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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种集成化电场微传感器-CN201110179958.8无效
发明人：陈新安;沈浩颋 -专利权人： 上海谷昊电子科技有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型集成化电场微传感器，包括耗尽型n沟道SOI直接栅电场微传感器ENMOS1和ENMOS2，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，但沟道厚度不同，并将这两个器件按串联方式联接。检测电场时，电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的沟道厚度的变化量相同，由于二者的初始沟道厚度不同，所以沟道电阻变化量不相同，输出电压随检测电场变化。由于电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的工艺完全相同，并且是同时制备，所以当温度变化时，由于沟道迁移率随温度变化相同，所以二者的比值不随温度变化，抑制了温度漂移。
一种集成化电场传感器

[实用新型]一种集成化电场微传感器-CN201120226024.0有效
发明人：陈新安;沈浩颋 -专利权人： 上海谷昊电子科技有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种n型集成化电场微传感器，包括耗尽型n沟道SOI直接栅电场微传感器ENMOS1和ENMOS2，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，但沟道厚度不同，并将这两个器件按串联方式联接。检测电场时，电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的沟道厚度的变化量相同，由于二者的初始沟道厚度不同，所以沟道电阻变化量不相同，输出电压随检测电场变化。由于电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的工艺完全相同，并且是同时制备，所以当温度变化时，由于沟道迁移率随温度变化相同，所以二者的比值不随温度变化，抑制了温度漂移。
一种集成化电场传感器

[实用新型]一种直接测量静电场的实验仪-CN201120226025.5有效
发明人：陈新安;沈浩颋 -专利权人： 上海谷昊电子科技有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直接测量静电场的实验仪，包括电场产生装置、固态静电场传感器和信号放大电路与显示电路，其特征在于：电场产生装置由上下两块安装在绝缘支架上的极板及与极板相连接的电场电压源组成，固态静电场传感器安装在上下两块极板之间的空间内，固态静电场传感器的信号输出端由信号放大电路接显示电路。其特征在于：安装在绝缘支架上的上下两块极板为两块平行的金属板，两块平行的金属板构成平行板电容器。本实用新型的优点是：可以研究不同的平行板电容器的电场电压V、间距d或介质下电场值，描绘出电场的等势面、电场值曲线，还可以研究当平行板电容器两极板的电源切断后，改变极板间距，电场值不变。都是模拟静电场仪无法完成的。
一种直接测量静电场实验

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