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[实用新型]一种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构-CN202122699921.X有效
发明人：丁成;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：这种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构，包括镓舟筒体、载盘、以及设于镓舟筒体内腔上部金属镓存放腔体空间中心位置设置的氯化氢导入管、设置氯化氢导入管两侧的穿透金属镓存放腔体底板的载气导入管和氨气导入管、以及设置在氯化氢导入管下方并同样穿透金属镓存放腔体底板的氯化镓导气管，在氨气导入管和载气导入管的出口下部的镓舟筒体上部设有一个与筒体四周内壁固接的圆环型挡板，并同时在该圆环型挡板下部的氯化氢导入管管壁外上增设一片直径小于上部圆环型挡板的圆型挡板，构成使氨气先沿着圆环挡板与氯化氢导入管的圆环型间隙送入圆型挡板与圆环挡板之间的空间，随后又沿圆环挡板外圈边缘进入下部镓舟筒体内腔参与氮化镓制作。
一种用于立式 hvpe 设备氨气结构

[发明专利]一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法-CN202110063226.6有效
发明人：丁成;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法，其特征如下：1)在载盘上放上直径1mm左右的种子颗粒，间隔10mm左右；2)向反应区内通入氮气和氢气、升温到900‑1000℃并保持10分钟，清洁种子表面水分和氧分等杂质；3)通过加热炉分别将反应区和生长区温度分别控制在850‑900℃和950‑1000℃，并在温度达到稳定时通入氨气10‑30分钟、用以氮化种子表面；4)在生长区温度达到1000‑1020℃，以0.05mol‑0.4mol/小时的量通入氯化氢，持续30‑90分钟生成菜花状氮化镓；5)在生长区温度继续升温至1020‑1070℃度时，以约0.05mol‑0.2mol/小时的量持续通入氯化氢气体，生长时间2‑100小时后即可获得呈珊瑚状氮化镓成型体。
一种常压 hvpe 制作珊瑚多晶氮化晶体方法

[发明专利]一种晶体生长装置以及晶体生长方法-CN201911010751.0有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长装置以及晶体生长方法。晶体生长装置包括反应釜，所述反应釜包括：反应釜釜体，具有第一开口；衬管，用于通过所述第一开口放入所述反应釜釜体内，具有第二开口；所述衬管放入所述反应釜釜体内以后，所述第二开口朝向所述第一开口；所述衬管的内部区域包括原料区以及生长区，所述原料区用于放置原料，所述生长区用于放置籽晶；密封件，用于密封所述第一开口，且具有可以被密封的溶剂进孔，所述溶剂进孔用于向所述衬管内通入溶剂。利用本发明的晶体生长装置进行目标晶体的生长时，可以有效提高生产效率。
一种晶体生长装置以及方法

[发明专利]半导体材料生产系统及生产方法-CN201911424593.3有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料生产系统，包括：清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置、多个反应釜和多组输送管道，清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置均可通过输送管道与同一个反应釜连通并传输物料至同一个反应釜，避免人工将反应釜搬运至各设备处，可节省生产时间，提高生产效率，降低生产成本。
半导体材料生产系统方法

[实用新型]一种GaN单晶生长装置的加热装置-CN202020789389.3有效
发明人：高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN单晶生长装置的加热装置，包括一密闭高压釜以及位于高压釜外部的加热装置，高压釜固定安装于热等静压容器内部，高压釜外侧设有一气体导流罩，热等静压容器内部还设有一气体循环装置，以实现高压釜外部气体的对流循环。本实用新型能够通过设置加热装置，实现对使得高压釜上下两部分之间的阶跃温差，进而加速GaN单晶的快速生长；通过设置绝热层，避免了高压釜外部温度影响高压釜内部温度；通过设置加热装置和气体循环装置，实现了通过加热装置控制高压釜内部压强，气体循环装置控制高压釜外部压强，以实现高压釜外部的压力始终大于高压釜内的压力，使得高压釜处于外压工况，保证了高压釜的安全，提高了生产效率。
一种 gan 生长装置加热

[发明专利]多晶氮化镓生长装置-CN201911268465.4有效
发明人：林岳明;乔焜;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种多晶氮化镓生长装置。该多晶氮化镓生长装置包括反应容器，反应容器在其轴向设置有相互连通的第一腔室主体和第二腔室主体，第一腔室主体连接有至少两条气体流入通道，第二腔室主体中设置有筒体；筒体具有与至少两条气体流入通道对应设置的开口，且筒体在其轴向间隔设置有多个带通孔的部件。上述多晶氮化镓生长装置能够有效提升多晶氮化镓的产量，同时不会增加多晶氮化镓生长装置的尺寸。
多晶氮化生长装置

[发明专利]矿化剂胶囊容器和结晶化合物制造过程中矿化剂的使用方法-CN201910619761.8有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种矿化剂胶囊容器和结晶化合物制造过程中矿化剂的使用方法。矿化剂胶囊容器包括外壳(10)和内壳(20)，内壳(20)紧贴外壳(10)的内壁设置，内壳(20)能够相对于外壳(10)转动，外壳(10)具有若干外壳通孔(11)，当内壳(20)转动到第一位置时，外壳通孔(11)不被内壳(20)的壁遮挡，当内壳(20)转动到第二位置时，外壳通孔(11)完全被内壳(20)的壁遮挡，胶囊容器能够被打开以允许确定量的矿化剂加入胶囊容器内部。根据本发明的矿化剂胶囊容器为矿化剂的提前称量和暂存提供了容纳空间，合理使用该矿化剂胶囊容器能够减少矿化剂与氧或水的接触，提高结晶化合物的纯度。
矿化剂胶囊容器结晶化合物制造过程中矿化剂使用方法

