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[实用新型]一种具有低触发电压的TVS器件-CN201921699866.0有效
发明人：蒋骞苑;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;吕海凤;张啸;王允;张彩霞 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种具有低触发电压的TVS器件，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极，本实用新型能够降低器件的触发电压，同时保持了其导通电阻极低的特性。
一种具有触发电压 tvs 器件

[实用新型]一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件-CN201921699101.7有效
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;蒋骞苑;张啸;王允;赵志方 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本实用新型通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构 tvs 器件

[实用新型]一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件-CN201921723330.8有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;李亚文 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件，该器件由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该正向导通二极管和PNPN晶闸管并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
一种带有超低残压降容管具有 scr 特性 tvs 器件

[实用新型]一种大通流低残压TVS浪涌防护器件-CN201921700972.6有效
发明人：王帅;苏海伟;魏峰;单少杰;张英鹏;金志任 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大通流低残压TVS浪涌防护器件，其包括两颗TVS芯片和一颗TSS芯片，其中一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。传统TVS器件工作电压越高抗瞬态浪涌能力越低，例如58V TVS芯片的抗浪涌能力仅有29V TVS芯片的一半左右。本实用新型通过低电压TVS芯片与TSS芯片串联形成耐高压组合，然后再与一颗TVS芯片并联，以达到进一步降低残压的目的。
一种通流低残压 tvs 浪涌防护器件

[实用新型]双通路高浪涌大通流TSS器件-CN201921722504.9有效
发明人：张英鹏;苏海伟;魏峰;单少杰;王帅;蒋立柱 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种双通路高浪涌大通流TSS器件,包括：TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结；TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结，TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结；本实用新型能够大大缩小TSS器件占板面积，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。
通路浪涌通流 tss 器件

[实用新型]一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件-CN201921723357.7有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;李亚文 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件，包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离，本发提出的TVS器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
一种低残压大浪涌单向 tvs 器件

[发明专利]一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件-CN201910965446.0在审
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;蒋骞苑;张啸;王允;赵志方 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
可控硅结构半导体主体表面结触发阳极触发电压触发结构金属连接维持电压三极管击穿隔离

[发明专利]一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法-CN201910965917.8在审
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;张利明 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该管子和PNPN管子并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
正向导通二极管导向管管子残压低容阳极导通特性动态电阻控制栅极通流能力并联触发短接回扫容管闩锁制造

[发明专利]一种新型降低正向残压的单向保护器件-CN201910966061.6在审
发明人：吕海凤;赵德益;苏海伟;王允;赵志方;霍田佳 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
推结保护器件扩散区残压正向金属衬底硅片器件阳极器件阴极蒸发金属阳极衬底片氧化层短路电阻负阻开孔门极背面

[发明专利]一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管-CN201910966898.0在审
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;王允;赵志方;叶毓明;冯星星;李亚文;吴青青;张利明 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。
阳极门极可控硅结构正向钳位短接阴极开关二极管衬底材料金属连接硅结构电压开关二极管半导体主体触发电流开启电压可控硅外延层正反馈

[发明专利]一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法-CN201910966060.1在审
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;张利明 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
击穿衬底被保护器件峰值电流击穿电压钳位电压深槽隔离正向导通漏电流残压大浪负向制造安全

[实用新型]一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件-CN201820078931.7有效
发明人：吕海凤;赵德益;苏海伟;赵志方;王允;张啸;苏亚兵;蒋骞苑;霍田佳 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本实用新型所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。
半导体保护器件本实用新型触发电压衬底阱区双向半导体器件输入/输出端双向三极管并联方式负电源端核心电路静电放电器件结构双向触发正电源端重掺杂区掺杂区抗浪涌可集成输出端输入端注入区对称放大防护

[发明专利]基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列及其制备方法-CN201510886621.9有效
发明人：霍田佳;苏海伟;王允;张晨旭 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列及其制备方法，基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列包括：n型的SOI基底、p+区、n+区、p区、氮化硅隔离、电极，所述的n型SOI基底由Si衬底、SiO₂层和n型Si三层结构构成，在P型和/或N型Si衬底上通过扩散或离子注入形成高掺杂PN结，形成PN结区域和中央的TVS区域。本发明所述基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列和现有技术中的TVS器件相比有效的降低了器件的寄生电容和漏电流，降低了器件的功耗，进一步提高了器件的性能。
基于 soi 基底漏电电容 tvs 阵列及其制备方法

[实用新型]一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件-CN201821777206.5有效
发明人：王允;赵德益;苏海伟;叶毓明;杜牧涵;苏亚兵;冯星星;吴青青;张利明;蒋骞苑;赵志方 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本实用新型的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
衬底材料背面阳极短路结构本实用新型可控硅负阻双门电路电荷泄放互连金属器件结构区域位置并联残压正向金属表现

[实用新型]一种带负阻特性的单向TVS器件-CN201821183328.1有效
发明人：王允;苏海伟;赵德益;赵志方;张啸;吕海凤;霍田佳;杜牧涵;苏亚兵;蒋骞苑 -专利权人： 上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本实用新型通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。
第一区域第二区域背面扩散区本实用新型负阻特性瞬态电压抑制二极管表面状态位置保护氧化工艺漏电流短路耗电衬底功耗击穿深槽体内占据

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