多个电荷陷阱结构且在每个字线沟槽内形成字线，一个电荷陷阱结构共形地覆盖一个第一沟槽的内表面，字线至少覆盖第一沟槽内的部分电荷陷阱结构；以及在基底上方形成多条位线。如此，组对结构的NOR闪存的字线嵌设在基底中，可以缩小NOR闪存的存储单元的面积，提高NOR闪存的存储密度。所述组对结构的NOR闪存可以利用上述的制作方法制成。
结构 nor 闪存及其制作方法

[发明专利]组对结构非易失性存储器及其制作方法-CN202310926358.6有效
发明人：金波;马彪 -专利权人： 上海领耐半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构非易失性存储器的制作方法。该制作方法包括：在基底上的第二介电层中形成第一位线，第一位线与第一存储管的第二源漏区电连接，第二介电层中的第一阻挡层至少包覆第一位线的侧壁；在第二介电层上的第四介电层中形成第二凹槽，第二凹槽内覆盖有第二阻挡层；在第二凹槽底面的第二阻挡层中形成开口；从开口向下自对准刻蚀第二介电层形成第二通孔，在刻蚀形成第二通孔的过程中，第一阻挡层限定第二通孔的侧壁形成位置，第二通孔露出第一阻挡层的部分侧壁；在第二通孔内形成第二导电柱以及在第二凹槽内形成第二位线，第二位线与第二存储管的第二源漏区电连接。本发明还提供一种组对结构非易失性存储器。
结构非易失性存储器及其制作方法

[发明专利]组对结构的3D非易失性存储器-CN202310913041.9有效
发明人：金波;马超 -专利权人： 上海领耐半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供的组对结构的3D非易失性存储器包括基底和位于基底上的存储阵列；存储阵列包括：行列排布在基底上的多个沟道结构；均沿列方向延伸的多条第一位线和多条第二位线，一条第一位线电连接同一列的沟道结构的第一端，一条第二位线电连接同一列的沟道结构的第二端；分别环绕沟道结构上部和下部的多个第一电荷陷阱结构和多个第二电荷陷阱结构；多条字线，每条字线沿行方向延伸且包裹同一行的所有第一电荷陷阱结构或同一行的所有第二电荷陷阱结构；其中，组对存储单元的第一存储管和第二存储管分别包括第一和第二电荷陷阱结构。该存储器中组对的两个存储管堆叠设置，且在读写过程中互为选择管，如此有助于提高存储阵列的存储密度。
结构非易失性存储器

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