[实用新型]一种金相显微镜样品夹具-CN202020419442.0有效
发明人：张晓君;乔焜;林岳明;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金相显微镜样品夹具，包括底面为平面的第一夹具和第二夹具，所述第一夹具设有凹部，所述凹部扣合连接第二夹具的凸部，所述凹部和凸部通过空心轴连接，所述空心轴内连接有带刻度的伸缩连接杆，所述伸缩连接杆轴承连接有平行设置的定面片，所述定面片上连接有第一支杆，所述第一夹具和第二夹具上分别各设有第二支杆、挡体和凹槽，所述凹槽内连接有弹片，所述弹片两端分别连接第一夹具和第二夹具上的挡体。本实用新型可以很方便的调整样品的待观察面，结构简单，测试操作简便，可靠。
一种金相显微镜样品夹具

[发明专利]反应釜、生长氮化镓晶体的装置及方法-CN202010770309.4在审
发明人：高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应釜、生长氮化镓晶体的装置以及生长方法。反应釜为材料在超临界流体中生长提供高温和超高压环境，包括釜体，具有第一筒体和套设于第一筒体外壁的第二筒体，其中，第一筒体具有容纳待生长材料的容腔，第二筒体用于使所述第一筒体产生压缩预应力；密封件，设置于釜体的开口端，用于密封釜体；以及加热部件，设于第二筒体外壁，用于加热釜体。上述反应釜的内径范围可以为25mm至300mm，利用上述反应釜生长氮化镓晶体可以显著提高氮化镓晶体的尺寸和产量，同时还可以降低生产成本，有利于氮化镓晶体的工业化生产。
反应生长氮化晶体装置方法

[实用新型]一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置-CN202020535252.5有效
发明人：乔焜;林岳明;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置，包括底板和底座，底板上固定安装有固定板、第一限位板、第二限位板和第三限位板，底板的顶部设置有滑轨，底座的底部固定安装有万向轮，底座的顶部固定连接有高压釜，高压釜的两侧连接有连接块，连接块上连接有滑套，滑套上连接有转动杆，第一限位板上安装有电机，电机的输出轴与转动轴固定连接，转动轴上连接有第一齿轮，第一齿轮的两侧啮合连接有第二齿轮，第二齿轮与转动杆固定连接。本实用新型通过电机带动高压釜、底座和万向轮在滑轨方向上移动，将高压釜沿着滑轨移动至不同的场地区域，进行装料、充氨、生长和清洗等工艺，结构简单，操作方便，节省了人力，提高了生产效率。
一种用于氮化晶体生长高压移动装置

[实用新型]单晶生长加热装置-CN202020532994.2有效
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶生长加热装置，包括：容器，容器包括第一区和位于第一区下方的第二区；加热部件，位于容器外侧，加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元位于第一区外围，第二加热单元位于第二区外围，第一加热单元和第二加热单元之间具有间距；恒温层，位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述单晶生长加热装置中包括恒温层，使得容器外侧的温度恒定，减少环境温度变化对容器内温度的影响，还能有利于精确控制容器内的轴向温度差，减少成本。
生长加热装置

[实用新型]晶体生长装置和热等静压设备-CN202020412043.1有效
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置和热等静压设备。装置包括生长容器、端盖、密封件、泄放装置和紧固件，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室，端盖上设置有通孔，通孔与生长腔室相连通；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通；端盖和生长容器通过紧固件相连接。密封件阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性。通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。
晶体生长装置静压设备

[发明专利]氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法-CN201910446105.2有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法。该氮化镓晶体生产系统包括输送管道组件、氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置、冷却装置、加热装置、反应容器和阀组件，氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置和反应容器之间通过输送管道连接，阀组件设置于输送管道上，冷却装置用于冷却氨存储装置，使进入氨存储装置的氨气液化，加热装置用于对氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道进行加热，使得氨存储装置中的液氨以气态的形式均匀地分布于氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道中。本发明的氮化镓晶体生产系统能够精确地控制填充至反应容器中的氨的量，且能够使得填充至反应容器中的氨的纯度更高。
氮化晶体生产系统及其填充方法

[实用新型]防爆装置-CN201921604019.1有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种防爆装置，包括箱体，具有用于容纳反应容器的内腔；氨气传感器，设于箱体的内壁，用于检测内腔中的氨气浓度并输出第一信号；排气管路，与内腔连通，排气管路上设置有单向阀，单向阀的进气口靠近内腔；以及控制装置，分别与氨气传感器、单向阀以及反应容器电连接，用于根据第一信号控制反应容器启动或停止，以及控制单向阀打开或关闭。上述防爆装置可使工作人员及时发现反应容器的氨气泄漏并作出相应处理，避免引发爆炸。
防爆装置

[发明专利]加热装置及加热方法-CN202010284703.7在审
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人： 上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种加热装置及加热方法，加热装置包括：容器；加热部件，位于容器外侧，用于对容器加热；冷却层，位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述加热装置中包括冷却层，使得容器外侧的温度恒定，减少环境温度变化对容器内温度的影响，还能有利于精确控制容器内的轴向温度差，减少成本。
加热装置方法

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